ITO透明导电膜高速成膜的研究

论述了一种采用低能量大束流高密度等离子体作为离子辅助沉积技术,沉积ＩＴＯ薄腊的方法。实验表明离子轰击可以有效地增加薄膜的聚集密度。同时减低薄膜的电阻率。此外,高密度等离子体促进了ＩＴＯ薄膜制备过程的氧化,进而大大提高了ＩＴＯ薄膜的沉积速度。     

氧离子辅助法沉积ITO透明导电膜的研究

论述了ITO膜的导电及生长机理,讨论了离子辅助(IAD)电子枪蒸镀ITO膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响,在选择合适的工艺条件下制备ITO膜,电阻率约3×10^-4Ω·cm,可见光平均透过率高于80％。并用原子力显微镜(AFM)对溅射及蒸发膜进行了表面面型测试。     

透明导电ITO薄膜的制备及光电特性的研究

采用溶胶-凝胶方法以In（NO3）3.4·5H2O和SnCl4·5H2O为前驱物,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜。详细研究了不同掺Sn比例、不同金属离子浓度、不同提拉速度、不同烘烤温度对ITO薄膜光电特性的影响。结果表明,提拉法制备的薄膜在热处理过程中由凝胶状态向结晶态逐渐转变,方电阻随热处理温度的升高而降低;导电率随薄膜厚度的增加呈非线性增加。     

铜纳米线透明导电膜的制备与性能

用水合肼还原硝酸铜溶液的方法,合成出高长径比的单晶铜纳米线,用X射线粉末衍射仪、扫描电镜、透射电镜等对产物进行了分析,研究了原料配比、水合肼加料方式等工艺因素对反应产物的影响;用孔径为0.45μm的注射式过滤膜滤出铜线并接触转移到透明商用手机贴膜表面制成铜纳米线膜,用紫外-可见光谱仪和四探针表面电阻仪分别测试其可见光透射率和表面电阻。结果表明:80℃时,制备的铜纳米线长度大于40μm,直径小于100 nm;铜纳米线膜的可见光透射率为50%,平均方块电阻为26Ω。     

ITO/Ag光子晶体薄膜的制备及性能

考虑材料的电磁屏蔽特性和可见光透过的矛盾,设计了以铝/氧化铟锡(Ag/ITO)为周期的光子晶体薄膜以实现电磁屏蔽和可见光透过的兼容。首先根据电磁屏蔽和可视的双重需求,优化了光子晶体的组份并对其性能进行了研究。接着采用磁控溅射方法制备了以Ag/ITO为周期的光子晶体薄膜,并对光子晶体薄膜的屏蔽和可见光透光率进行了测试和分析。实验结果表明:这种光子晶体薄膜在金属Ag总膜厚大于可见光趋肤深度而远小于微波波段趋肤深度时,在可见光波段的最高透光率高达55%,而在微波x频率段的屏蔽性能最高可达65dB。通过结构设计,使薄膜的可见光透光率曲线与人眼的敏感曲线相吻合。随着每个周期Ag膜层的厚度增加,方阻相应降低,微波屏蔽性能相应提高。随着周期数的增加,薄膜的可见光透光率没有相应降低、屏蔽性能没有相应提高。设计的光子晶体薄膜在30 MHz~18GHz较宽波段的屏蔽性能均大于40dB。这种设计方法为材料的电磁屏蔽和可见光透明兼容开辟了一条新的技术途径。     

铁电薄膜的制备方法

介绍了制备铁电薄膜的几种不同种类的方法.LSMCD技术是一种新型的制备铁电薄膜的技术.采用超声雾化产生微米级或亚微米级尺寸的气雾,再用载气将气雾引入沉积室内,沉积在基片上.重复此过程直至膜厚达到所需厚度.     

等离子体在零件表面强化与改性中的应用

离子注入与沉积技术在诸多领域有着广泛的应用.文章主要介绍微波ECR与MEVVA等离子体源及其相关设备的工艺特点,同时也介绍了它们在材料表面改性等方面的一些实际应用情况.     

一种基于ITO涂层的电梯安全间隙测量仪器的设计

开发了一款基于ITO涂层的电梯安全间隙测量仪器。该仪器采用IC芯片对ITO涂层的电信号进行采集和处理,在微型显示器上直接显示电梯安全间隙测量数值结果。该仪器操作简单,体积小,便于携带,测量结果符合检规和标准要求,测量精度高,提升了现场检验的质量和效率。     

气敏薄膜传感器SnO2：Sb的制备及性能研究

利用等离子体化学气相沉积制备了ＳｎＯ２∶Ｓｂ导电薄膜。研究了膜电阻与沉积温度、电极间距及掺杂浓度间依存关系和薄膜阻温特性。测试了薄膜对ＮＯ２气体的气敏性,并进行了理论分析。     

微孔气流加压对ITO玻璃激光刻蚀平面度的影响

针对ITO玻璃表面线路激光刻蚀中因定位问题玻璃工件产生的微变形,采用微孔陶瓷对工件进行微气流阵列加压,确保高精度的激光刻蚀加工。分析不同加工工艺下的微气流压力分布,探究气流压力和刻蚀间隙对ITO玻璃刻蚀表面平面度的作用机制。结果表明：经微孔气流加压后,工件在气体流动的区域受到正压力,加工区域的压力分布较为均匀。由此可知,工件表面受到均布气压有利于刻蚀表面的定位,但过大的压力会导致工件微变形。实验结果显示：在合适的压力下,微孔气流加压可使得平面度低至8μm,当压力在0.16～0.2 kPa,刻蚀间隙在1.8～1.9 mm时,工件表面压力为13.2～14.4 Pa,此时平面度最好,微米尺度的刻蚀线路清晰,不产生破损。最后,对微孔气流加压的ITO玻璃进行激光刻蚀加工,可得到8μm以及25μm的表面微细线路,解决了通常无微孔气流加压的刻蚀工艺导致局部断点或变形线路引起产品短路或开路等问题。     

从欧洲真空镀膜会议分析光学薄膜及其技术的研究和发展

简要介绍了９６ 年欧洲真空镀膜会议概况,结合９４ 年第一届欧洲真空镀膜专题讨论会的内容,对欧洲各国在光学薄膜和薄膜技术的研究动向作了介绍;并介绍了广泛应用于激光、红外及航天等高技术中的类金刚石和金刚石薄膜、软Ｘ射线多层膜的研究成果。     

薄膜磁敏元件基片的选择与制备

本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求，依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片，上部制备SiO2作绝缘膜。重点讨论了用射频溅射法制备SiO2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验，给出实验结果。     

S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器

本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用Ｓ枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为１００Ω、５００Ω、１０００Ω的镍薄膜电阻元件，其电阻温度系数达到德国ＤＩＮ４３７６０标准。     

超薄膜润滑径向轴承模拟计算

粘度是润滑剂的主要性能参数，随着油膜厚度的改变而在改变，在超薄膜润滑中特别突出，采用粘度修正雷诺方程来求解轴承的性能，对无限宽轴承来说，可得出其解析解，从而对其它轴承的计算提供依据。     

用喔星锌作发光层的有机电致发光薄膜器件的研究

用喔星锌（Ｚｎｑ２）作发光材料，做出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａｌ结构的有机电致发光薄膜器件，测量了它的伏安特性，电光特性曲线及其电致发光光谱，同时也测量了喔星锌在粉末和薄膜状态下的荧光光谱、激发光谱、吸收光谱。     

薄膜式锰铜传感器——一种新型的超高压力传感器

文中综述了动态高压锰铜传感器最近十多年来的研究现状,着重介绍了一类新型的锰铜传感器———薄膜式锰铜传感器的研发进展。该类传感器的研制旨在提高传感器高压测试极限和缩短响应时间。目前已进行了直到80GPa以下的初步标定,响应时间最快达32ns     

喹啉锌有机电致发光薄膜器件的时间特性分析

用喹啉锌（Ｚｎｑ２）作发光材料,制备出Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｚｎｑ２／Ａ１ 结构的有机电致发光薄膜器件,分析并测量了它的伏安时间特性,电光时间特性,并与ＬＥＤ器件的电致发光时间特性进行了比较。实验表明有机薄膜发光的电光时间效应与ＬＥＤ器件相比有其特殊性。     

薄膜润滑时分层粘度模型的速度场分析

流体的流动将直接影响其润滑特性,特别是润滑剂粘度的分布,速度变化除产生温升外,还将可能使润滑剂产生剪切稀化,在薄膜润滑中,润滑剂量的相对运动速度大,其特性变化将更为突出。本以分层粘模型来研究在此时润滑剂的速度特性,为研究流体温度场和剪切稀化问题提供数据,对揭示薄膜润滑状态下轴承的性能和变化规律具有重要的意义。     

Ni薄膜热敏电阻失效机理研究

通过对Ni薄膜热敏电阻进行可靠性试验得出其失效模式,并对失效机理进行了分析。     

用干涉极值法监控有机电致发光薄膜厚度的研究

根据Ａｂｅｌｅｓ 法测量了喔星锌的折射率,为１．６９７;代替石英晶体振荡法,利用干涉极值法监控,通过真空蒸发镀制了光学厚度（ｎｄ）为５４０ｎｍ 的喔星锌有机电致发光薄膜,说明在真空蒸发下干涉极值法监控有机电致发光薄膜的膜厚是有效的。