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脉冲电铸制备纳米CeO_2增强镍基复合材料 总被引:2,自引:0,他引:2
用脉冲电铸技术制备了纳米CeO2增强镍基复合材料,研究了镀液中纳米CeO2颗粒添加量、阴极平均电流密度、占空比及脉冲频率对电铸复合材料中CeO2含量的影响,并对复合材料的显微硬度和表面形貌进行了分析.结果表明:在CeO2添加量40 g·L-1、阴极平均电流密度4A·dm-2、占空比0.2、脉冲频率1 000 Hz的条件下,电铸复合材料中CeO2含量最高为2.98%;其显微硬度为484 HV,较脉冲纯镍的323 HV有明显提高;与直流电铸纳米CeO2增强复合材料相比,脉冲电铸制备的复合材料表面更平整,组织更致密,晶粒更细小,且减少了纳米CeO2颗粒的团聚现象. 相似文献
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镍-氧化镧纳米颗粒复合电铸的研究 总被引:5,自引:1,他引:5
采用复合电铸工艺制取了含La2 O3 纳米颗粒的镍基复合电铸层 ,研究了La2 O3 纳米颗粒共沉积量对复合电铸层微观组织及显微硬度的影响。结果表明 ,随着La2 O3 纳米颗粒共沉积量的增大 ,复合电铸层表面更加平整、组织也更加细致均匀 ,基质金属镍的晶粒得到进一步细化 ,因而复合电铸层的显微硬度也随之升高。 相似文献
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复合电铸Ni-La2O3纳米复合材料的组织结构和性能 总被引:6,自引:1,他引:6
采用复合电铸工艺制备了不同La2O3纳米颗粒含量的Ni—La2O3纳米复合材料,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪观察分析了纳米复合材料的表面形貌及组织结构,与电沉积纯镍作对比研究了纳米复合材料的显微硬度和耐磨损性能。结果表明,由于La2O3纳米颗粒的存在,导致Ni-La2O3纳米复合材料的组织结构发生了改变,它比纯镍沉积层具有更高的显微硬度及耐磨性,且La2O3纳米颗粒质量分数越大,纳米复合材料的显微硬度越高,耐磨性越好。 相似文献
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脉冲电铸镍-氧化钕纳米复合沉积层的工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
电化学沉积层的制备是电铸技术的关键环节。本文采用脉冲电铸技术制备N i-Nd2O3纳米复合沉积层,考察了镀液中Nd2O3纳米颗粒添加量、平均电流密度、占空比、脉冲频率对纳米复合沉积层中Nd2O3含量及纳米复合沉积层显微硬度的影响,并对纳米复合沉积层的表面形貌进行了分析。结果表明,在镀液中Nd2O3纳米颗粒添加量20 g/L~30 g/L、脉冲平均电流密度2 A/dm2~4 A/dm2、占空比0.2~0.4和脉冲频率1000 Hz的条件下,可获得Nd2O3含量大的高硬度复合沉积层,并且沉积层表面平整、光滑,晶粒细小,组织均匀致密。 相似文献
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镍锰合金的纳米晶电铸 总被引:7,自引:1,他引:6
电铸镍锰合金因其特殊的性能而具有重要的应用前景。分析了电沉积纳米晶材料的原理 ,在此基础上采用高速冲液、直流和高频脉冲电流以及电解液中加入添加剂等方法进行了镍锰合金的电铸试验 ,并对电铸层的锰含量、表面形貌和晶粒尺寸进行了测试。试验结果实现了镍锰合金的纳米晶电铸。讨论了锰含量、电流密度和添加剂等因素对电铸层晶粒尺寸和表面形貌的影响。 相似文献
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纳米晶精密电铸技术的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
采用高频脉冲电流、高速冲液及加入有机添加剂等细化晶粒方法,开展了纳米晶精密电铸技术的试验研究。分析、研究了过程参数及添加剂对沉积层的晶粒尺寸及微观硬度和耐腐蚀性的影响。结果表明,采用上述细化晶粒方法,可制备出晶粒最小尺寸为20nm的电铸沉积层;随着晶粒尺寸的减小,沉积层微观硬度和耐腐蚀性能得到了明显提高。 相似文献
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测试了不同增强颗粒质量分数的纳米CeO2/Zn-4.5Al-RE复合材料的力学性能,测定了柱形试样熔化前后的高度变化率,讨论了复合材料的表观粘度,并研究了纳米CeO2含量对两者的影响规律.结果表明:CeO2的加入提高了基体的力学性能,当其含量为3%时,复合材料的维氏硬度、弹性模量和抗拉强度分别达到96.7 HV,17.1 GPa和176.5 MPa,较基体分别提高了41.2%,34.6%和34.2%,而伸长率则降低了4.6%;随着CeO2含量的增加,复合材料的高度变化率△H/H0大大降低,粘度急剧增大. 相似文献
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采用超声-脉冲电铸工艺在覆铜板表面的微区域内制备了镍铸层,用扫描电镜观察镍铸层的表面形貌,并采用Image Tool软件测量了镍铸层的平均晶粒尺寸,研究了超声波功率及方向、脉冲平均电流密度、脉冲占空比等对镍铸层晶粒尺寸的影响。结果表明:其他条件相同时,双向(y向和z向)超声波制备镍铸层的晶粒尺寸小于相同功率单向(y向或z向)超声制备的;随着超声波功率、脉冲平均电流密度的增大,镍铸层的晶粒尺寸先减小后增大;当脉冲占空比由10%增大到30%时,晶粒尺寸由0.97μm增大到3.32μm。 相似文献
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采用正交试验方法进行四因素三水平试验,对试验样品的显微硬度、拉伸强度及内应力进行了测量,并对其进行XRD测试分析。结果显示,最佳的四因素水平为氯化镍15g/L、电流密度3A/dm2、十二烷基硫酸钠为0.5g/L、糖精为0.4g/L。 相似文献
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