具有HEMT和MMIC的Ku波段低噪声放大器

本文介绍了由HEMT和MMIC组成的一种新颖的Ku波段低噪声放大器,放大器第一级采用了HEMT和反馈技术以同时获得噪声和增益的最佳化,讨论了这种放大器的设计,MMIC采用了二次混合微波集成,放大嚣输入和输出端均为BJ-120波导。在11.7—12.2GHz频率下,放大器噪声系数小于1.9dB,增益大于27±0.25dB,输入和输出驻波比小于1.4。     

一种Ku波段低噪声放大器的设计

基于ADS和HFSS电磁仿真软件,设计了一种Ku波段低噪声放大器。放大器包含波导-微带转换单元和低噪声放大器两部分。波导-微带转换单元采用体积小,性能优良的微带探针型过渡,为提高转换性能和带宽,采用二阶λ/4阻抗变换结构来实现50Ω微带线与微带探针之间的阻抗匹配。低噪声放大器选用CDK公司生产的具有超低噪声和高增益的FET器件CKRF7512CK24晶体管,采用偏置电路、最小噪声匹配及最大输出增益匹配相结合的方案,实现了低噪声和高增益。实测结果表明,在11.5GHz～13.5GHz的频率范围内,该低噪声放大器的输入输出回波损耗均小于-10dB,噪声系数小于0.8dB。     

基于LTCC技术的Ku波段低噪声放大电路的设计

本文介绍了一款Ku波段低噪声放大电路的设计和优化技术，该电路集成于T／R组件（基于LTCC技术）前端，采用两个集成MMIC构成级连放大的结构形式。设计中，使用ADS软件对级间匹配进行优化设计，对芯片键合区设计补偿结构并使用HFSS软件对结构参数进行优化设计，以减少由键合丝的分布参数对传输特性的影响。     

一种采用HEMT和MMIC的Ku波段低噪声放大器模块

<正>随着科学技术的发展,新的器件和电路不断涌现.南京电子器件研究所最近研制出WC90HEMT和WD63 Ku波段单片集成放大器,基于上述技术制作了输入和输出端口均为BJ-120波导接口的Ku波段二次微波混合集成电路低噪声放大器模块.这种放大器模块的特点是:第一级为低噪声放大级,采用WC90型HEMT器件,后级主要为增益级,采用WD63型GaAs单片集成电路.整个低噪声放大器模块具有体积小,结构紧凑,性能优良,成本低廉及使用方便的特点.     

Ku频段GaAs—FET低噪声放大器

本文对Ku频段GaAs-FET低噪声放大器的设计调试作了介绍,并对研制的Ku频段低噪声放大器的性能、结构和使用情况作了简单说明。     

C波段低噪声放大器的设计

介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5～6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0.8dB,输出P-1≥10dBm,噪声系数NF≤1.0dB,输入驻波比≤1.2:1,输出驻波比≤1.2:1.     

C波段GaAs单片低噪声放大器

本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.     

全波段毫米波低噪声放大器

SPACEKLABS研制成这种最新的低噪声放大器在毫米波段 ,33～ 5 0GHz(WR - 2 2 )和 4 0～ 6 0GHz(WR - 19)能够提供全波段的性能。在此频段风 ,典型增益为 18～ 2 0dB ,最小噪声系数为 3dB。在 +8～ +11VDC时 ,DC为 5 0mA。全波段毫米波低噪声放大器@一凡     

Ka波段低噪声放大器的研制

本文介绍了Ka波段低噪声放大器的设计和实验结果。     

C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计

主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现.通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路.本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5～6 GHz,噪声系数小于1.2 Db,增益大于24 Db,输入输出驻波比小于1.5:1,增益平坦度△Gp≤±0.1 Db,1 Db压缩点P-1≥12dBm,直流电流小于50 Ma.电路最终测试结果与设计结果吻合.     

S波段低噪声放大器的分析与设计

介绍了S波段低噪声放大器（LNA）的设计原理和流程。对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响，并针对这些因素进行了软件仿真计算，最后给出了放大器的仿真结果和最终的微带电路。放大器设计为两极结构，采用GaAsFET器件和双电源电路设计形式，达到了预定的技术指标，工作带宽2．0～4．0GHz，增益G〉22dB，噪声系数NF〈0．7dB。     

宽带CMOS低噪声放大器的设计

文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。     

微波毫米波宽带单片低噪声放大器

推导了反馈电路理论,利用0.25μmGaAs PHEMT工艺,研制了两种并联反馈单片低噪声放大器。第一种放大器的工作频带为6～18GHz,测得增益G≥21dB,带内增益波动ΔG≤±1.0dB,噪声系数NF典型值为2.0dB,输入驻波VSWRin≤1.5,输出驻波VSWRout≤2.0,1分贝压缩点输出功率P1dB≥11dBm。第二种放大器的工作频带为26～40GHz,测得增益G≥17dB,噪声系数NF约为2.0dB,输入、输出驻波VSWR≤2.5,1分贝压缩点输出功率P1dB≥10dBm。两种电路的测试结果验证了设计的正确性。     

一种宽带低噪声视频放大器的设计

介绍了一种宽带低噪声视频放大器的设计,并给出了实验结果。该视频放大器在自制IC的基础上,采用MCM工艺混合集成。经测试,该电路电压增益大于70 dB,带宽45 MHz,AGC范围大于65 dB,噪声系数小于1.5 dB。     

利用ADS软件设计X频段低噪声放大器

首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法,然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。其工作频段为8.6~9.5 GHz,噪声系数≤1.8 dB,增益为23 dB,带内平坦度≤±0.5 dB。     

CMOS宽带可编程增益低噪声放大器

给出了一种可应用于中国移动多媒体广播(CMMB)调谐器的宽带(470~860 MHz)可编程增益低噪声放大器。该电路在UMC 0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为0.37 mm2(不包括ESD pad)。芯片测试结果表明,在1.8 V的电源电压下功耗为30.2 mW,该电路可实现-6.8~32.4 dB的增益动态变化范围,0.5 dB步长,最高增益下单端信号噪声系数小于3.8 dB。     

X波段波导低噪声放大器的设计

文章基于高电子迁移率晶体管,采用全微带匹配技术,设计并制作了一种用于某预警雷达接收前端的小型化超低噪声波导低噪声放大器。使用Ansoft公司的Serenader8.7软件对低噪声放大器进行理论仿真设计,并采用随机和梯度优化相结合的方法进行优化。实物的实测数据满足预期指标的要求,具有可行性和实用性。     

Radio Frequency Low Noise Amplifier with Linearizing Bias Circuit

A 1.34 GHz-1=60 MHz low noise amplifier （LNA） designed in a 0.35 pm SiGe process is presented. The designed LNA exhibits a power gain of 21.46 dB and a noise figure （NF） of 1.27 dB at 1.34 GHz. The linearity is improved with an active biasing technique. The post-layout simulation shows an input referred 1-dB compression point （IPldn） of-11.52 dBm. Compared with the recent reported high gain LNAs, the proposed LNA has a much better linearity without degrading other performance. The LNA draws 10 mA current from a 3.3 V power supply.