EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜研究

研究了《100》单晶硅在EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜,在EPW腐蚀液中因《100》单晶硅腐蚀速率各向异性,在圆形掩膜下很难实现圆形单晶硅膜.基于EPW腐蚀液中《100》单晶硅存在严重凸角削角,采用带锯齿(9个、20个、36个)结构的齿轮掩膜图形腐蚀制作近似圆形硅膜,通过采用SEM观察,随腐蚀时间增加,圆形掩膜EPW腐蚀后硅膜为近似方形,而带有36个锯齿结构的齿轮掩膜腐蚀后硅膜近似圆形.结果表明,利用掩膜锯齿结构在EPW腐蚀液中存在凸角削角现象,能够实现近似圆形硅膜的制作.     

硅各向异性腐蚀技术研究

针对两种补偿结构探讨了硅的凸角腐蚀补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了好的直角凸面补偿效果。     

四甲基氢氧化铵：异丙醇：水系统对硅的各向异性腐蚀

本文研究了在25%的四甲基氢氧化铵水溶液(TMAHW)中加入异丙醇(IPA)构成的腐蚀系统对硅的各向异性腐蚀特性.研究发现:在异丙醇含量从0%到80%体积比的广大范围内,溶液对硅均有显著的腐蚀作用,且表面质量比纯TMAHW的更好.实验给出了腐蚀速率、削角比和各向异性比R_(100)/R_(111)等参数与IPA含量的关系,结果表明:50%体积IPA与50%体积TMAHW构成的溶液存在腐蚀速率的极大值、削角的极小值和最大的各向异性比及R_(100)/R_(111).因之按此比例配制的新腐蚀液具有表面质量好,与MOS工艺相容以及低成本的优点.     

TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究

研究了TMAH溶液中(110)硅片在不同几何形状掩膜窗口下的各向异性湿法腐蚀行为,探讨了(110)硅在TMAH与不同添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)构成的腐蚀系统下的腐蚀特性.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)观测(110)硅的腐蚀坑腔结构,利用扫描探针显微镜(SPM)测量(110)硅腐蚀的表面粗糙度.结果表明:(110)...     

TMAH腐蚀液制作硅微结构的研究

通过各向异性腐蚀硅微结构工艺,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)晶面腐蚀速率与TAMH溶液浓度、温度、pH值以及过硫酸铵添加剂的关系,并采用原子力显微镜研究了不同腐蚀条件下硅的表面形貌,研究表明:随TMAH溶液的浓度的降低和腐蚀温度的提高,腐蚀速率提高,硅腔的表面粗糙度增大;过硫酸铵添加剂明显改善了硅微腔的表面平整度.本研究所确定的最佳腐蚀工艺条件为:溶液中TMAH浓度为25%,过硫酸铵添加剂浓度为3%,腐蚀温度80℃.在此工艺条件下腐蚀出了深度为230 μm、表面粗糙度小于50 nm的硅微腔.     

基于BOE硅腐蚀现象的硅纳米线制作

介绍一种硅纳米线制作方法.在SOI顶层硅上制作硅纳米梁,通过离子注入形成pnp结构,利用新发现的没有特殊光照时BOE溶液腐蚀pn结n型区域现象,结合BOE溶液氧化硅腐蚀,实现硅纳米线制作.制作完全采用传统MEMS工艺,具有工艺简单,成本低,可控,可靠性好,可批量制作等优点.利用该方法制作出了厚50 nm,宽100 nm的单晶硅纳米线,制作的纳米线可用于一维纳米结构电学性能研究、谐振器研究等.     

硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法

针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计。     

改进的硅各向异性腐蚀GPU并行模拟

硅各向异性腐蚀过程复杂,采用元胞自动机模拟硅各向异性腐蚀非常耗时。为了加速腐蚀模拟过程,研究了基于图形处理器(GPU)进行硅的各向异性腐蚀模拟。针对串行算法直接并行化方法存在加速效率低等问题,提出了一个改进的并行模拟方法。该方法增加了并行部分的负载,减少了内存管理的开销,从而提高了加速性能。实验证明该方法能够获得较理想的加速比。     

四甲基氢氧化按 异丙醇 水系统 对硅的各向异性腐蚀

本文研究了在的四甲基氮氧化按水溶液中加入异丙醉构 成的腐伙系统对硅的各向异性腐性特性研究发现在异丙醉含童从。到即体积比的 广大范围内, 溶液对硅均有显著的腐蚀作用, 且表面质量比纯的更好。实验给 出了腐性速率、削角比和各向异性比。。等参数与含堂的关系结果表明。 休积与体积构成的溶液存在腐蚀速率的极大值、削角的极小值和最 大的各向异性比。, 因之按此比例配制的新腐蚀液具有表面质量好, 与工艺 相容以及低成本的优点     

传感器的微机械加工中各向异性腐蚀过程的计算机模拟

本文介绍传感器微机械加工中使用的各向异性腐蚀的计算机模拟。     

KOH湿法腐蚀中防金属腐蚀工艺研究

介绍了一种采用PROTEK材料作为保护层,在MEMS器件体硅湿法腐蚀加工工艺中保护金属电极的新工艺。采用这种新的工艺可以在MEMS体硅工艺传感器的加工过程中,完成所有IC工艺的加工后再进行MEMS体硅工艺的加工。实验结果表明:采用这种新的材料进行KOH腐蚀工艺的金属表面保护,既可以提高工艺加工效率,又可以提高工艺加工质量。该工艺可以广泛应用于MEMS体硅工艺中KOH湿法腐蚀的工艺加工,也可以应用于光电子器件的工艺加工。     

肼对硅片的各向异性腐蚀技术研究

采用肼水溶液在各种条件下对硅片进行腐蚀 ,通过分析与腐蚀速率有关的因素 ,即改变腐蚀溶液温度和肼的质量分数 ,来提高腐蚀速率。整个实验过程实质就是寻求最佳腐蚀工艺条件 ,从而提高硅片的表面质量。     

各向异性腐蚀技术研究与分析

本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法,根据实验提出了它们的优缺点,介绍了几种向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法,对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义。     

硅杯腐蚀技术的研究

本文在大量实验的基础上,对微压传感器中硅杯形成的各向异性腐蚀技术的机理进行了详细分析,提出了几种切实可行的膜厚控制方法与正面图形的保护方法.对实验结果进行了分析与讨论,提出有价值的结论.     

微机械加工技术-硅的各向异性刻蚀

简要介绍了在强碱溶液中硅的各向异性刻蚀性质和凸角补偿技术。     

双E 型硅加速度传感器的研制􀀁

本文在简要介绍了,利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的,双E非整体弹性膜式硅芯片结构的同时,又较详细的报告了,用此芯片封装成的硅加速度敏感元件及硅加速度传感器结构,最后介绍这种加速度传感器的优良性能。     

硅基材料的各向异性刻蚀工艺研究

穿透硅通孔技术是实现3-D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用SF6和CF4、SF6和C4F8、SF6和O2三组不同组合气体,对硅基材料进行交替复合深刻蚀,获得了不同组合气体对硅的横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率,实现了对硅的各项异性刻蚀,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。     

无掩模腐蚀下的凸角削角及补偿研究

在使用无掩模腐蚀制作硅微机械结构时，其结构凸角的削角特性有地常规有掩模腐蚀时的情况。本文通过分析和实验，研究了该情况下凸角削角尺寸的变化规律和特点，并给出了对其进行补偿的原则和方法。     

基于原子模型的各向异性腐蚀模拟方法对比分析

分析了蒙特卡罗方法和元胞自动机法在微加工中各项异性腐蚀的特点和过程,开发了仿真系统,分别使用两种方法模拟使用掩模下的硅微加工过程.通过使用掩模获得的两个微结构的仿真结果,对元胞自动机和蒙特卡罗法的基本结果和特性进行了讨论和分析.两种方法在一定程度上都能正确地反映了实验的结果,元胞自动机在系统结构初步设计中能发挥更大的作用,而蒙特卡罗法能获得细致的表面结构,粗糙度等数据,在小尺度分析上具有更强的模拟能力.     

采用TMAH 腐蚀液形成正方形硅杯的粗糙度 与腐蚀速率的研究与分析

TMAH是一种新型的、性能优异的各向异性腐蚀液。本文通过大量对比实验对TMAH腐蚀液用于 <10 0 >、<111>单晶Si片不同电阻率、不同晶向的样品研究了粗糙度和腐蚀速率 ,得出重要结论。此研究对正确使用TMAH腐蚀液有重要指导意义。