纳米Fe-In2O3颗粒膜的低温磁效应

采用射频溅射法制备了纳米Fe—In2O3颗粒膜，研究了颗粒膜在低温下的两种特殊磁效应——巨磁电阻效应和磁性弛豫效应。磁电阻测量结果表明，当Fe体积分数为35％时，颗粒膜样品的室温磁电阻变化率(△ρ/ρ0)为4．5％，而在温度T=2K时，∑ρ／ρ0达85％。根据颗粒膜低场磁化率-温度(x-T)关系证实，在一定温度下，颗粒膜中纳米Fe颗粒表现出磁性弛豫效应，当截止温度TB=50K时，颗粒膜的磁特性由超顺磁性转变为铁磁性；在截止温度以上，其饱和磁化强度与温度关系符合Bloch的T^3/2定律。     

Fe-In2O3纳米复合颗粒膜的制备和磁特性研究

采用射频溅射法制备了“纳米铁磁金属颗粒．半导体基体”Fe-In2O3复合颗粒膜，研究了颗粒膜磁特性随晶格结构的变化规律。实验结果表明，通过真空退火处理可改变Fe-In2O3复合颗粒膜中纳米Fe颗粒的尺寸大小；颗粒膜的比饱和磁化强度σs随Fe颗粒尺寸的减小而降低，矫顽力日e随Fe颗粒尺寸的变化出现峰值，表现出磁性单畴颗粒的临界特性。     

NixSiO2(1-x)颗粒膜的光学和磁光特性研究

用磁控溅射法制备了一系列NixSiO2(1-x)样品,并对部分样品作快速退火处理,室温下采用椭圆偏振光谱仪和磁光谱仪分别为1．5－4．5eV的光子能量区了样品的复介常数谱和极向复磁光克尔谱,研究了这种金属－绝缘体型颗粒膜的化学和磁光性质,发现调整适合的金属含量或对样品作退火处理,可以观察到复介电常数的实部从正到负的连续变化,而且在一定光子能量区,其值为零;介电张量的非对角元和光学常数对其磁光克尔角的增强起重要作用。     

Fe-ZnSe纳米复合颗粒膜的制备和磁电阻效应

采用射频溅射法制备了"纳米铁磁金属颗粒-半导体基体"Fe-ZnSe复合颗H粒膜,研究了颗粒膜的结构、磁性和磁电阻效应.实验结果表明,在室温下Fe-ZnSe复合颗粒膜中纳米Fe颗粒表现出超顺磁性,颗粒膜的磁电阻变化率△ρ/ρ0数值达到4.6%;颗粒膜的磁电阻变化率△ρ/ρ0随温度的变化关系表明△ρ/ρ0数值随温度的下降而增大.     

InP／SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质

采用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光单晶硅片上制备了InP/SiO2纳米复合薄膜,并在磷气氛保护下对薄膜进行了高温(520℃)退火处理,以消除复合薄膜中残存的In和In2O3,得到了纯净的InP/SiO2纳米颗粒膜样品.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明薄膜中InP和SiO2的化学组分基本上保持理想化学计量配比;X射线衍射和激光拉曼光谱实验结果都证实了薄膜中InP纳米晶粒的存在;线性吸收光谱实验观察到了室温下纳米颗粒膜光学吸收边明显的蓝移现象.采用单光束脉冲激光Z扫描方法测量了InP/SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质.测量结果表明,我们所制备的InP/SiO2纳米颗粒膜的三阶光学非线性折射率系数达10-8 cm2/W量级,比InP晶体块材的相应值大4个数量级.(OB3)     

金属/半导体颗粒膜中的特殊磁电阻效应

用射频溅射法制备了Fe0.35/(In2O3)0.65颗粒膜。通过磁化率的测量得到铁磁-顺磁态的截止温度为50 K。在10 K冻结温度附近,材料由铁磁态转变为颗粒自旋结团态。在金属-半导体相变温度2.2 K附近得到最大为506%的磁电阻效应,与室温自旋相关隧穿磁电阻效应完全不同,这主要源自于载流子与局域磁无序间的相互作用。外加磁场使颗粒自旋结团取向一致,增加了电子在团簇间跳跃时的迁移率,可产生显著的磁电阻效应。     

纳米Mo膜的光学特性及最小连续膜厚研究

利用Lambda-900分光光度计，在波长为310～1250nm范围内测量了离子束溅射沉积不同厚度纳米Mo膜的反射率和透射率。选定波长为310nm，350nm，400nm，500nm，550nm，632nm，800nm，1200nm时对薄膜的反射率、透射率和吸收率随膜厚变化的关系进行了讨论。实验结果显示，纳米Mo膜的光学特性有明显的尺寸效应。提出将薄膜对光波长为550nm时的反射率和透射率随Mo膜厚度变化关系的交点对应的厚度作为特征厚度，该厚度可认为是纳米Mo膜生长从不连续膜进入连续膜的最小连续膜厚。利用原子力显微镜(AFM)观测膜厚在15．76nm时的表面形貌，此时表面形貌已呈现连续膜的特征。     

TiO2/SiO2纳米多层膜光学特性研究

采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了TiO2／SiO2纳米多层膜,用椭偏仪测试了薄膜的厚度和折射率。黑体实验研究表明,TiO2／SiO2纳米多层膜在800nm～1600nm区域内对红外线的吸收较好,且吸收率随着温度的升高而增大。红外光谱研究表明, TiO2／SiO2纳米多层膜在2300cm-1～2900cm-1区域内对红外线的吸收较好。     

Cr-Ag颗粒膜的尺寸效应对光学效应的影响

采用离子束共溅射的方法分别制备了一系列CrxAg1-x(x=19,28,36)样品,经1h的真空退火,通过X射线衍射和原子力显微镜和光学测量,研究了它们在不同退火温度下的结构,表面形貌和光学性质,结果表明其光学性质与颗粒尺寸密切相关。     

CuInSe2纳米颗粒膜的磁控溅射制备和特性分析

采用Cu,In,Se三元扇形复合靶,在玻璃基片上用射频磁控反应溅射技术制备CuInSe2(CIS)纳米颗粒膜.CIS颗粒的大小可通过改变溅射功率、基片温度和膜厚来调节.测量并讨论了所制备的CIS纳米颗粒膜的内部晶相结构、电阻率、导电类型以及光吸收等性质.     

光照下巨磁电阻氧化物的室温响应性质

实验测量了巨磁电阻锰氧化物的光吸收谱,研究了在波长为０．６３μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光和波段λ＝８￣１４μｍ的红外辐射条件下,薄膜在室温下的光响应性质。通过分析光响应与高制频率、偏置电流的关系,讨论了光响应机理。     

FeS_2薄膜厚度对晶体生长及光吸收特性的作用

在单晶Si衬底上用磁控溅射Fe膜并硫化的方法 ,制备了不同厚度的FeS2 薄膜 ,测定了晶体结构及光学性能 .结果表明 ,薄膜晶体学位向分布随薄膜厚度的增大可发生一定程度的变化 .随着薄膜厚度增加到 330nm ,晶粒尺寸增加而晶格常数减小 ;但当薄膜厚度大于 330nm时 ,晶粒尺寸下降而晶格常数增大 .光吸收系数以及禁带宽度均随薄膜厚度的增加而下降 .相变应力、比表面积及晶体缺陷随薄膜厚度的变化是引起薄膜晶体生长行为及光吸收性能变化的主要原因     

Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究

采用LBL(layer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜.即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜,然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的Cu2SnS3薄膜.探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性.制备的薄膜为多晶(Cu2SnS3)72z(三斜或假单斜晶系)结构,其直接光学带隙约为1.05 eV.     

铬过渡层对银膜光学性质及附着力的影响

研究了在玻璃基底上采用不同厚度的铬膜作过渡层,对银膜的光学性质及其附着力的影响。光谱测量结果表明,随着铬膜层厚度的增加,银膜的反射率先增大后减小。与直接镀在玻璃基底上的银膜的反射率相比,铬膜层厚度为8~14nm时,银膜的反射率较低;铬膜层厚度为17~21nm时,银膜的反射率得到提高,其中铬膜厚度为17nm时,银膜的反射率最高;继续增加铬膜层的厚度,银膜的反射率又降低,说明采用一定厚度的铬膜作过渡层可以提高银膜的反射率。X射线衍射(XRD)结构分析表明,一定厚度的铬膜改善了银膜的结晶程度,使薄膜的晶粒度增大,晶界散射及缺陷减少,从而使应变减小。剥落实验证明薄膜与玻璃基底之间的附着力也得到了提高。     

氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响

研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。由薄膜内应力变化和薄膜的结构变化解释了薄膜光学性质的变化