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高气压充氙多丝正比室的气体净化装置 总被引:1,自引:1,他引:0
本装置的第一级净化器可以把纯度为99.99%的氩(Ar)、氙(Xe)等惰性气体提纯到99.9999%,其中氧气小于0.1ppm,再经第二级净化器后,氧含量小于0.01ppm。使用提纯后的氙,充304kPa氙的多丝正比室,对~(241)Am 59.5keV峰的能量分辨率达6.6%。此装置还能回收多丝室内的氙,重复提纯,使氙得以反复使用。 相似文献
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Si—SiO2及其在电离辐照下的等离激元 总被引:1,自引:0,他引:1
用XPS分析技术对抗辐射加固与非加固的Si-SiO2进行了电离辐照前后Si的一级等离激元(定位于B.E.116.95eV)及SiO2一级等离激元(定位于B.E.122.0eV)的研究。实验结果表明:存在一个由这两种等离激元组成的界面,在电离辐射的作用下,此界面区向SiO2表面方向展宽,界面中心向SiO2表面方向移动;两种Si-SiO2界面区中的SiO2一级等离激元的浓度在正电场中辐照均随辐照剂量的增加而增加,而非加固样品中一级等离激元浓度在正电场中随辐照剂量的变化所产生的变动快于加固样品;在同一辐照剂量下加正电样品中等离激元浓度的变化远明显于不加电样品。 相似文献
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采用正电子湮没技术研究3×10^20/cm^2中子注量,En≥1MeV快中子辐照在α-Al2O3中产生的辐照效应,实验发现α-Al2O3在辐照后的850℃退火形成尺寸约为0.7nm的空洞。 相似文献