Yb:NaY(WO4)2激光晶体的光谱性能

采用提拉法生长出了Yb：NaY(WO4)2晶体,给出了晶体生长的最佳工艺参数：拉速0．5～4mm／h,转速30～40r／min,冷却速率18℃／h。由TG-DTA分析得到晶体的熔点为1209℃。测试了该晶体的Raman光谱、吸收光谱和荧光光谱,计算了吸收光谱和荧光光谱中的有关参数。结果表明：该晶体发射波长为1010nm,在848,968nm附近有较强、较宽的吸收峰,适合于LD泵浦。     

CdSe∶Mn量子点的制备及其光致发光特性研究

采用低温水热法,以柠檬酸为配位稳定剂制备了Mn2＋掺杂的CdSe量子点。用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）等进行了表征。研究了Mn2＋掺杂浓度对量子点的结构及其光致发光性能的影响。光致发光光谱表明,当粒子尺寸为3 nm时,在580 nm处出现了属于Mn2＋的4T1-6A1跃迁的特征发射峰。当激发波长为480 nm时,在630 nm处出现了CdSe的表面缺陷发射峰。随着Mn2＋的掺杂浓度增大,CdSe∶Mn表面陷阱态发射峰位置没有显著红移。TEM分析结果显示,CdSe∶Mn量子点为单分散的,尺寸约为5 nm的圆形纳米粒子。当Mn2＋离子掺杂浓度不大于5%时,Mn2＋取代表面晶格中的Cd2＋离子位置形成辐射性表面缺陷,产生表面陷阱态发射。吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应。     

Yb∶NaY(WO_4)_2激光晶体的光谱性能

采用提拉法生长出了Yb∶NaY(WO4 ) 2 晶体 ,给出了晶体生长的最佳工艺参数 :拉速 0 .5～ 4mm/h ,转速 3 0～ 40r/min ,冷却速率 18℃ /h。由TGDTA分析得到晶体的熔点为 12 0 9℃。测试了该晶体的Raman光谱、吸收光谱和荧光光谱 ,计算了吸收光谱和荧光光谱中的有关参数。结果表明 :该晶体发射波长为 10 10nm ,在 848,968nm附近有较强、较宽的吸收峰 ,适合于LD泵浦     

Nd：GGG晶体生长、光谱性能及激光性能（英文）

采用提拉法生长掺钕钆镓石榴石（neodymium-doped gadolinium gallium garnet,Nd：GGG）激光晶体,选择最佳工艺参数：提拉速率为2～4mm/h;转速为20～40r/min;冷却速率为20℃/h。测试了晶体的吸收和荧光光谱,结果表明：主吸收峰位于808nm,主发射峰位于9430cm^–1,对应于Nd3＋的4F3/2–4I11/2跃迁。对晶体样品进行了激光性能测试。结果表明：当泵浦功率为900mW时,对泵浦光的吸收效率为85%,激光输出波长约为1μm,激光输出功率为305mW,激光阈值功率为380mW,光–光转换效率达57.8%,斜效率达57.6%。     

掺钕钆镓石榴石晶体的激光性能

采用提拉法生长了Nd：Gd3Ga3O12（Nd：GGG）晶体。切割后的样品经过端面抛光,测试了荧光光谱、吸收光谱和激光性能。荧光光谱表明：晶体的最强的荧光发射峰位于1062nm,是Nd^3＋的4^F3/2-4^I11/2谱项导致的荧光发射。由吸收光谱发现：Nd：GGG晶体的最强吸收峰位于808nm,表明该晶体适合于激光二极管泵浦．并且吸收峰强度随掺杂离子浓度的增加而增加。激光性能测试结果表明：激光二极管泵浦时光-光转换效率为33.＋8％,斜效率为57.8％。     

荧光素掺杂的溶胶凝胶SiO2／甲基硅油复合薄膜的制备和光谱特性

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法制备了掺杂荧光素（FL）的SiO2／甲基硅油（MSO）复合薄膜，并且测定了这种薄膜的光谱特性．实验表明，荧光素掺杂的SiO2薄膜在350nm-450nm波长范围内激发，在520nm附近有最强的荧光发射峰；与常规SiO2膜相比较，SiO2／甲基硅油（MSO）复合薄膜的荧光发射强度可增加50％；在70℃下的加速老化实验表明，常规SiO2薄膜20天后开始出现严重的荧光猝灭现象，而复合膜放置一个月后荧光强度仅下降了15％．     

Mg:Ho:LiNbO3晶体的生长及其激光性能

在生长LiNbO3的熔体中掺进1%(摩尔分数,下同)的Ho2O3和分别掺入1%,4%,5%MgO,用提拉法生长Mg:Ho:LiNbO3晶体.测量了晶体的光谱性能和抗激光损伤能力.结果表明:5%Mg:1%Ho:LiNbO3晶体红外光谱的OH-吸收峰移到3 534 cm-1;晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高2个数量级以上.随着Mg:Ho:LiNbO3晶体中Mg2 浓度的增加,吸收光谱中吸收边连续紫移;Mg:Ho:LiNbO3晶体最强的跃迁光谱项为3I8→5G6,对应的吸收波长为459nm,是最佳泵浦波长.晶体的荧光光谱表明:Mg:Ho:LiNbO3晶体较易实现激光振荡的是4S2→5I8和5I7→5I8跃迁,对应的发射波长分别为546nm和2011nm,选用波长为620nm的激光激发Mg:Ho:LiNbO3晶体,由其上转换荧光光谱得到波长为523nm的荧光,实现了红绿光的转换.     

Er:LiGdF_4晶体生长及光谱性能

采用提拉法生长出掺铒氟化钆锂(Er3+:LiGdF4,Er:LGF)激光晶体。晶体生长工艺参数为:提拉速率为0.16mm/h,晶体转速为3r/min,冷却速率为10℃/h。X射线粉末衍射分析表明:晶体属于四方晶系,白钨矿结构,空间群为I41/a,计算的晶胞参数:a=0.5196nm,c=1.10286nm。晶体的吸收光谱和荧光光谱表明:晶体在659,980nm和1540nm附近的吸收峰较强,其中在1540nm处的吸收截面为1.09×10-20cm2。在激光二极管的532nm波长泵浦下,发射峰分别位于995nm和1530nm附近,其中1530nm处的半高宽为52nm。     

CdSe:Mn量子点的制备及其光致发光特性研究

采用低温水热法,以柠檬酸为配位稳定剂制备了Mn2 掺杂的CdSe量子点.用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等进行了表征.研究了Mn2 掺杂浓度对量子点的结构及其光致发光性能的影响.光致发光光谱表明,当粒子尺寸为3 nm时,在580 nm处出现了属于Mn2 的4T1-6A1跃迁的特征发射峰.当激发波长为480nm时,在630nm处出现了CdSe的表面缺陷发射峰.随着Mn2 的掺杂浓度增大,CdSe:Mn表面陷阱态发射峰位置没有显著红移.TEM分析结果显示,CdSe:Mn量子点为单分散的,尺寸约为5 nm的圆形纳米粒子.当Mn2 离子掺杂浓度不大于5%时,Mn2 取代表面晶格中的Cd2 离子位置形成辐射性表面缺陷,产生表面陷阱态发射.吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应.     

SiO_2 Opal光子晶体结构周期数对TiO_2染料敏化太阳能电池光电性能的影响

通过在N719敏化的纳米晶二氧化钛膜上耦合SiO_2 Opal光子晶体,以此复合膜为光阳极,以敏化二氧化钛与无序SiO_2的复合膜为参比膜,考察了SiO_2 Opal光子晶体结构周期数对电池光电性能的影响。SiO_2 Opal光子晶体的结构周期数由制备光子晶体时的沉积液浓度控制。实验结果表明复合光子晶体后,电池的短路电流密度ISC和能量转化效率Eff明显提高,且光子晶体周期数越多,提高率越大,当SiO_2 Opal结构周期数增加至20层时,ISC和Eff与参比膜相比分别增加了91%和164%。IPCE分析表明光电性能提高的原因在于当光子晶体带隙与N719吸收峰重合时,利用光子带隙反射与光局域效应可提高N719对波长530nm光的吸收率。即光子晶体可有效提高吸光材料在光子带隙处的吸光率,且随着光子周期数增加,提升效果越显著。     

光子晶体光纤的研究与进展

光子晶体光纤是90年代发展起来的新型光波导材料,具有十分重要的研究和应用价值.本文综述了光子晶体光纤的特征和传输机理、光子晶体光纤的研究类型、制备工艺,并进一步介绍了光子晶体光纤的几个重要用途.     

响应性水凝胶光子晶体的研究进展

光子晶体是由2种以上具有不同介电常数的材料按照一定的周期顺序排列成的具有有序结构的材料。响应性水凝胶光子晶体是指在一定外界条件刺激下会发生体积上的变化,进而引起光子晶体的光子带隙改变的凝胶。响应性光子晶体可分为化学响应性、物理响应性和溶剂响应性及最近应用越来越广的分子印迹响应性光子晶体。近年来响应性光子晶体凝胶在传感器、临床检测、生物方面得到广泛应用。本文就响应性光子晶体的国内外研究现状进行综述,并对其未来发展趋势进行展望。     

PAA/TiO2一维光子晶体的制备

以聚丙烯酸（PAA）和TiO2纳米粒子为电介质材质,采用旋涂技术制备了PAA/TiO2一维光子晶体。用扫描电子显微镜对其层层沉积的结构进行了表征,用紫外可见反射光谱对光子禁带进行了研究,考察了光子禁带与成膜参数的关系。结果表明,通过调控旋涂速度或者PAA溶液质量分数,可以制备出具有不同光子禁带的PAA/TiO2一维光子晶体,且光子禁带随旋涂速度的加快线性蓝移、随PAA溶液质量分数的增大线性红移。     

光子晶体光纤的制备方法和发展趋势

光子晶体光纤(PCF)由于具有传统光纤无法比拟的奇异特性,在短短的十年内研究取得了很大的进展。它的横截面上有较复杂的折射率分布,通常含有不同排列形式的气孔,这些气孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度,光波可以被限制在光纤芯区传播。文章介绍了国内外几种典型的光子晶体光纤光栅的制备方法,PCF的一些独特光学性质,及其在光通信及光传感领域中的应用前景及发展趋势。     

PAA/TiO2一维光子晶体的制备

以聚丙烯酸(PAA)和TiO2纳米粒子为电介质材质,采用旋涂技术制备了PAA/TiO2一维光子晶体。用扫描电子显微镜对其层层沉积的结构进行了表征,用紫外可见反射光谱对光子禁带进行了研究,考察了光子禁带与成膜参数的关系。结果表明,通过调控旋涂速度或者PAA溶液质量分数,可以制备出具有不同光子禁带的PAA/TiO2一维光子晶体,且光子禁带随旋涂速度的加快线性蓝移、随PAA溶液质量分数的增大线性红移。     

可调制光子晶体材料的研究进展和展望

可调制光子晶体材料是一类通过调节自身光子带隙结构对外场刺激做出响应的先进光子材料,它比传统的非调制光子晶体表现出更加优异的性能,近年来已成为光子晶体研究中的一个重要领域。本文简单介绍了近年来可调制光子晶体材料的发展状况,阐述了其调制机理及存在的问题,同时对未来光子晶体材料的发展提出了展望。     

准完全带隙的光波段二氧化硅光子晶体材料的制备

光子晶体（photonic crystal)或光带隙材料（hotonic band-gap material)是指具有光子禁带的周期性电介质结构。制造可见光波段的三维全带隙光子晶体是人目标。通过二氧化硅球自组装合成人工欧泊（artificial opal)是获得此种材料的可行方法之一。实验通过改进模具，选择乙醇作沉降介质，用二氧化硅球沉降法制备了有序性较好的人工欧泊，并对二氧化硅球排布进行了显微形貌观测及透射谱测试。分析表明，二氧化硅球排布为类面心立方结构，其带隙为准完全带隙。     

响应性光子晶体的研究进展

简要介绍了光子晶体的概念及各种制备方法,详细综述了响应性光子晶体的研究进展,包括:1胶体晶体水凝胶阵列;2反蛋白石结构水凝胶;3反蛋白石状光子晶体微球;4微凝胶胶体晶体;5浸润性控制的光子晶体。     

光子晶体水凝胶传感器的研究进展

光子晶体水凝胶传感器在一定外界条件刺激下,其水凝胶体系会发生膨胀或收缩,进而引起光子晶体的光子带隙改变而产生响应。本文主要对光子晶体水凝胶传感器的原理及应用现状进行了综述,并提出了展望。     

Novel chemical methods for the infiltration of opal particles with electrically conductive polyaniline polymers

Chemical methods for successfully coating opal particles with electrically conducting polyaniline (PANi) polymers were studied. Two different routes were proven successful. First was the in situ chemical doping reaction of PANi with dodecylbenzenesulfonic acid (DBSA) and camphorsulfonic acid dopants. The other method was placement of opal particles in a low concentration of a conducting PANi/DBSA solution in chloroform. Ultraviolet analyses of opal samples showed typical spectra for doped PANi with delocalized polarons. The electrical resistance of coated opal was measured to be 0.75 × 10³ Ω. Morphological studies of the fractured surface by scanning electron microscopy indicated successful coating. Cyclic voltammetry studies confirmed the percolating behavior of infiltrated PANi. Also, a selective electroactive behavior toward the type of dopant was observed. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 86: 788–793, 2002