碲化镉太阳电池投入市场

美国的阿曼塔克公司最近研制成一种碲化镉薄膜太阳电池,电池组件已通过加速寿命试验,稳定性良好。组件的转换效率达5％,实验室效率是8％。该公司为此建成了一条10千瓦容量的电池生产线,所生产之电池全     

碲化镉薄膜太阳电池的产业化

回顾了龙焱能源科技(杭州)实施多晶CdTe薄膜太阳电池产业化的一些成果。龙焱已经先后建成了R&D实验线、中试线和生产线。在R&D实验线和中试线上制备出效率大于14%的3’’×3’’小型组件,并成功研发了一系列新型生产工艺和关键设备,建成一条全自动化的30MW CdTe薄膜光伏组件生产线,生产线显示出高的生产率及优品率,所生产的0.6m×1.2m的组件平均效率超过11.4%,并具有良好的稳定性。     

晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一，本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏。应在保证p／n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。     

得可太阳能推出新一代太阳电池丝网印刷设备

在5月5日开幕的上海SNEC太阳能光伏展会上,英国得可(Dek)太阳能推出了PV3000光伏太阳电池丝网印刷生产线.这是得可公司运用最新技术研制出的超越目前太阳电池制造要求的新型生产设备.     

丝网印刷电极多晶硅太阳电池的低能氢离子注入

本文报道了低能氢离子轰击具有丝网印刷电极结构的多晶硅太阳电池的钝化结果。研究了氢离子注入后单晶硅样品注入层的折射率N、吸收系数α和光学禁带宽度E_g的变化情况。结果表明,经氢离子处理后,多晶硅电池的开路电压增加10mV以上,短路电流密度增加12%-27％,暗特性也有明显改善,但串联电阻升高,填充因子F.F.衰减;单晶样品的折射率明显下降,吸收系数增至10~5/cm数量级,光学禁带宽度由1.1eV增至1.3eV。     

高效碲化镉薄膜太阳电池的研究

在康宁玻璃衬底上用磁控溅射法制备CTO(CdSnO_4)透明导电薄膜,再依次沉积CdS、CdTe、ZnTe∶Cu薄膜和背电极Au,重点研究蒸汽输运法沉积CdTe薄膜的质量和均匀性,采用光流明谱PL测试CdTe薄膜内部的深/浅能级的信息,采用深能级瞬态谱DLTS和变幅电容分布DLCP技术表征了CdTe电池内部杂质能级的位置、俘获截面和密度。在此基础上,优化各层薄膜的制备参数,优化ZnTe∶Cu背接触层的退火工艺,获得转换效率为16.73%的0.5 cm2的碲化镉薄膜太阳电池。     

全玻璃封装的硫化镉薄膜太阳电池

用普通窗玻璃作为硫化镉薄膜太阳电池的衬底和囊封材料,制备了供地面条件下使用的全玻璃封装的太阳电池。初步解决了氧化造成的衰降。6.15厘米~2电池的转换效率为5.63％。51厘米~2大面积电池最高转换效率达4.7％。对铬-银衬底、单层减反射膜的应用以及未来电池的成本进行了讨论,认为有可能把峰值功率成本降到1元/瓦左右。     

太阳电池丝网印刷工艺中网板单边抬头功能对印刷质量的提升

通过介绍丝网印刷工艺中网板单边抬头功能保证浆料脱离角度和速度的一致性,进而提升电池片印刷质量。     

用硫化镉太阳电池供电的喷雾器

这里介绍的是一种用薄膜硫化镉太阳电池供电的超微量喷雾器(图1),其结构如图2所示,它主要由四部分组成:     

银浆组成对硅太阳电池丝网印刷欧姆接触的影响

通过作图的传输线法测定比接触电阻率,定量地研究硅太阳电池正面电极用银导电浆料中银粉颗粒大小和玻璃相组成对银电极/硅表面欧姆接触的影响.结果表明,随着银导电浆料中银粉颗粒尺寸的增大比接触电阻下降,形成较好的欧姆接触;当玻璃相中铅含量增加时,在一定的烧结温度下,比接触电阻率减小.     

得可携手朗仕推出尖端太阳电池丝网印刷生产烘干技术

<正>得可太阳能和朗仕电子设备公司近日公布最新的合作成果:就是研发出一个能提升先进的PV3000太阳能丝网印刷生产线产能的创新烘干系统。这次通过与在市场上技术领先的丝网印刷和热能技术专家的合作,在太阳电池生产领域取得重大突破,将精密的热能控制、改良的VOC管理以及降低能耗结合起来——呈现在单一的生产设备上。     

硫化镉太阳电池成结机理的探讨

本文讨论了硫化镉太阳电池p-n结的形成机理。根据所提出的模型及假设,计算了铜—硫化学比的失配量与掺杂浓度的关系和铜处理工艺中蒸铜层的厚度,采用误差补函数扩散模型计算了结深的增长速率。根据予腐蚀电镜照片的形貌,分析计算了结表面的增加量,认为结面积的增加不会使电池的开路电压下降。最后,把计算结果与有关文献及实验数据作了比较。     

得可携手朗仕推出尖端太阳电池丝网印刷生产烘千技术

得可太阳能和朗仕电子设备公司近日公布最新的合作成果：就是研发出一个能提升先进的PV3000太阳能丝网印刷生产线产能的创新烘干系统。这次通过与在市场上技术领先的丝网印刷和热能技术专家的合作,在太阳电池生产领域取得重大突破,将精密的热能控制、改良的VOC管理以及降低能耗结合起来——呈现在单一的生产设备上。     

晶体硅太阳电池的丝网印刷技术及质量控制

太阳电池连接工艺的关键技术在于硅芯片基板的金属化制造,该技术是一种精密的印刷技术,其工艺直接影响电池能量的转换效率,主要应用于太阳电池的工业化大生产,是第三代太阳电池生产商的首要工艺。     

碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(上)

介绍了碲化镉电池的基本结构,碲化镉及其相关材料的沉积方法和基本性质,尤其是多晶材料的光学性质与其能带结构、晶粒尺寸等其他物理性质的相关性.光学检测是研究薄膜太阳电池的重要工具.通过原位椭偏学观测到的碲化镉表面粗糙度的实时演变,碲原子和硫原子的扩散,以及碲化镉、硫化镉光学性质的深层分析证明了这一手段的独特作用.     

碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(下)

图4碲化镉薄膜的生长条件除了氩气压强在2.5～50mTorr范围内变化外,其他沉积条件都保持一样.从图中可以看到:(1)所有薄膜在沉积初期(体层l～2nm厚)都有相对较厚的表面粗糙层.这时沉积下来的碲化镉容易聚成“岛”状而不是平铺成层状,“岛”的高度随氩气压强增加而单调增加;(2)体层厚度2～l0nm之间,上述分离的岛状沉积体扩大后相互接触,底部变成了连贯的体层,因此表面粗糙层厚度降低;(3)体层厚度10nm以上,表面粗糙层的厚度再次增加,而且增加的速率随氩气压强而明显不同.在2.5 ～ 14mTorr范围内,表面粗糙层厚度随氢气压强增加而单调增加(差别达10倍左右),而在14～50mTorr范围内,表面粗糙层厚度随氩气压强增加而单调减少.     

碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(中)

三电池结构与沉积方法碲化镉薄膜电池分为衬底朝上(阳光入射方向)和衬底朝下两大类结构。衬底朝上是目前用得最多的结构。其生长过程是在玻璃衬底上顺序沉积透明导电氧化物(TCO)、硫化镉、碲化镉以及金属背电极层。     

薄膜太阳电池系列讲座(5) 碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(下)

图4碲化镉薄膜的生长条件除了氩气压强在2.5～50mTorr范围内变化外,其他沉积条件都保持一样。从图中可以看到:(1)所有薄膜在沉积初期(体层1～2nm厚)都有相对较厚的表面粗糙层。这时沉积下来的碲化镉容易聚成岛状而不是平     

薄膜太阳电池系列讲座(3) 碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(上)

介绍了碲化镉电池的基本结构,碲化镉及其相关材料的沉积方法和基本性质,尤其是多晶材料的光学性质与其能带结构、晶粒尺寸等其他物理性质的相关性。光学检测是研究薄膜太阳电池的重要工具。通过原位椭偏学观测到的碲化镉表面粗糙度的实时演变,碲原子和硫原子的扩散,以及碲化镉、硫化镉光学性质的深层分析证明了这一手段的独特作用。     

用于丝网印刷的掺杂硅浆料

利用等离子体气相合成法制备硅纳米颗粒,配制出基于硅纳米颗粒的用于丝网印刷的掺杂硅浆料。当硅浆料中磷硅原子比不小于0.45、磷的质量分数浓度在6.32%以上,或硼硅原子比不小于0.90、硼的质量分数浓度在1.75%以上时,用丝网印刷硅浆料能够实现方块电阻在50Ω/□以下的重掺效果,表明掺杂硅浆料有望应用于太阳电池的制备。