2.3GHz、线性输出1.5W硅微波功率晶体管的研究

本文介绍了2.3GHz线性输出1.5W的硅微波线性功率晶体管的主要设计思想和采用的关键技术。给出了器件的主要研究结果:f_0=2.3GHz、P_(1dB)≥1.5W、G_P≥7dB、η_c≥40％、工作电压V_(CE)=12V。该器件已于1989年12月通过部级(专家级)产品设计定型。     

2GHz线性输出1.5W硅微波功率晶体管研究

本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于器件内部存在着非线性效应使得输出特性产生了非线性畸变。为了改进器件线性性能,我们采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层材料提高了器件大电流性能。已研制的器件其参数在2GHz下,P_(-1)≥1.5W、线性增益G_p≥7dB、动态线性范围≥20dB,η_(-1)≥40％。     

4.2GHz2W硅功率晶体管

<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是:     

硅微波功率晶体管

研制了一种在4千兆赫的频率下具有3瓦输出功率的硅平面NPN 晶体管。是由小信号晶体管的并联来实现的。功率晶体管特有的热问题由银做成的热沉来加以解决。本文叙述了功率晶体管的设计,功率晶体管特有的制造技术及其特性。     

硅锗晶体管突破500GHz

当电子系统变得日益复杂且功能更加丰富时,对板级电源管理与控制的要求也变得越来越复杂。ZilkerLabs公司凭借着用混合信号技术来实现数字可控制性与模拟高效率有效结合的优势和创新Digital-DC技术,推出了业界首款整合了全数字电源管理功能的3A电源管理与转换IC的单芯片解决方案——ZL2105。ZilkerLabs行销副总裁JimTempleton介绍说,ZL2105将公司现有ZL2005的数字电源管理功能、简单的可配置性及高效率结合到了非常适用于低功耗应用的单个部件中。客户可将多个Digital-DC器件整合在一个给定的PCB上,并可轻松配置这些部件,以简化复…     

硅锗晶体管突破500GHz

来自IBM和佐治亚技术学院的一个研究小组展示了运行频率超过500GHz的异质结S i G e(硅锗)双极晶体管。该研究小组表示,尽管这一结果是用液态氦将晶体管冷却到4.5K(-451°F)获得的,但同样的器件在室温条件下可工作于350GHz,而且晶体管若经优化可接近太赫的室温速率。I B M在200m     

硅微波双极功率晶体管概况

<正> 一、引言六十年代初硅双极功率晶体管的研制开始进入微波领域,从那时起功率晶体管开始闯进长期以来为电子管牢固独占的微波电子管阵地。整个六十年代尤其到七十年代头几年硅微波双极功率晶体管雨后春笋般地向频率更高、功率更大的方向飞速发展。1965年E.O.Johnson 发表了晶体管的功率频率极限问题的研究。梳状图形的结构出现较早,接着出现了复盖图形结构,1967年出现了网状发射极结构,70年又出现了菱形结构。由于微波波段同低频、高频和超高频相比有频率高、频带宽的优点,因此微波功率晶体管很     

1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。     

硅微波功率晶体管内匹配及功率合成研究

本文介绍了常用的T型网络和Л型网络及双节四元件网络。着重论述T型网络的设计方法,分析T型网络的带宽特性与相移特性,讨论了工艺偏差对匹配特性的影响,并对晶体管的功率合成进行了研究。在上述基础上,进行了双胞内匹配及合成研究,得到了工作频率为2.7～3.1GHz时,单胞连续波输出功率4.4W,双胞合成输出为7.8W的管子,合成效率达88.6％。     

C波段硅微波功率振荡晶体管

本文报导的硅微波功率振荡晶体管WZ311采用了精细的多胞梳状图形、浅结薄基区、金-金多层内电极系统以及全密封的微带金属封装,器件不仅具有在4GHz下振荡输出大于400mW的优良的微波性能,而且具有较好的可靠性。     

CG441型硅微波线性晶体管

本文分析了影响晶体管线性的主要因素及提高其线性的主要途径.介绍了CG441型硅线性晶体管的设计和工艺.采用浅结薄基区扩散、亚微米光刻和PtSi-Ti-W-Pt-Au多层金属溅射等技术获得了预期的器件性能.2GHz下,功率增益Gp≥10dB、1分贝压缩点输出功率P_(-1)≥20dBm、线性动态范围-20dBm～+10dBm及较小的三阶互调关真IMD_3.     

3.1～3.4GHz50W硅功率晶体管

南京电子器件研究所研制成功工作频率３．１～３．４ＧＨｚ,脉冲宽度３００μｓ,占空比１０％,输出功率大于５０Ｗ,功率增益大于７ｄＢ,效率大于４０％的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为１００μｓ时输出功率大于６０Ｗ。器件的输出功率、增益和效率等特性所能达到的水平是工作频率的敏感函数。随着工作频率的提高,器件的高频功率优值（Ｐｏ·Ｒｏ）下降,微波寄生参量变得非常突出,信号损耗增大,造成器件的输出功率、增益和效率的大幅度下降。因少子迁移率的限制,硅功率器件一般工作于Ｓ波段以下。限制器件功率输出的另一重…     

2GHz100W硅脉冲功率晶体管

本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造，采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f。=1.85～2.15GHz，D=2%，τp=40us条件下，输出功率P。≥100W，功率增益Gp≥ 7dB，集电极效率ηc≥40%，并具有较高的抗激励耐量。在f。=2.15GHz，τp=40us，D=2%，Pi=25W，Vcc=36V时，P。≥120W；当Vcc=40V时P。≥153W。     

2GHz频段双极晶体管线性功率放大器

本文介绍了两种双极晶体管微波线性功率放大器的设计特点和主要性能指标。比较了适用于甲类工作和适用丙类工作的微波功率双极晶体管的差异,并对这些差异提出了物理解释。     

硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究

着着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对风匹配网络的功率分特性、带宽特怀，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计，对Ｐ波段百瓦级硅微波功率晶体管的内匹配网络进行了分析和计算并通过了样品试验。     

千瓦级硅LDMOS 微波功率晶体管关键技术研究

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS 微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W 硅LDMOS 微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0. 19 ℃/ W。在50 V 工作电压、230 MHz 工作频率、脉宽为100 滋s、占空比为20% 、输入功率为6 W 的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23. 5 dB,漏极效率74. 4% ,电压驻波比10:1。该晶体管已实现工程应用。     

硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究

着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计，对Ｐ波段百瓦级硅微波功率晶体管的内匹配网络进行了分析和计算并通过了样品试验