小剂量电离辐射的刺激效应

本文介绍在细胞遗传学水平、免疫水平及分子水平上小剂量电离辐射生物效应研究的新进展及小剂量电离辐射刺激效应产生的可能的机制。     

淋巴因子相应靶细胞的小剂量辐射效应

观察了单次小剂量Ｘ射线全身照射后Ｃ５７ＢＬ／６小鼠胸腺细胞ＩＬ－１反应性和脾细胞ＩＬ－２反应性的变化，发现在１００ｍＧｙ以内的小剂量照射后，整个胸腺和脾脏的细胞数趋于增多，胸腺细胞对ＩＬ－１的反应性和脾细胞对ＩＬ－２的反应性趋于增强，体外照ＩＬ－２细胞亦出现同样的反应趋势，但统计学处理与对照组比较均地明显差异。     

用BrdU法研究γ射线外照射诱发外周血淋巴细胞HPRT基因突变

用5－溴脱氧尿嘧啶（BrdU）法检测，不同剂量γ射线外照射诱发正常人外周血淋巴细胞HPRT基因突变频率（MFs），并研究其剂量效应关系，抽取正常成年人静脉血，分成5组，分别用0.0-4.0Gy的不同剂量γ射线照射，全血培养后用BrdU法检测淋巴细胞HPRT基因MFs。结果表明，正常人外周血淋巴细胞的MFs随外照射剂量的增加而上升，且剂量效应关系符合线性平方模型，研究证明了BrdU法是一种快速、简便、较敏感的检测外照射诱发HPRT基因突变的方法，HPRT基因辐射突变可作为生物剂量计。     

小剂量照射后小鼠脾巨噬细胞对脾淋巴细胞功能的…

采用昆明小鼠，小剂量Ｘ射线全身照射５０ｍＧｙ￣２５０ｍＧｙ，剂量率为１２．５ｍＧｙ／ｍｉｎ。停照后不同时间处死动物，取出脾脏，用贴壁法分离脾巨噬细胞（ＭΦ）和淋巴细胞，检测受照后脾ＭΦ与受照的脾淋巴细胞功能变化的关系。结果表明，小剂量辐射可使脾ＭΦ功能增强，主要表现在７５ｍＧｙＸ射线全身照射后，脾ＭΦ对脾淋巴细胞ＣｏｎＡ（刀豆蛋白Ａ）反应增强，ＩＬ－１（白细胞介素１）分泌增多。受照的脾ＭΦ只对受照     

小剂量照射的淋巴细胞外液诱导其亚群细胞DNA合成…

预先给予４．０ｃＧｙγ射线照射的人外周血淋巴细胞，经ＰＨＡ刺激２４ｈ后提取细胞外液，观察其对大剂量照射后受损伤的亚群细胞的影响。结果表明，ＣＤ＾＋８，ＣＤ＾＋４细胞损伤明显减轻，且损伤剂量分别为１．５，３．０Ｇｙ时，适应性反应最强。结果还显示，ＣＤ＾＋８细胞较ＣＤ＾＋４细胞对辐射更敏感，     

^60Coγ射线照射淋巴细胞诱导PIG3和GADD45基因mRNA变化

用60Coγ射线照射正常人外周血永生化淋巴细胞系后,初步分析受照细胞中PIG3和GADD45基因mRNA表达水平的改变状况,并探讨上述基因作为辐射生物剂量计的可能性及意义.用60Coγ射线照射淋巴细胞,采用不同剂量(0～10Gy)照射和照射后不同时间点(0～72h)收集细胞,抽提mRNA,用Real-time PCR检测细胞中PIG3和GADD45基因mRNA表达水平的变化.结果表明,正常人外周血永生化淋巴细胞系中PIG3和GADD45基因mRNA表达水平随照射剂量的增高而增加,并呈现出剂量效应关系.5Gy剂量60Coγ射线照射后,淋巴细胞中PIG3和GADD45基因mRNA表达水平随时间的推移不断增高,在8h时均达到最高,随后开始降低.PIG3和GADD45基因对辐射均较敏感,其表达具有良好的剂量效应和时间效应关系,但相比而言,PIG3的表达随照射剂量和照射后时间的变化更加显著,更有潜力作为生物剂量计以满足实际需要.     

~(60)Coγ射线对小鼠巨噬细胞和淋巴细胞胞浆微管的影响

本实验采用间接免疫荧光技术,观察了小鼠腹腔巨噬细胞和肠系膜淋巴结细胞胞浆微管经~(60)Coγ射线照射后的变化及分布特点;同时还对此变化进行了动态观察、研究;并在透射及扫描电镜下观察了~(60)Coγ射线对胞浆内微管、中心粒和表面微绒毛的影响。实验结果表明:(1)辐照对巨噬、淋巴细胞内胞浆微管的分布及荧光染色模式有明显影响,并且与辐照剂量有关;(2)经一定时间后,由辐照所致的胞浆微管变化可以完全恢复;(3)透射电镜下可见辐照后胞浆微管、中心粒基本消逝,扫描电镜下可见经辐照后细胞表面突起或微绒毛发生明显变化。     

SRAM型FPGA总剂量效应实验研究

为了探索SRAM型FPGA器件的总剂量效应测试方法及效应敏感参数,以XC2S100为实验样品,设计了两种配置电路,利用~(60)Co γ辐照装置进行了总剂量效应辐照实验.通过对实验结果的分析,给出了SRAM型FPGA器件配置存储器及块存储器的测试流程,并指出功耗电流是表征效应的最敏感参数.这些结果对建立SRAM型FPGA的考核方法及测试方法打下了坚实的基础.     

低剂量电离辐射预处理对高剂量辐射诱导的肝癌细胞hepG2细胞周期阻滞的影响

以人肝癌细胞hepG2为研究对象,用流式细胞术测定并分析了低剂量γ射线(5cGy)预照射对高剂量照射(3Gy)诱导的细胞周期阻滞的影响。结果显示：(1)低剂量照射可引起hepG2细胞在G2／M期短暂累积(至照射后4h);(2)低剂量照射促进hepG2细胞的生长;(3)高剂量照射后,hepG2细胞的G2期发生阻滞,而S期只发生短暂延迟;(4)与单纯高剂量照射相比,低剂量照射预处理后4h给予高剂量照射可进一步促进hepG2细胞在G2／M期累积,但预处理后8h给予高剂量可促进细胞通过G2／M期。实验结果表明,低剂量照射预处理对高剂量照射诱导的细胞周期阻滞的影响,取决于两次照射的时间间隔。     

Experimental study of pulse neutron irradiation damage in SiGe HBT

The response to transient irradiation of npn SiGe HBT (BG35 SiGe BiCMOS), i.e. device under test (DUT) was studied with online measurement of 1 MeV equivalent pulse neutron fluence of 0.8 × 10¹³n/cm². The differently biased DUT1 and DUT2 in test circuit were irradiated in the first day with neutron fluence (0.8 × 10¹³n/cm²) termed as Fluence1 and with an additional neutron fluence (0.8 × 10¹³n/cm²) in the second day to make Fluence2 equals to 1.6 × 10¹³n/cm². The experimental results show that pulsed neutron irradiation causes voltage surges in the DUTs exhibited by a negative and positive peak known to be radiation damage (RD). The RD in DUTs induced by pulse neutron Fluence1 initially created unstable displacement defects and the defects later reordered (cluster defects) to form more stable configurations via neutron Fluence2. The irradiated DUTs experienced online instantaneous annealing after 2.03 × 10^?9 s and offline measurement (i.e. without irradiation) of DUTs showed recovery to normal mode of operation after 24 h annealing. The level of pulse peaks in the base voltage terminals of DUT1 and DUT2 were compared as V_b2Fluence1 > V_b1Fluence1 and V_b2Fluence2 > V_b1Fluence2. A comprehensive analysis of RD region in DUTs with reference to Area (A₁, A₂), Peak (P₁, P₂), Height (H), and Full width at half maximum (FWHM) were investigated.     

利用人外周血淋巴细胞染色体畸变估算离体模拟局部照射剂量

多数电离辐射事故均为局部照射。对于局部照射剂量估算,国际原子能机构(IAEA)推荐采用Dolphin's 模型,该模型需推算出照射部位染色体畸变率,再代入离体均匀照射情况下建立的剂量效应曲线来估算局部照射剂量。准确推算照射部位染色体畸变率对于估算剂量十分重要,选用合适的剂量效应曲线对估算剂量也同样重要,而对于局部照射,关于不同剂量率剂量效应曲线对估算结果影响的报道还十分有限。基于此本研究利用人外周血淋巴细胞染色体畸变估算离体模拟局部照射剂量,分析不同剂量率剂量效应曲线对估算结果的影响。利用⁶⁰Co γ射线离体照射人外周血样品(样本A和样本B),剂量分别为1 Gy和5 Gy。将照射血与未照射血按25%和75%比例混合以模拟局部照射,分析混合血样中淋巴细胞的双着丝粒染色体(dicentric chromosome,dic)加着丝粒环(r),利用Dolphin's模型估算局部照射dic+r率,并用剂量率不同的两种剂量效应曲线估算局部照射剂量。结果显示,大部分混合血样dic+r分布不符合泊松分布,为过离散分布。利用与实际照射剂量率一致的剂量效应曲线估算的样品受照剂量大多与实际照射剂量比较接近,相对偏差在10%以内,但两样本的1 Gy 25%组的估算受照剂量与实际照射剂量偏差较大。利用与实际照射剂量率不一致的剂量效应曲线估算的样品受照剂量与实际照射剂量相对偏差均超过10%。结果表明dic+r分析用于估算离体模拟局部照射的剂量有可行性,采用剂量率和照射剂量率一致的剂量效应曲线估算的结果更为准确。     

医用加速器X线百分深度剂量外推计算研究

根据射线与物质相互作用理论 ,建立百分深度剂量 (PDD)外推计算数学模型 ,将常规剂量仪测得的较浅水深PDD值外推到更深深度处 ,满足没有三维水箱放疗单位临床治疗需要。在2 0cm水深范围内 ,不同大小射野 ,PDD外推值与三维水箱测量值之间最大绝对差异为 0 .0 0 6×10 0 % ,最大相对差异为 1.1% ,两者相当吻合     

Inhibitory effect of low dose irradiation on tumor metastases in tumor bearing in mice

Ｉｎｈｉｂｉｔｏｒｙｅｆｆｅｃｔｏｆｌｏｗｄｏｓｅｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎｏｎｔｕｍｏｒｍｅｔａｓｔａｓｅｓｉｎ　ｔｕｍｏｒｂｅａｒｉｎｇｉｎｍｉｃｅＷｅｉＤａｏ－Ｙａｎ（魏道严）；ＪｉｎＡｏ－Ｘｉｎｇ（金敖兴）；ＨｕａｎｇＧｕｏ（黄帼）；ＷａｎｇＳｉ...     

Total dose radiation effects of pressure sensors fabricated on Unibond－SOI materials

1 INTRODUCTIONSi1icon On Insulator (SOI) is used as an attIactive substrate fOr modern sub-Ancrometer integrated circults, especially fOr low t-oltage, low Jpower integrated cir-cuits. Moreover, SOI circuits are inherently toleranf, to ionizing irradiations and hightemperatures[1]. There has been an increasing tend,3ncy in recent years to aPply SOImaterials in the AncroelectromechanicaJ systems (MI:MS)t't']. ComPaxed with bulk si1-icon, SOI wafer has a bu-ried SiO2 layer. It c…     

低剂量辐射诱导小鼠胸腺细胞周期进程的适应性反应

观察低剂量辐射诱导小鼠胸腺细胞周期进程适应性反应的剂量、剂量率和时间效应。用诱导剂量(D1:25、50、100、200mGy,剂量率:12.5mGy/min;;D1:75mGy,剂量率:6.25、12.5、25、50、100、200mGy/min)和攻击剂量(D2:1.0、1.5、2.0Gy,剂量率:287mGy/min)照射Kunming雄性小鼠,D1和D2间隔3、6、12、24、60h。用流式细胞仪检测胸腺细胞周期各时相细胞百分数。当D1为25、50、100mGy(剂量率:12.5mGy/min,D1和D2间隔6h),或D1为75mGy(剂量率:6.25、12.5、25mGy/min,D1和D2间隔3、6、12h),D2为1.0、1.5、2.0Gy,D2组与假照射组之比S期胸腺细胞百分数明显降低(p<0.05或p<0.01),而G0/G1和G2 M期细胞百分数明显增加(p<0.05或p<0.01);;但D1 D2组与D2组之比S期细胞百分数明显增加(p<0.05或p<0.01),而G0/G1和G2 M期细胞百分数不同程度降低。小鼠接受1.0—2.0Gy(287mGy/min)照射前3—12h受25—100mGy(6.25—25mGy/min)照射,可诱导胸腺细胞周期进程的适应性反应。     

头部CT扫描时受检者剂量研究

应用热释光剂量和头部CT剂量监测模体,在日立W-1000型机器上测定了模体中心和距体表1cm处,单层和多层扫描时的剂量分布。给出了单层扫描时,散射线所致剂量与扫描中心距离的拟合方程,分析了用不同积分区间计算CT剂量指数（CTDI）时对结果的影响。为今后进行广泛的CT受检者的剂量监测,推广使用国际电离辐射防护和辐射源安全基本标准（IBSS）推荐的CT受检者剂量指导水平提供统一标准。并对CT剂量监测中一些值得关注的问题进行探讨。     

基于半导体集成电路辐射效应的空间辐射环境探测器

空间辐射环境能够引起半导体集成电路发生的总剂量效应、单粒子效应等辐射效应,可以被用来进行空间辐射环境监测。在一定条件下,基于此原理的探测器具有常规的面垒型探测器以及PIN型探测器等所不具备的优点。尤其适合航天器舱内带电离子探测和用于航天医学的个人辐射剂量探测。介绍了三种基于半导体器件辐射效应的探测器。