改进偏置电路提高音质的单声道60W晶体管功率放大器

本文介绍一款通过仿真对各种偏置电路的传输特性做了认真分析比较后设计的单声道60w功率放大器，使放大器的传输特性有所改善，音质进一步提高。整个放大器由对称的两级电压放大器和两管作达林顿连接的SEPP电路构成。电压放大级和功率放大器均采用独立的稳压电源单独供电，并设置有电源关闭型扬声器保护电路、输出级晶体管过流防止电路等保护电路。在8Q扬声器上可输出60w，其音色非常自然。     

811A单端24W单声道功率放大器

本文介绍的功率放大器是日本第十届自作放大器竞赛“中功率类”的获奖作品。电压放大级采用6SN7直接耦合,驱动级采用将5998A接成阴极跟随器、以低阻抗直接驱动811A。将6SN7、5998A和811A组合,可以实现失真的相互抵消,用8dB阴极负反馈可获得DF=2。在低音再生方面音质极佳。     

60MHZ晶体管功率放大器

该功放设计装调后,经试用,技术性能,可靠性和相位噪声等主要指标都较满意,现供大家参考。功放组合,由三级放大和一级功率分配器组成.工作频率为60MHZ,输入输出阻抗75Ω,输入功率2mw;输出分为四路,三路低功率输出,功率15mw,彼此隔离大于30db;另一路为高功率输出,功率可达2W,并可调整。附加相位噪声很小,对60MHZ 高瞬稳的晶振信号经该放大器放大后,对其信号纯度影响不大。关于甚高频晶体管功放,目前分析设计方面的资料已经很多了,具体的设计这里不详细     

晶体管15W甲类功率放大器

本刊去年举行了“斯巴克杯”有奖征文活动暨放大器设计竞赛,有众多的读者参与了此项活动。本文系放大器设计竞赛的二等奖作品,现刊登出来以飨读者,并与大家进行交流。     

100W/6Ω的单声道功率放大器

本文所介绍的功率放大器是一款抗干扰措施完备的功率放大级,为了避免反馈放大器中存在的TIM失真(Transient Intermodu ration distortion,瞬态互调失真),采用末级无负反馈电路。电源变压器选用大型变压器,滤波电容选用大容量电容,增大电源电路的容量、减小电源电路所产生的噪声。用6Ω负载可获得100瓦的输出功率。 图1是100W/6Ω单声道功率     

35W宽带晶体管功率放大器的研制

本文介绍的微带功率放大器采用了微带功率合成技术,在560MHz～660MHz 频段范围内输出功率≥35W,输入功率≤3.5W,增益达10dB,效率为66%,谐波抑制度≥40dB,自然散热,连续加电44小时工作正常,整个放大器体积为220×140×80mm~3(加散热片)。     

晶体管放大器偏置电路的噪声计算

本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法。该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声，从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具。     

采用接地线圈,抑制高频噪声更加完善——60W单声道功率放大器

本刊九四年第五期曾向读者介绍了采用双地方式的100W功率放大器。本文是该作者提出的另一种抑制高噪声更加彻底的方法。除了采用了双地方式中的抑制高频噪声的方法之外,60W单声道功率放大器的独到之处是在接地点插入接地线圈将信号系统的地与     

60瓦晶体管桥式声频功率放大器

在使用扩声系统的场合,人人都希望有良好的音响效果。要达到这一目的,一方面要视具体场合正确调整扬声器的方位和功率(注意同相联接),另一方面还应该有一个高质量的扩音机。为了适应各种扬声器的不同阻抗和功率,扩音机往往使用输出变压器来     

用于功率放大器的随温度可调负压偏置电路

设计了一种应用于GaN功率放大器栅极调制的随温度可调负压偏置电路。电路由电压基准模块、温度传感器模块、比较器阵列以及误差放大器及其对应的功率管与反馈电阻等组成,通过基准电压与温度传感器输出电压的比较,输出数字控制信号到反馈电阻中的可变电阻模块,改变可变电阻阻值进而改变电路输出电压,实现芯片电压随温度可调。电路结构简单、易于实现、应用方便,同时电路中引入了修调电阻结构,极大提高了基准输出精度。电路芯片面积为1.10 mm×0.64 mm,采用0.5μm CMOS工艺进行了流片并完成了后期测试验证。结果表明,芯片可实现输出电压的随温度可调,有效解决了GaN功率放大器在相同的栅极偏置电压下输出功率随温度升高而减小的问题。     

高效甲类音频功率放大器的自动可变偏置电路

鉴于目前音频功率放大器中,普遍采用的单端推挽(SEPP)乙类放大器(确切地说应是甲乙类)尚存在着开关失真和交越失真这一根本性问题,既使采用最新研制的高 f_T 功率管,也不能使这些失真消除。而甲类方式的放大器虽不产生上述对音质有损的失真,但效率甚低。为什么甲类方式的放大器不产生开关失真和交越失真呢?这是因为甲类方式中信号的整个周期的放大过程都是在线性区域进行,信号合成同样也是在线性区域内完成。所以不会产     

GY-841型2×100W晶体管功率放大器

一、概述随着时代的发展,人们对舞台扩声的质量要求越来越高,进口的大功率晶体管功率放大器日益增多,国产晶体管功率放大器的生产逐渐被重视。杭州通信广播电视技术研究所从84年开始着手研制全国产化的大功率晶体管功率放大器,当年制成了GY-2×100W晶体管功率放大器;85年试生产了一批现将该机情况介     

用26LW6×8制作80W单声道OTL功率放大器

真空管放大器的音质与半导体放大器的音质之所以存在差别主要是放大器件的特性不同、电路不同及有无输入输出变压器等因素引起的。真空管式OTL放大器由于不使用输入输出变压器,因此音质介于两者之间,更具魅力。本文介绍一款用8只电视机行扫描输出管26LW6制作的真空管OTL音频功率放大器。该机在气势宏大和音阶表现方面均超过半导体放大器。     

用具有真空三级管特性的半导体器件制作的35W单声道功率放大器

TKS45F323是日本NEC Talkin生产的具有真空三极管特性的半导体SIT,本文介绍的是一款注重音质的、采用类似真空管放大电路的音频功率放大器.在电路设计时,为了避免放大级供电电路引起的相位失真,在电压放大级采用了由FET和稳压二极管组成的简单的恒压、恒流电源.并通过对频率特性和群延时特性的仿真,确定输出级的栅极电阻和输入电阻,获得平坦的特性和良好的音质.放大器的频率特性一直延伸至250kHz.     

用具有真空三极管特性的半导体器件制作的35W单声道功率放大器

TKS45F323是日本NEC Talkin生产的具有真空三极管特性的半导体SIT,本文介绍的是一款注重音质的、采用类似真空管放大电路的音频功率放大器。在电路设计时,为了避免放大级供电电路引起的相位失真,在电压放大级采用了由FET和稳压二极管组成的简单的恒压、恒流电源。并通过对频率特性和群延时特性的仿真,确定输出级的栅极电阻和输入电阻,获得平坦的特性和良好的音质。放大器的频率