CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应

介绍了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在＾６０Ｃｏγ射线,１ＭｅＶ电子了４,７,３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及＾６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性,探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理,并对ＣＭＯＳ运放电路在不同辐射环境中表现出的与ＣＭＯＳ数字电路不同的响应特征给予了解释。     

CMOS运算放大器的质子和γ辐照效应

ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对实验结果的...     

用于测量高强度脉冲中子及γ射线剂量的真空室

本文报告了用于测量高强度脉冲中子及γ射线剂量的真空室探测器和直读真空室剂量计的研制。两种真空室在γ、Ｘ射线、１４ＭｅＶ中子、稳态和脉冲核反应堆中子、γ射线混合场上实验表明，其主要剂量学性能基本上达到设计要求。真空室剂量计在１０￣４Ｇｙ／ｓ下无剂量率依赖性，含氢材料壁真空室的快中子、γ射线灵敏度比近１：１，铝壁真空室受１０￣６Ｇｙ（￣（６０）ＣＯ）照射，其性能几乎没有变化。     

P沟MOSFET／FIPOS的γ射线总剂量辐照特性

采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术的制备了高质量的ＳＯＩ材料，研究了在该材料上采用２μｍＣＭＯＳ工艺制备的不同沟道长度的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ的＾６０Ｃｏγ射线总剂量辐照特性，表明经５ｋＧｙ（Ｓｉ）辐照后，器件仍有特性，但阈值电压有较大的漂移，这主要是由栅氧化层中的辐照感生电荷而引起，不同的沟长度ＰＭＯＳＦＥＴ的辐照特性有基本相同，经一段时间室温退火，阈值电压出现回漂。     

16O6+辐照诱导的人肝癌细胞DNA双链断裂及其修复

用倒转脉冲场凝胶电泳（ＰＩＧＥ）研究了３．１７ＭｅＶ／ｕ＾１６Ｏ＾６＋诱导的肝癌细胞ＤＮＡ双链断裂（ＤＳＢ）及其修复效应。结果表明：ＤＳＢ的诱导与辐照剂 量呈正相关,其产额为０．４３ＤＳＢｓ／１００Ｍｂｐ：Ｇｙ,与＾６０Ｃｏγ射线相比相对生物学效应为１．６９。ＤＳＢ片段重接一半所需要的时间（ｔ１／２）剂量有关,剂量越大,ｔ１／２越长。重接的方式主要表现为小片从而连接为较大的片段。     

松花粉辐射灭菌及贮藏效果的研究

利用＾６０Ｃｏγ射线松花粉进行辐照消毒灭菌。６ＫＧｙ辐照剂量对松花粉的杂菌杀死９０％，室温下贮藏二年后，对蛋白质、氨基酸、微量元素等营养成分进行分析表明，６－１２ＫＧｙ辐照灭菌剂量对松花营养成分基本上没有影响。     

不同工艺生成的Si—SiO2经电离辐照的电子自旋共振研究

采用电子自旋共振（ＥＳＲ）分析技术，较系统地研究了Ｓｉ－ＳｉＯ２体系中点缺陷Ｐｂ和Ｅ＇随氧化工艺、＾６０Ｃｏγ射线辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。实验结果表明：两类Ｓｉ／ＳｉＯ２样品在γ辐照前后均能观察到Ｐｂ缺陷，且γ辐照在Ｓｉ－ＳｉＯ２中产生更多的Ｐｂ缺陷；第一类样品在正电场下辐照将产生Ｅ＇缺陷，在自由场下辐照剂量达５×１０＾４Ｇｙ（Ｓｉ）时才能观察到Ｅ＇缺陷；在辐照后的第二类样品中无Ｅ＇信号     

模数转换器的^60Coγ射线和电子辐照效应

研究了ＣＭＯＳ模数转换器ＡＤＣ０８１６的＾６０Ｃｏγ射线和电子辐照效应及退火特性，并通过分析ＡＤＣ的电离辐射损伤机制，对其辐射敏感参数，敏感部位和失效模式进行了探讨。     

FWT－60辐射显色薄膜剂量计对~（60）Coγ射线的剂量响应

研究了ＦＷＴ－６０辐射显色薄膜剂量计在￣（６０）ＣＯγ辐射场中的响应与辐照温度、读数温度以及辐照后时间的关系，给出了薄膜在两个读数波长处的￣（６０）Ｃｏγ射线吸收剂量响应特性的测定结果，实验发现薄膜吸光度和吸收光谱峰值与读数温度有关。     

^60Coγ辐照对胰酶活力影响的研究

报道药用胰酶经＾６０Ｃｏγ辐照灭菌后对酶活力单位的影响，结果表明，酶活力单位对射线较敏感，随着剂量增大，酶活力单位逐渐降低。同时还测定了不同贮藏期，酶活力单位的稳定性。最佳灭菌剂量范围是６ＫＧｙ－８ＫＧｙ。     

PMOS剂量计的剂量率效应

在不同剂量率的＾６０Ｃｏγ辐照下,研究了ＰＭＯＳＤ剂量计阈值电压的响应关系,借助快速Ｉ－Ｖ亚阈分析技术,获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献,结果表明,辐照响应有较明显的剂量率效应,主要表现为响应的拟合关系式△ＶＴ＝ＫＤ＾ｎ中幂ｎ的变化,在低剂量率区间内,ｎ值较大,对应于辐射响应高灵敏度范围,当剂量效率增大时,ｎ值减小,响应灵敏度下降。讨论了克服剂量率效应影响其应用的办法。     

注氟MOSFET的质子辐照效应

对干Ｏ２和Ｈ２＋Ｏ２栅氧化注Ｆ的Ｓｉ栅Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了８ＭｅＶ和１２ＭｅＶ质子辐照试验，通过分析阈电压和Ｌｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射响应，发现ＭＯＳ结构栅介质中Ｆ的引入能明显抑制辐射感生氧化物电荷的积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，导致ＰＭＯＳＦＥＴ较小的阈电压负向漂移和ＮＭＯＳＦＥＴ阈电正向回漂，且不受质子辐照能量的影响。     

某些添加剂对PVG膜剂量计的效应

在聚乙烯醇丁醛薄膜中添加ＬＭＧ及有机卤代物，研制成功ＰＶＧ剂量计，并对其性能作了探讨。结果表明＾６０Ｃｏγ射线辐照能引发体系中隐色的ＬＭＧ氧化生成绿色的孔雀绿，生成数量与吸收剂量成正比。此外，还初步探讨了该体系的辐射色机理。     

纳秒级d－T聚变反应的16．7MeVγ测量

ｄ－Ｔ聚变反应产生的１６７ＭｅＶγ射线很弱，必须从很强的γ、中于混合场中筛选出来，故要求探测系统有高的信噪比，快的时间响应和宽的动态范围。利用高能γ与介质相互作用的康普顿效应及其定量对应关系，由扇形聚焦磁场一次偏转，用ＣＯ２气体切连科夫探测器（ＧＣＤ）探测电子束，或由扇形聚焦磁场（ＳＣＤ）二次偏转，用有机玻璃切连科夫探测器测电子束。仔细考虑了探测装置的辐射屏蔽和探测系统的电磁屏蔽。分别在“闪光－１”装置、ＤＨＪ－２５回旋加速器和２ＭＶ直线加速器上对探测装置进行了模拟检验实验和标定实验。在实际测试中，首次获得了纳秒级ｄ－Ｔ聚变反应产生的１６７ＭｅＶγ波形。     

47MeV／u的C^6^＋在CaVSn：YIG中辐照效应的研究

用兰州重离子研究装置（ＨＩＲＦＬ）首次进行了４７ＭｅＶ／ｕ的Ｃ＾６＾＋离子辐照ＣａＶＳｎ：ＹＩＧ的实验。通过穆斯堡尔效应和正电子寿命测量对４７ＭｅＶ／ｕ的Ｃ＾６＾＋离子在ＣａＶＳｎ：ＹＩＧ中的辐照效应进行了初步研究。发现辐照导致内磁场方向趋于各向同性分布，由穆斯堡尔谱未观察到非晶化现象。缺陷的数量随Ｃ＾６＾＋离子在样品中电子能量损失的增加而增加。     

硅光电器件两种辐照效应的比较

比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶγ射线辐照后的光电参数的变化，讨论了γ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应，在硅器件的光谱响应范围内，将分光光度法得到的光电流谱用上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。     

蒙特卡罗方法在γ剂量率灵敏度标定中的应用

在γ剂量率测量标定中，使用ＧＤ－４０管作为γ探头来测量γ剂量率。实验室标定γ探头灵敏度在钴源上进行，６０Ｇｏ源平均能量为１．２５ＭｅＶ，而在实际测量中，辐射场的γ射线包含了各种能量成份，因此对实验室标定的灵敏度在实际应用中就需要进行修正。本工作通过蒙特卡罗粒子输运模拟方法，计算了单能与辐射场能谱的剂量比值，给出了修正因子，从而使γ剂量率灵敏度标定更加准确。     

SOD对受照射犬外周血象的影响

家犬每天经＾６０Ｃｏγ射线全身照射０．６Ｇｙ，照珀１０ｍｉｎ肌肉注射ＳＯＤ，连续５ｄ，观察外源性ＳＯＤ对受照射犬外周血象的影响。结果表明，肌肉注射二倍等效量的ＳＯＤ，对受照犬 外周血白细胞一定的保护作用。     

高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究

用１１２ＭｅＶ Ａｒ离子以５０Ｋ的低温辐照了〈１１１〉取向的单晶Ｓｉ后在室温下采用Ｘ射线光电子谱（ＸＲＳ）、电子顺磁共振（ＥＰＲ）和红外光吸收（ＩＲ）技术对样品进行了分析。ＸＰＳ分析结果表明，表面处Ｓｉ以单元素和ＳｉＯ２两种形式共存，辐照对这两种形式Ｓｉ的２ｐ轨道电子的结合能影响较小。ＥＰＲ测量结果显示，Ｓｉ中的损伤产生明显地依赖于辐照剂量，当剂量为１．０×１０＾１４－１．８×１０＾１４ｃｍ＾－２     

一次性使用麻醉穿刺包的辐照灭菌研究

一次性使用麻醉穿刺包经＾６０Ｃｏγ射线辐照灭菌,供临床使用。几年的应用实践证明,γ射线１０ｋＧｙ剂量辐照,基本达到无菌要求,已累计使用了近１０万件、无一例感染。