1990年 IEEE GaAs集成电路讨论会概况

<正>1990年IEEE GaAs IC讨论会于10月7日至10日在美国New Orleans市希拉顿饭店举行.会议共进行了三项议题,10月7日举行了题为“高级GaAs数字IC技术”的短期教程;次日进行大会报告和分组报告;报告的同时,还举办了一个小型展示会.会议共收到各类论文85篇,其中日本22篇,美国59篇,其它地区4篇.涉及GaAs数字集成电路、微波毫米波单片集成电路、新器件技术、电路设计、制造技术、测试及封装等领域.     

1987年IEEE GaAs IC会议概况

<正> 第九届IEEE GaAs IC会议于1987年10月13日至10月16日在美国俄勒冈州波特兰市召开。参加会议的有美国、日本、西德、法国、英国、中国、意大利、挪威等国代表共760余人,他们分别来自大学、研究部门、公司等240多个单位。 IEEE GaAs IC会议是一个规模较大的国际性学术年会,会议反映了当前世界上GaAs IC的研究动向和最新成果。今年向大会提交的论文摘要共143篇,在会上宣读的论文共63篇(5篇特邀报告),其中毫米波、微波集成电路约占30％,数字集成电路约占30％,摸拟集成电路占10％,其余文章的内容涉及到与GaAs IC有关的工艺和技术,例如材料、器     

GaAs集成电路辐照效应试验研究

GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研究,主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率辐照试验研究,对GaAs集成电路的耐辐照性进行了探讨,为建立中等规模耐辐射GaAs IC的电路设计、工艺制造和测试技术平台奠定了基础.     

离子注入高频高速GaAs集成电路技术

本文评述了n型掺杂的GaAs离子注入技术,重点是器件的应用,讨论了半绝缘GaAs衬底的选择和注入后的退火技术。描述了一种用于高频高速器件的重复性极好、成本低的离子注入加工技术。讨论了这种加工技术向高速GaAs数字集成电路和单片微波集成电路方面的发展情况,并着重介绍最终能生产大规模集成电路的小功率电路的设计思想。     

制造GaAs圆片新工艺

美国推出一种制造GaAs圆片新工艺——垂直布里奇曼工艺(VB)。该方法起初用于发光二极管、固态激光器和太阳能电池等光电器件。后来进一步推广应用至数字IC、模拟IC和光电IC。最近应用于制造GaAs圆片。与其它制造方法比较,该方法具有制造大直径材料的能力,制造出来的圆片在质量的均匀性方面都有明显的提高。该方法具备目前制造     

高速GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管集成电路

叙述了几种用GaAs/GaAlAs异质结双极晶体管制造的高速集成电路。在这些集成电路中根据GaAs/GaAlAs异质结双极晶体管的优良性能,把电路的开关时间做得很短。简单地讨论了影响电路速度的几个因素。     

采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路

本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。     

IC相关知识

集成电路（IC）于1958年由美国德克萨斯仪器公司(TI)发明，随着硅平面技术的发展，20世纪60年代又先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的、具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业—集成电路产业。IC的分类IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC。其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。数字IC即传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专用数字IC。通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型…     

1987年IEEE GaAs集成电路会议概况

<正> 1987年IEEE砷化镓集成电路会议于1987年10月13日至16日在美国俄勒岗州波特兰市的希尔顿饭店召开,来自美、日、英、法和中国等国的代表共765人参加了会议。大会共收到论文143篇,比上届增加13％。会上共发表了58篇论文,另有5篇特邀报告;其中,约30％的文章是数字IC方面的,30％是毫米波和微波IC方面的,10％为模拟电路,其余30％是与其相关的工艺技术方面的文章,如材料、工艺、测试及可靠性等。在会前还举办了短训班,今年短训班的题目是:“微波单片电路的设计和应用”,它分四个专题:1)材料制造,2)工艺技术,3)可靠性,4)工艺控制。14日晚上还举行了分组讨论会,分下列四个专题进行讨论:1)GaAsIC和MMIC的可靠性,2)GaAs IC的光学测试,3)GaAs MMIC和毫米波IC的生产性检测,4)GaAs/Si是否已适用于GaAs IC?在会上和小组讨论会上,代表们进行了广泛、热烈的讨     

简讯

东芝出售的光通信GaAs集成电路日本东芝公司研制成一种能同时传输相当100路信道的高清晰度电视图象、处理的信息量是目前高速数字通信网络器件6倍的光通信GaAs集成电路(IC)。这种GaAs是用于大量传输电信息处理IC。它有二个品种:多路调制器和多路分离器。     

半导体器件

Y2002-63011 0212673IEEE GaAs 集成电路会议录=IEEE GaAs IC sympo-sium[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—266P.(E)本会议录收集了在华盛顿州 Seattle 召开的 GaAs集成电路会议上发表的56篇论文,内容涉及     

GaAs、InP集成电路技术的发展——1992年IEEE GaAs IC讨论会评述

本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况,并依据这次国际会议所发表的论文,以GaAs、InP集成电路的技术路线为主线,介绍和评述了GaAs基PHEMT,HBT,MESFET以及InP基HEMT、HBT等集成电路的现状与发展。     

GaAs与Si超高速数字集成电路的性能比较

本文介绍了GaAs与Si超高速数字集成电路(数字VHSIC)目前的进展情况。从材料特性、器件结构及高速集成电路的应用等方面对GaAs与Si数字VHSIC的性能进行了初步比较。探讨了GaAs与Si数字VHSIC的发展潜力及存在的主要问题。     

GaAs,InP集成电路技术的发展——1992年IEEE GaAs IC讨论会评述

本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况，并依据这次国际会议所发表的论文，以GaAs,InP集成电路的技术路线为主线，介绍和评述了GaAs基PHEMT，HBT，MESFET以及InP基HEMT，HBT等集成电路的现状与发展。     

GaAs单片集成电路超宽带低噪声放大器

<正> 一、序言 GaAsFET作为有低噪声、高增益特征的微波放大器,正在不断地开展着研究,现在已处在实用化阶段。最近几年,使其更加发展的GaAs单片集成电路化的工作日趋活跃。 GaAs集成电路(简称IC)首先从千兆赫分频器等高速逻辑着手,但最近几年正在向除此之外的模拟IC范围扩大。考虑到模拟IC中的宽带放大器在各种无线电设备前端等的     

GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。     

GaAs高速集成电路内部动态特性直接电光采样检测

研制成功GaAs高速集成电路直接电光采样测试系统.采用共轴反射式光路,对样品进行背面直接采样.用研制的微波探针在片驱动GaAs高速数字集成电路管芯,使之处于正常工作状态.测试系统的时间分辨率高于20ps,空间分辨率为3μm.利用该系统在片检测了GaAs高速数字集成电路动态分频器内部的高速电信号.     

集成电路用的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管

利用分子束外延(MBE)和离子注入来制造隐埋宽禁带发射区的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管。倒置型的电流增益约为100,表明了这种技术用于I~2L型数字集成电路的可行性。     

GaAs超高速数字集成电路测试研究

本文简要介绍了GaAs起高速数字集成电路(VHSIC)测试技术的国际发展水平。对比较法测试系统中阻抗匹配与高频时钟信号的传输特性展开了深入的讨论,并给出了典型的GaAs BFL门瞬态性能的测试结果。使用此系统测出的SZ系列四种GaAs BFL门电路产品通过了专家级定型鉴定,为国内首批定型的VHSIC。     

砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性

SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要的影响。 离子注入掺杂(在SI—GaAs中形成有源层、欧姆接触层、电阻层等),是制造GaAs集成电路的关键工艺。由于GaAs(具有一定极性的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体)与Si(非极