等离子体增强化学气相沉积氮化钛薄膜

等离子增强化学气相沉积法(PCVD)是在物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的一种沉积方法。它兼有 PVD 和 CVD 方法的优点。介绍了 PCVD的原理和所研制的一台 PCVD 设备。分析了用 CVD 法和 PCVD 法制备的硬质膜的性能。所分析的性能有:显微硬度、抗弯强度、粘结牢度、机加工性能。     

纳米硅薄膜制备技术进展

本文综述了纳米硅薄膜制备新技术的进展。着重介绍了高氢稀释硅烷蚀刻法，微波氢基团增强化学气相沉积，逐层法和高频数值等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅薄膜的沉积过程和生长机制．本文指出氢基团为各项新技术发展的关键并将在今后纳米硅薄膜制备技术发展中起重要作用。     

SiC薄膜制备工艺进展

本文综述了ＳｉＣ薄膜的制备工艺及进展，介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各处ＳｉＣ薄膜的制备方法，简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响，评述了各种制备工艺的优缺点。     

金属纤维阵列的制备技术

为了更好地应用现有的金属纤维阵列制备技术并探究其未来发展趋势,介绍了气-液-固、拉制、模板、化学气相沉积、金属表面氧化还原等制备技术的基本原理和研究现状,重点评述模板法和化学气相沉积法,并指出其优势与不足.研究结果表明,模板法和化学气相沉积法是当前众多技术手段之中较实用的金属纤维阵列制备方法,其产品具有金属种类多样和尺寸可达纳米级的特点,发展前景良好.改进模板法和化学气相沉积法是金属纤维阵列制备技术的重要发展方向.     

纳米铜的制备及应用研究

纳米铜由于具有优异的物理、化学方面的性质且比其它贵金属如银粉等低廉得多的价格,其制备及应用研究成果层出不穷.按照固相法、气相法以及液相法分类别着重介绍了制备纳米铜粉的主要方法,包括球磨法、物理气相沉积法、γ射线法、微乳液法、电解法和还原法等,并概述了各种制备方法当前的研究进展及制备过程中的优缺点.还进一步展望了纳米铜粉作为催化剂、润滑油和导电涂料在各个领域的应用前景.     

碳纳米管MPCVD和TCVD制备的比较分析

碳纳米管主要的制备方法是化学气相沉积法(CVD).采用CVD法中最主要的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)和热化学气相沉积法(TCVD)制备出定向的碳纳米管.并从制备工艺,场发射性能和SEM结构等方面对两种方法进行比较分析,得出对碳纳米管制备有一定指引和借鉴意义的结论.     

硅基SiC薄膜制备与应用研究进展

碳化硅（SiC）材料具有极为优良的物理、化学及电学性能,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用,碳化硅还是极端工作条件下微机电系统（MEMS）的主要候选材料,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。同时,碳化硅有与硅同属立方晶系的同质异形体,可与硅工艺技术相结合制备出适应大规模集成电路需要的硅基器件,因此用硅晶片作为衬底制备碳化硅薄膜的工作受到研究人员的特别重视。本文综述了近年来国内外硅基碳化硅薄膜的研究现状,就其制备方法进行了系统的介绍,主要包括各种化学气相沉积（Chemical vapor deposition,CVD）法和物理气相沉积（Physical vapor deposition,PVD）法,并归纳了对硅基碳化硅薄膜性能的研究,包括杨氏模量、硬度、薄膜反射率、透射率、发光性能、电阻、压阻、电阻率和电导率等,以及其在微机电系统传感器、生物传感器和太阳能电池等领域的应用,最后对硅基碳化硅薄膜未来的发展进行了展望。     

钯金属薄膜制备方法的研究现状与进展

近年来,钯金属薄膜由于具有电阻率低和催化活性高等优异性能引起人们的广泛关注,钯及其合金薄膜在集成电路互连应用、氢传感、储氢和催化方面获得了越来越多科研工作者的兴趣。目前已有诸多制备钯金属薄膜的研究,本文重点介绍了利用物理气相沉积技术、化学气相沉积技术、原子层沉积技术以及等离子体辅助原子层沉积技术制备钯薄膜的研究现状,讨论了各种制备方法的优缺点,对所使用的前驱体作了总结,并展望了钯薄膜制备技术未来发展趋势。     

薄膜的光化学气相沉积

光化学气相沉积(光 CVD)是一种继低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子体化学气相沉积(PECVD)之后的又一项新的低温成膜工艺。首先介绍了光化学气相沉积的物理基础,然后重点介绍了光化学气相沉积的实验方法,最后简要介绍了光化学气相沉积在薄膜制备中的一些应用。     

纳米铜的制备及应用研究

纳米铜由于具有优异的物理、化学方面的性质且比其它贵金属如银粉等低廉得多的价格，其制备及应用研究成果层出不穷。按照固相法、气相法以及液相法分类别着重介绍了制备纳米铜粉的主要方法，包括球磨法、物理气相沉积法、γ射线法、微乳液法、电解法和还原法等，并概述了各种制备方法当前的研究进展及制备过程中的优缺点。还进一步展望了纳米铜粉...     

适用于TERS系统的金修饰钨丝探针制备和研究

提出了一种适用于针尖增强拉曼光谱(TERS)系统的金修饰钨丝探针,研究了其制备方法。有限元仿真设计了针尖的形状为内弧形针尖,并进行二氧化硅粘结层和金颗粒外层双镀膜结构纳米修饰;通过调节实验室自主研制的电化学腐蚀探针装置的溶液浓度、电机位移和浸入深度制备符合形状要求的钨丝针尖;在此基础上,通过电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICP-CVD)进行二氧化硅涂层镀制,电子束加热物理气象沉积技术(EB-PVD)进行金涂层镀制。最终完成该探针制备,双层镀膜后针尖曲率半径达30~80nm,可用于TERS研究。     

碳纤维涂覆碳化硅的研究

为了改善碳纤维的抗氧化性能和阻止碳纤维与金属在高温下的化学反应,在碳纤维表面涂覆碳化硅是一种较好的办法。本研究采用化学气相沉积法,在碳纤维表面连续涂覆碳化硅,研究其工艺参数时涂层厚度及涂层成分与结构的影响,得到了该反应体系的表观活化能约为165KJ/mol及碳化硅的结构主要是β型。还着重分析了碳纤维涂覆后强度下降的主要原因,并提出了改进措施。     

硅纳米线的制备与生长机理

硅纳米线是一种新型的一维半导体光电材料.本文较系统地介绍了硅纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展,主要就激光烧蚀法、化学气相沉积法、热气相沉积法及溶液法等制备方法和基于气-液-固机理的生长机理、氧化物辅助生长机理及固-液-固生长机理等作了较为详尽的论述.     

硅钢绝缘涂层的研究进展

本文系统介绍了取向硅钢与无取向硅钢表面绝缘涂层，包括有机涂层、无机涂层和半无机涂层三大类。无机涂层具有良好的耐热和焊接性能，但其冲制性和粘结性不佳。半无机涂层具有良好的冲制性和粘结性，但其耐热性和焊接性不及无机涂层。另外，最新研究的取向硅钢表面物理气相沉积ＴｉＮ、ＣｒＮ和ＴｉＣ绝缘涂层可使硅钢获得极低的铁损，大大提高了硅钢的磁通量密度，并具有优异的耐热、焊接、冲制和粘结性。     

沉积扩散法制备高硅钢

高硅钢(6.5%(质量分数)Si)是一种具有高磁导率、低矫顽力和低铁损等优异软磁性能的合金.但高硅钢的室温脆性和低的热加工性能严重影响了其在工业领域的应用.综述了化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、电泳沉积、熔盐电沉积、电子束物理气相沉积及激光熔覆等6种沉积扩散法制备高硅钢的工艺和参数,从工艺路线、反应机理分析和性能的改善等几方面,概述了各种方法的研究现状和主要的优缺点,并简要论述了其发展前景,指出了今后的主要研究方向.     

硅基单结太阳能电池的制备技术、缺陷及其性能的研究

首先综述了硅基单结太阳能电池的分类、制备方法及进展,介绍了化学气相沉积法、液相外延法(LPPE)、金属诱导结晶法(MIC)、磁控溅射法以及分子束外延法等各种硅基太阳能电池的制备方法,阐述了各种制备工艺的优缺点。其次,总结了单晶硅、多晶硅以及非晶硅太阳能电池在组织结构、缺陷方面的研究现状。最后,对硅基太阳能电池的机械、电学、光学以及光电性能等方面的研究进展做了论述。     

Characterization of silicon oxide gas barrier films with controlling to the ion current density (ion flux) by plasma enhanced chemical vapor deposition

Silicon oxide gas barrier films were deposited on polyethylene terephthalate (PET) substrates by plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) for applications to transparent barrier packaging. The barrier properties of the silicon oxide coated film were optimized by varying the bias conditions and input power in the radio frequency plasma. The plasma diagnostics, ion current density and substrate temperature were characterized by optical emission spectrometry (OES), an oscilloscope and thermometer, respectively. The coating properties were examined by Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy and the water vapor transmission rate (WVTR). A high intensity of O and H ions and a high ion current density (ion flux) with a low temperature plasma process were found to be suitable for improving the barrier properties of the silicon oxide film coatings. The Si-O cage-like structure adversely affected the gas barrier properties of the deposited coating. The energy provided by ion bombardment (ion flux) can induce changes in the film density and composition similar to those that may occur by the increase in deposition temperature through rf bias. In addition, the film properties depend not only on a high ion current density (ion flux) and input power, but are also related to a silicon oxide film with a widely distributed planar ring size.     

镁锂合金表面处理技术研究现状及展望

镁锂合金具有优异性能,是部件轻量化的理想材料,但镁锂合金极易腐蚀,其应用受到限制。为提高镁锂合金耐蚀性,国内外对其表面处理进行了研究。综述了国内外镁锂合金表面处理技术的研究现状,介绍了化学转化、阳极氧化、金属镀（涂）层、气相沉积、有机涂层等表面防护技术的研究进展,并展望了镁锂合金表面处理理论与技术的发展趋势。     

Optimization of PECVD silicon oxynitride films for anti-reflection coating

In this work, amorphous silicon oxynitride films were deposited on silicon substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The main purpose was to use silicon oxynitride film as a single-layer anti-reflection coating for Si-based optoelectronic devices. The chemical information was measured by infrared spectroscopy. Surface and cross-section morphology was determined by a scanning electron microscope. Spectroscopic ellipsometry (SE) was applied to measure the refractive index, extinction coefficient and thickness. The results of SE presented the refractive indices varied in the range of 1.83-1.92 by altering SiH₄/NH₃ ratio. One-side polished silicon substrate coated with silicon oxynitride film exhibited low reflectance, and two-side polished silicon substrate coated with silicon oxynitride film exhibited high transmittance. The results suggested that silicon oxynitride film was a very attractive single-layer anti-reflection coating.     

空心叶片内腔化学气相沉积设备及抗氧化涂层研究

由于高效气冷空心叶片内腔的结构越来越复杂,采用物理气相沉积(PVD)和等离子喷涂(PS)技术不能进行空心叶片内腔冷却通道的涂层防护,化学气相沉积可以进行冷却通道内表面抗氧化涂层的防护.通过CVD涂层设备的研制、涂层沉积工艺、高温涂层性能等研究,对内腔涂层的涂覆机理、工艺方法和内腔涂层的应用进行了讨论.结果表明:研制的CVD设备可靠、工艺参数稳定、内腔表面涂层涂覆达到100%,所研究的化学气相渗铝涂层具有优良的高温抗氧化性能,其在先进航空发动机高效气冷空心叶片内腔表面有很好的工程应用前景.