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基于以太网的CMOS传感器图像监测系统 总被引:1,自引:0,他引:1
采用网络控制芯片DM9008作为通信接口开发了一种基于以太网的图像监测系统.用专用图像处理芯片、利用高速单片机及FPGA技术、CMOS图像传感器技术进行实时图像信号的采集和处理,图像经过处理后通过以太网传输至PC机端接收、解压、管理和显示.实验表明:这种系统的设计灵活性好、柔性强,以太网控制器实现图像的数据传榆使系统数据传输速度和稳定性大大提高,软件设计时的模块化结构使系统的通用性和可移植性增强,也有利于功能扩展. 相似文献
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基于USB2.0及GPIF的CMOS图像传感器视频实时采集系统 总被引:2,自引:0,他引:2
应用Hynix Semiconductor Inc.的HV7131R CMOS图像传感器为光电成像器件,通过USB2.0控制器cv7c8013以通用可编程接口GPIF MASTER模式实现与传感器的无缝连接,在isochronous传输方式下采用Auto-In(自动打包)工作机制实现了串行总线对图像系统数据的实时传输。设计了结构简单、高效的适用于高速图像采集的硬件系统.并编写了基于多线程技术的软件系统。阐述了CMOS图像传感器的一般特征,详细介绍了RGBCMOS图像传感器芯片HV7131R的性能、特点及工作原理。并对GPIF的原理、应用做了详细说明。 相似文献
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用EZ-USB FX2接口控制器,建立CMOS数字图像传感器与PC机之间的USB2.0数字视频信号传输通道,实现从摄像头到PC的高速传输;利用流媒体开发包DirectShow,实现视频的捕捉与显示;再利用Visual C++软件编程对PC端采集到的图像进行分析,详细讨论了程序设计过程。从而构成视频流实时采集与显示,图像MTF、亮度、疵点等参数的检测与分析系统。 相似文献
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CMOS图像传感器中卷帘式快门特性及其应用 总被引:3,自引:0,他引:3
结合CMOS图像传感器研究了CMOS图像传感器卷帘式快门的具体应用.介绍了卷帘式快门的特点和工作原理,分析了具有卷帘式快门的CMOS图像传感器的成像特性,并对其进行了成像实验.探讨了一种利用卷帘式快门相机拍摄的单精度视图来计算高速物体在三维空间中的位姿和速度的新方法.最后,提出了一个运动目标的透视投影模型,讨论了估计目标位姿和速度的方法.实验结果表明:具有卷帘式快门的CMOS图像传感器对运动物体成像时会产生一定程度的畸变,畸变的程度与积分时间等传感器参数的设置有关.在误差最小化的情况下得到了运动物体的位姿和速度参数,计算误差在2.5%以内,测量精度为0.01 rad/s.对实验结果的分析证明了方法的可行性.这种计算方法能够使得低价格、低耗能的CMOS相机转化为一种新的速度传感器. 相似文献
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介绍了基于CMOS传感器的图像采集与智能车赛道信息提取的方法.给出了边缘检测算法的程序流程图,并采用加权最小二乘法拟合直线的方法,判断当前赛道的信息.实验表明,该方法简便可靠,能够满足智能车路径识别的需求. 相似文献
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以CPLD XC 95144作为核心控制器,采用CMOS数字图像传感器和LVDS接口技术开发了一种低功耗图像采集系统,在分析了LVDS接口芯片DS90C 124和CMOS数字图像传感器MT9V011的工作时序的基础之上,用VHDL编程对相关驱动电路进行了仿真和调试,实验结果表明,该系统具有功耗低、可靠性高等优点,可广泛应用于图像处理系统中。 相似文献
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基于CMOS制造工艺的电容型湿度传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种基于CMOS制造工艺的电容型湿度传感器,详细讲述了制作过程.通过引入平行板电容模型和水分子吸附模型研究了其工作机理,通过实验对其湿容特性、响应特性、湿滞等参数做了测试与分析.制作过程中的难点在于聚酰胺酸膜的亚胺化以及聚酰亚胺的光刻工艺. 相似文献
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文中介绍了应用于高光谱地球观测的CMOS有源图像传感器。该器件由全局曝光模式的像素组成512×256面阵,可实现450帧/s的帧频。全局曝光模式是由在光二极管外增加1个储存电容的方式实现的。该器件采用0.5μm标准CMOS工艺,满阱电子达到140 000电子,瞬态噪声29电子,动态范围74 d B。采用该器件开发的高光谱成像仪的空间及频谱分辨率具有很高水平。 相似文献
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针对EMVA 1288标准测试辐照后互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的重要性能参数(光子转移曲线和转换增益)适用范围受限的问题,提出了针对辐照后CMOS图像传感器光子转移曲线和转换增益的改进的测试方法。该方法通过调整测试条件,限制辐照后CMOS图像传感器的暗电流和暗电流非均匀性噪声,求解出辐照后正确的器件性能参数,从而直观地得知辐照所引起的器件性能变化。利用该方法进行了实验测试,结果显示:辐照导致转换增益比辐照前退化了7.82%。依据此结果分析了辐照导致光子转移曲线和转换增益退化的机理,认为转换增益的退化是由于质子辐射引起的电离效应和位移效应导致暗电流、暗电流非均匀性增大所致。本文为掌握CMOS图像传感器的空间辐射效应提供了理论基础。 相似文献