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提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法。该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发射时间常数以及噪声幅度等参数的RTS噪声模型;然后设计了RTS噪声智能温控测试系统;最后对实测RTS噪声数据进行频谱变换,得到噪声功率谱密度并作分析。实验表明,该测试系统可以有效地获取高k栅介质SOI LDMOS的RTS噪声,具有良好的动态特性,且其本底噪声抑制率较高,较待测信号低两个数量级左右。 相似文献
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深亚微米MOSFET模型研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文中对在深亚微米MOSFET的器件模型研究基础上,提出了研究MOSFET模型值得注意的问题,并对如何建立深亚微米MOSFET模型作出了有益的探讨。 相似文献
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采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点考虑了衬底电流的作用.模拟结果与实验有很好的一致性.该解析模型计算简便,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析. 相似文献
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MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了加固型CMOS电路在^60Co—γ射线源、10MeV以下的质子、1~2MeV的电子等辐射源辐照下的总剂量效应实验。结果表明,在相同吸收剂量和 5V栅压的偏置条件下,1MeV的电子与^60Co—γ射线源对器件的损伤相当。质子与^60Co-γ射线源对器件的辐射损伤,在不同的栅压偏置下有不同的结果。 5V栅压下,能量在10MeV以下的质子对器件的损伤小于^60Co-γ射线源,且质子对器件的辐射损伤随着质子能量的增加而增加;在零栅压的偏置条件下,质子对器件的损伤与^60Co-γ射线源对器件的损伤相当。通过对实验结果的分析认为,用实验室常用的^60Co-γ射线源可以模拟MOS器件在质子、电子辐射环境下的最劣总剂量效应。 相似文献