半导体量子点和量子线材料及其制备技术

综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术。     

半导体量子线材料

综述了半导体量子线材料的最新动态和发展趋势。     

半导体量子线材料

综述了半导体量子线材料的最新动态和发展趋势。     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难 ,并展望了进一步的发展趋势。     

量子电子器件及其应用

随着半导体芯片的特征尺寸从微米量级向纳米量级挺进,半导体的量子效应现象显现。文章阐述了半导体器件中的量子尺寸效应、隧道效应、干涉效应等量子效应的种类以及利用这些量子效应制作的量子点器件、谐振隧穿器件和单电子器件三大种类量子电子器件。介绍了各类量子电子器件的原理以及它们具有超高速、超高频、高集成度、低功耗和高特征温度等优越特性,并着重介绍了各类量子电子器件的制造方法。在此基础上,指出了量子电子器件的应用及发展前景。     

量子线与量子点微结构的选择生长制备技术

本文介绍了用于制备量子线和量子点微结构的选择区域外延和精细束加工技术，并评述了今后研究与发展方向。     

新型纳米材料——半导体量子线材料

综述半导体量子线材料的最新动态和发展趋势。     

侧向外延一维量子线截面样品制备技术

侧向外延一维量子线截面样品制备技术陈弘，张　云（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）分子束外延技术的巨大发展，推动了一维量子线的实验和理论研究。一维量子线有很多独特的物理特性，如量子Ｈａｌｌ效应、迁移率调制、边界散射、荧光的各向异性等。制备一维量...     

液相超声法制备金属及化合物量子点研究进展

量子点(Quantum Dots,QDs)的电子结构及光学性质等与传统材料显著不同,由于其独特的尺寸效应和表面效应而受到广泛关注,除金属硫化物量子点外,其他含金属元素的量子点有Ⅴ族金属单质、Ⅱ-Ⅵ族量子点、Ⅳ Ⅵ族量子点及碳化物量子点等。液相超声法是一种制备量子点的重要手段,具有操作简单、反应速度快、产率高和粒径可控性好等优势。量子点具有可调控的光学性质、高量子效率和荧光亮度、优越的电子输运性能、良好的化学稳定性和生物兼容性等良好的特性,使其在光电子学、光催化和生物医学等领域得到了深入的研究。本文综述了超声法制备不同金属及金属化合物量子点的研究进展,并对其应用进行了归纳和总结。最后,对超声法制备金属单质及金属化合物量子点进行了展望。     

液相超声法制备金属硫化物量子点的研究进展

量子点(Quantum Dots,QDs)是一种零维纳米材料,其尺寸小于或接近激子玻尔半径。随着纳米技术的发展,金属硫化物量子点因其独特的光学、电学和磁学性质而受到广泛关注,可将其分为过渡金属硫化物量子点(TMD QDs)、Ⅱ-Ⅵ族量子点及Ⅳ-Ⅵ族量子点等。超声法制备量子点具有高效、环保、易于控制和可扩展性等优点,逐渐成为制备金属硫化物量子点的重要技术之一。金属硫化物量子点有着别于传统体相材料的优异光电特性,在近些年里,其优越而又独特的性能使得在更多的领域中得到了深入的研究和应用,如光电器件、生物成像、光催化等。本文综述了超声法制备不同金属硫化物量子点的研究进展,并对其性质和应用进行了归纳和总结。最后,对超声法制备金属硫化物量子点进行了展望。     

量子线红外光子探测器的研究进展

基于半导体量子线子能带间跃迁的量子线红外光子探测器（QRIP）由于其独特的电子性质,具有工作温度较高、信噪比较高、暗电流较低、光谱范围较宽以及垂直入射光响应等特点．对于新型红外探测器的研发而言,QRIP是颇具潜力的候选者之一．通过对近年来部分相关文献的分析介绍,总结和评述了QRIP制备工艺、物理性质、仿真方法等方面的研究进展．     

InGaAs/InP量子线的子带结构和光学增益

采用有效质量理论 6带模型 ,计算了 In0 .53Ga0 .4 7As/ In P量子线的光学性质 ,具体计算了In0 .53Ga0 .4 7As/ In P量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱 ,并把量子线的光学增益谱和量子阱的光学增益谱作了比较。     

半导体超晶格和量子阱材料的研究和应用

本文介绍了用MBE技术制作半导体超晶格和量子阱材料的进展,以及在高速电子器件和光学器件方面的应用。     

金属外壳引线键合可靠性研究

引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式的优势,在连接方式中占主导地位。其中把内部电路与金属外壳内引线柱之间的连接称为引线键合,目前90%以上的封装管脚采用引线键合连接。引线键合强度和可靠性不仅与键合工艺有关（比如键合工艺参数、键合设备、操作技能等因素）,而且与外壳引线的镀覆结构、镀层厚度、内引线柱高度等因素密切相关。文章简要介绍了引线键合工艺的基本原理,通过试验分析并比较了金属外壳镀覆结构、镀层厚度、内引线柱高度对键合可靠性的影响,提出了优化键合可靠性的外壳设计原则。     

自组装半导体量子点在纳米电子器件中的应用

随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限,具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程.自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有δ函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中.本文按纵向输运器件、横向输运器件的分类扼要评述了该领域的最新进展,并对待解决的问题和发展前景作了分析.     

半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件，评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还讨论了量子微结构的尺寸要求和研究课题。     

量子密码学的应用研究

文中首先对量子密码学作了简单的介绍,给出了量子密钥所涉及的几个主要量子效应,接着较为详细地阐述了国内外量子密码学发展的历史,给出了量子密码学研究的几个课题：量子密钥分配、量子签名、量子身份认证、量子加密算法、量子秘密共享等,并分别加以简单的说明并详细地分析了阻碍量子密码实用化的几个因素。最后对量子密码学的发展做了展望。     

金属封装用低阻复合引线的优化设计

给出了以容易测量的内芯材料横截面积所占整个复合引线面积之比为自变量的同轴复合圆柱形引线的电阻率、轴向和径向的热膨胀系数的计算公式.运用这些公式并从相应图中可以便捷地确定这类复合材料的优化设计范围.将该结果应用于4J50包铜复合引线的优化设计,并进行了实验验证.     

介观金属双环系统中的量子效应

基于电荷离散化的事实,运用最小平移算符的性质,计算介观金属双环系统中电荷、电流以及能量的量子涨落,研究影响量子涨落的因素.结果表明:量子电流、量子能谱的量子涨落不仅与介观金属环的电参量、Plank常数有关,而且还明显地依赖于电荷的量子化性质.