液晶移相器的光电特性及其电路驱动

为了实现液晶移相器的每个光栅电极的驱动电压可以单独控制的目的,采用现场可编程门阵列编程的方法,进行了理论分析和实验验证,实现了驱动液晶移相器光栅电极的电压,以达到调整电极的相位分布。结果表明,液晶光栅电极相位的周期性分布对传输的光波可以进行相位调制,即可实现扫描。这一结果对调节液晶移相器光栅电极的相位是有帮助的。     

基于液晶移相器的相控阵天线低成本制造技术

液晶移相器可作为中低轨无线卫星中相控阵天线实现电控波束扫描的关键部件。本文提出了一种基于成熟面板技术的高精度、低成本液晶移相器可行的量产化制造方案。实现了低方块电阻（Rs<0.02）,高精度线宽线距（1μm厚铜CD/Space可达到3.5μm/8μm）,并支持多规格Cu膜层厚度（1μm～3μm）物理气相沉积制备,高精度液晶滴下工艺以及高对准、低插损FPC和IC邦定工艺等量产可行性方案。低液晶盒厚度（Cu-Cu间距4μm～6μm）的量产工艺相较于传统方案液晶用量大幅降低,成盒精度高,不仅降低了液晶相控阵天线的材料成本,亦可提高液晶移相器的响应速度,从而提升液晶相控阵天线的波束扫描速率等性能。     

中红外液晶光学移相器的相位调制和响应时间特性

本文研究制备了应用于中红外波段的液晶光学移相器,选用在中红外波段具有高透过率的蓝宝石作为基底,超薄氧化铟锡（ITO）薄膜作为透明电极,低吸收的中红外液晶作为介质。通过对液晶移相器施加电压,液晶分子在电光效应的作用下形成周期性的相位分布,从而实现对中红外激光的相位调制。本文研究制备的20μm盒厚的液晶光学移相器在3.9μm中红外激光照射下实现2.59π的相位调制深度。切换电压的有效值从2.65V变化到3.37V时,响应时间为19ms,能够达到中红外液晶光学移相器在高盒厚条件下的快速响应,最终能够实现液晶移相器在中红外波段的功能需求。     

BST-MEMS移相器开关

为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构——分布式电容周期性加载结构。分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关。目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅。BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅。从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性。     

向列型液晶的Raman光谱研究

报道了国产向列型液晶MBBA和EBBA的Raman谱与温度的关系。提出了一种适用于取向的向列型液晶分子振动相关函数和转动相关函数的分离理论。此理论应用于MBBA液晶相和液相的分子振动和转动弛豫的实验研究表明这种分离方法是可行的。     

数字式矢量移相器

简要介绍了矢量移相器的原理，特点，基本结构，提出了一种新型的采用数学方式控制的矢量移相器。     

360°线性移相器

本文对一种360°移相器线性条件进行了分析。从线性要求出发,求出了对变容管的引线电感及结电容的最大值和最小值的要求。并研制了一个工作于11GHz 的360°移相器,此移相器在11GHz±100MHz 内线性度优于±3.8%,损耗为6.2±0.7dB,移相误差≤±2°。与国外文献[1]、[3]比较,此移相器在性能指标上是优良的,在理论与实际上一致性良好。     

数字式矢量移相器

简要介绍了矢量移相器的原理、特点、基本结构，提出了一种新型的采用数学方式控制的矢量移相器。     

双工移相器误差分析

本文定量地分析了各波片差相移误差对器件相移、隔离和损耗的影响。并对S波波段双工移相器进行了测试。相移实验表明理论计算与实验结果吻合。     

宽带双周期性BST电容加载共面波导移相器

提出了一种双周期性BST电容加载共面波导传输线的移相器结构。基于这种结构设计制作的铁电薄膜移相器较好地解决了整个电路的阻抗匹配问题,其反射损耗的波纹在较宽的工作频带内趋于同一幅度。在沉积有钛酸锶钡(BST)薄膜的氧化镁基片上设计并制作了一个宽带双周期性BST叉指电容加载共面波导移相器,测试结果显示该移相器的反射损耗在0~15GHz内保持在–15dB,其中在14.5GHz处,在30V的外加偏压下其移相能力可达35o。     

波导二极管移相器的设计

介绍了波导二极管移相器的设计原理和实现方法。运用矩形波导的传输理论,将加载线型移相单元插入矩形波导内,对波导内的24个加载线型移相单元进行调配组合实现五位地址数码控制移相器。实测结果表明该移相器移相范围大、插入损耗低、输入驻波小、转换时间快、移相精度高及耐高功率性好。     

用光谱法研究扭曲向列相液晶器件的电光特性

讨论了常亮型扭曲90°和扭曲120°向列相液晶器件的偏光特点,分析了液晶分子在交流电场作用下重新取向后的扭曲特性,测试并对比了特定频率不同电压条件下液晶分子重新取向后的扭曲角度,采用光谱仪取代通常使用的分光光度计获得液晶器件的电光特性,对比度、阈值电压、饱和电压随入射光波长的变化关系。结果表明,采用光谱仪的方法是可行的...     

一种新型BST薄膜移相器的电路设计

采用铁电材料钛酸锶钡(BST)的薄膜移相器以其成本低廉、响应速度快、频带宽、体积小、重量轻、控制简单等诸多优点而引起关注.本文对BST薄膜移相器的设计模型进行研究分析,提出了一种新型的电路结构,在BST材料移相器的大移相量和尽可能低的损耗一对矛盾中找到一个平衡点.并通过ADS仿真验证了这一新型电路.     

Monte Carlo simulation of the Fréedericksz transition in nematic liquid crystals

In this paper we present results of the Monte Carlo simulation of a 2D nematic liquid crystal model in the presence of an externally applied electric field. The molecular interactions were described by the Lebwohl-Lasher Hamiltonian. The boundary conditions employed in the simulations corresponded to the experimental configuration frequently used for establishing the Frank elastic constants. The results are compared with the predictions of the phenomenological Ericksen theory. Preliminary results of simulations of an experimentally important case corresponding to the nematic interacting with a spatially modulated electric fluid are presented. © 1997 John Wiley & Sons, Ltd.     

电容加载共面波导移相器的损耗特性

借助仿真软件Sonnet研究了金属导电层厚度、电导率和铁电薄膜介质损耗对移相器传输损耗和反射损耗的影响。结果显示:导电层的厚度超过2.0μm后,移相器的传输损耗不再随导电层厚度的增加而改变;随着导电层电导率的增加,移相器的传输损耗在高频段迅速减小;随着铁电薄膜介质损耗的减小,移相器的传输损耗在高频段下降很快;当介质损耗小于0.001时,移相器的传输损耗几乎不再减小。前述三种因素对反射损耗基本无影响。     

Ka波段4位数字移相器的设计

移相器的应用十分广泛,比如各种通讯和雷达系统,微波仪器和测量系统,特别在相控阵雷达中应用最多。移相器是相控阵雷达T/R组件的重要组成部分。本文主要对Ka波段4位数字移相器进行了研究,并完成了实际电路的设计、制作和测试。在34.2GHz±300MHz频率范围内,所有相移位（16个）的插入损耗都小于10.71dB,输入端和输出端的回波损耗也都小于-14.84dB。另外,所有相移位在中心频率34.2GHz处的相位误差都小于士3.0°,最小仅有0.15°,所有指标均优于设计要求。     

L波段五位数字移相器的宽带自动修调

以 L 波段五位数字移相器的宽带自动修调为例 ,介绍了激光自动修调系统的组成和工作过程 ,讨论了移相器的可修调设计和修调算法的设计。激光自动修调技术可用于多种微波电路 ,可以缩短调试时间 ,降低生产成本 ,满足大批量生产的要求。     

微波MEMS移相器的特性分析与实现

从移相器的基本原理出发,分别介绍了开关线型、耦合器型和加载线型三种采用微机械加工技术制备而成的微波MEMS移相器的结构特点和工作原理。在此基础上,设计制备了CPW分布式加载线型MEMS移相器,并进行测试和分析,结果表明MEMS移相器较传统的移相器有微型化、低损耗、低成本、宽带等突出优点。