混合烧成法制取低温PTCR陶瓷材料的研究

本文提出了用混合烧成制取低温ＰＴＣＲ陶瓷材料的工艺方法，该方法和普通工艺相比，不仅降低ＢａＴｉＯ３陶瓷的工作温区，而且室温电阻率比普通工艺下的要小，即半导化程度比普通工艺要好。     

电子陶瓷的混合烧成

混合烧成是制造性能优异的电子陶瓷的一种有效方法。本文介绍应用这种方法的两个例子。一是制备高稳定性高耦合系数的压电陶瓷,另一是制备高介电常数高温度稳定性的介电陶瓷。     

用双温点立式炉烧成高性能PTCR陶瓷的工艺

以程控交换机过电流保护用高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件作烧成对象，研究了应用自动连续式高温电阻炉对高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件实施规模生产的工艺。调整双温点自动高温电阻立式炉的温度和下降传动速度可方便地得到合理的烧成曲线，改善ＰＴＣＲ材料的性能参数，并保证高的成品率和性能一致性。     

轧膜成型PTCR瓷片平整烧成工艺的研究

为制备平整的PTCR瓷片,通过大量试验,分别从烧成温度、升温、降温阶段等各种烧成工艺对采用轧膜成型法制备PTCR瓷片性能的影响,得到了最佳平整度和电性能参数的烧结工艺。     

(Sr,Pb)TiO3 系V形PTCR陶瓷材料的研制

研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

低温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷材料ＰＴＣ效应的产生机理，给出了配方、工艺要点及主要特性多数，提出了改进性能的途径。     

空气中烧成锌电极浆料的研究

半导瓷用锌电极浆料可在空气中烧成。材料配方的选择和工艺的优化是实验的关键。实验中以硼硅铅玻璃和金属有机化合物作为锌电极浆料的粘结剂和抗氧化剂，取得了良好的效果。     

低温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷ＰＴＣＲ材料的性能，给出了低温ＰＴＣＲ材料的配方、工艺要点及主要特性参数，提出了改进性能的途径。     

喷雾造粒粉体对BaTiO3系PTCR半导体陶瓷性能的研究

研究了通过喷雾造粒制得的BaTiO3系PTCR热敏陶瓷粉体性能对生坯成型及瓷体物理、PTC效应、电学等性能的影响,与手工造粒粉体比较,由于喷雾造粒的粉体流动性好,表面活性大,粒度均匀,其成型性及烧结后瓷体PTCR效应、电学性能均有明显提高。     

PTCR陶瓷化学沉积镍电极界面结构及特性的研究

通过伏安特性和阻温特性测试研究了不同沉积条件下所得化学沉积镍电极BaTiO3基半导瓷热敏电阻元件的电性能，利用扫描电镜、透射电镜和X—衍射等现代分析手段，重点分析了在不同工艺条件下得到的化学镀镍电极与PTCR陶瓷之间的纳米界面结构及其特性，得到良好的欧姆接触化学镀镍电极的实验参数。     

BNT陶瓷低温烧成与性能

采用复合添加BaCuO_2-CuO(以下简称BCC)、ZnO-B_2O_3-SiO_2(以下简称ZBS)等烧结助剂的方法,研究了Ba_4(Nd_(0.85)Bi_(0.15))_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷(以下简称BNT)低温烧结的烧结特性和微波介电性能。结果表明:复合添加(均为质量分数)2.5％BaCuO_2-CuO和5％ZnO-B_2O_3-SiO_2后可以在1050℃烧结成致密瓷,气孔率为5.73％,在5.6 GHz,相对个电常数ε_r为64.25,Q·f值为2026 GHz,频率温度系数τ_f为+26.4×10~(-6)℃~(-1),可望实现与Cu电极浆料低温共烧。     

工艺条件对PTCR热敏陶瓷喷雾造粒粉体性能的影响

采用压力喷雾造粒的方式对BaTiO3系PTCR热敏陶瓷粉体进行喷雾造粒处理,研究了喷雾造粒过程中浆料组成和雾化条件对粉体性能的影响。研究结果表明：喷雾造粒过程中浆料粘度过高,雾化条件控制不当,都会使喷雾造粒粉体颗粒的团聚程度增加,影响粉体的松装密度和流动性,对生坯成型及材料烧结不利,考虑到料浆中粘合剂含量、固体物含量的综合影响,添加适量的分散剂可以降低料浆的粘度,控制适当的雾化压力,选用合适的喷雾直径与涡旋片组合可以获得理想的粉体。     

高性能BaTiO3基PTCR陶瓷的制备与研究

报道了在传统 Ba Ti O3基 PTCR陶瓷基料中间时加入一定配比的 Pb3O4 和 Ba CO3所产生的低阻现象。当 x=2 .5和 Pb/Ba=1.3时 ,陶瓷在 114 0°C保温 6 0 m in条件下获得了高性能的 PTCR瓷体 ,其室温电阻率与升阻比分别为 8Ω· cm和 4× 10 4 。结果表明 ,Pb3O4 和 Ba CO3的添加不仅能显著降低瓷体的室温电阻率 ,且还可以大幅度降低陶瓷的烧结温度。通过 XRD衍射谱分析并未在低阻瓷体中发现 Ba Pb O3相。根据所研究材料系统的一系列固态化学反应与缺陷反应提出了氧空位模型 ,并很好地解释了低阻化现象。     

高温BaTiO3PTCR材料的研究

本文提出了一种新型的ＢａＴｉＯ３ＰＴＯＲ材料的制备方法。研究了它的导电机理,给出了材料的组分,工艺条件及主要参数,提出了改进性能的途径。     

陶瓷PTCR化学镀铜电极溶液中络合剂的作用

通过热力学平衡的方法,研究了在ＢａＴｉＯ３系陶瓷ＰＴＣＲ上进行化学沉积金属电极时常用的酒石酸盐－铜离子和乙二胺四乙酸钠盐（ＥＤＴＡ）－铜离子体系化学镀铜溶液中各种型体铜离子的分布。实验表明,加入络合剂会影响化学镀铜的速度。文章研究的络合剂酒石酸盐和ＥＤＴＡ会使化学镀铜速度明显下降,这可能是由于空间位阻的原因。通过研究表明,选择合适的络合剂对于化学镀铜的稳定操作,意义十分重大。     

低BaTiO3PTCR材料的研究

文介绍了ＢａＴｉＯ３半导瓷ＰＴＣＲ材料的性能，给出了低ＲＴＣＲ材料的配方，工艺要点及主要特性参数，提出了改进性能的途径。     

有机PTCR材料的辐射改性研究

介绍以高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ） 为基材, 碳黑、二氧化钛（ＴｉＯ２） 为导电填料的有机ＰＴＣＲ材料的制备工艺, 采用γ－６０Ｃｏ 源与电子加速器两种辐射源, 对有机ＰＴＣＲ材料进行辐射改性, 对两种方法进行了初步的比较与研究