路和圈的广义Mycielski图的L(2,1)标号

令G=(V(G),V(G))是一个简单图,Mp(G)为图G广义Mycielski图。图G的L(2,1)标号数,记作λ(G),定义为λ(G)=min{k|G有一个k-L(2,1)标号}。n个顶点的路、圈分别记作Pn,Cn。给出了路和圈的广义Mycielski图的L(2,1)标号数λ(Mp(Pn))和λ(Mp(Cn))。     

Ca~(2+)取代对SrCaLaCo铁氧体的微结构和磁特性的影响

用普通陶瓷工艺制备了分子式为Sr_(0.62-x)La_(0.38)Ca_xCo_(0.24)Fe_(0.14)~(2+)Fe_(11.62-σ)~(3+)O_(19)(x=0,0.2,0.4,0.6,缺铁量d=1.36)的SrCaLaCo铁氧体,研究了Ca~(2+)取代对材料微结构和磁特性的影响。实验表明,Ca~(2+)不仅进入晶格参与形成M型的六角铁氧体,而且还存在于晶界中影响晶粒的生长。当x=0.4时,预烧样品在1240℃时可形成单一的M相,比饱和磁化强度(σ_s)和矫顽力(H_(cj))达到最大,分别为69.3A×m~2/kg和334k A/m(4329Oe)。当烧结温度为1170℃×1h时,烧结样品获得最佳性能:剩余磁化强度B_r=445m T,矫顽力H_(cj)=420k A/m。     

K_(1,3)-free图成为泛圈图的一个充分条件

文中证明了下列定理:G是阶为p的2-连通K_(1,3)-free图,δ≥6且对任意三点独立集{u,v,w}都有d(u)+d(v)+d(w)≥p-2,则G是泛圈的.     

关于(a,b,s)-临界图的邻域条件(英文)

设G是一个n阶的图.设a,b和s是整数,使得b>a≥1.设δ(G)是G的最小度.证明了:如果δ(G)≥(k-1)a+s,n≥(a+b)(k(a+b)-2)/b,并且|NG(x1)∪NG(x2)∪…∪NG(xk)|≥an/(a+b)+s对V(G)任意的独立子集{x1,x2,…,xk}都成立,这里k≥2,则G是一个(a,b,s) 临界图.这个结果在某种意义上是最好的.     

可靠性基础理论讲座(三)

(三)正态分布1.正态分布的定义密度函数为(59)式的分布称为正态分布: f(t)=1/((2π)~(1/2)σ)exp[-1/2((t-μ)/σ)~2] (-∞相似文献   

广义双调和算子的正定性

本文考察了两个变量的广义双调和算子L=?的正定性问题,其中D_1、D_2和D_3均为正的常数.证明了若满足下述两种边界条件之一,则L就是正定的:(1)满足边界条件u=0,?u/?v=0时,其中V=(V_1,v_2}表示边界的外法向;(2)若D_3≤D_1,且D_3≤D_2时,满足边界条件u=0,Mu=0,其中Mu=D_3σ▽~2u (D_1-D_3σ)(?~2u/?(x_1)~2)(v_1)~2 ?是由实际问题需要所选择的常数,0≤σ≤1.最后以正交各向异性薄板弯曲问题为例,说明结论的力意义.     

架空线状态方程正实数根的公式求解

架空线状态方程经过简化为缺一次项的一元三次方程,其标准式为σ~3—Bσ~2—A=0 (1)式中 A、B 为实系数,且由工程条件决定了 A恒为正实数,σ为待求的应力变量。笛卡尔符号法则是设 f(x)=a_0x~n+a_1x~(n-1)+……+a_n=0(a_0≠0,a_n≠0),为实系数 n 次代数方程,若其系数列序{a_0,a_1,……a_n)的变号次数为 p,则方程 f(x)=0的     

成分变化、快淬速度及热处理温度对Sm(Co_(1-x)Zr_(x))_(7)合金薄带的微观组织及磁性能的影响

采用电弧熔炼和熔体快淬的方法,制备了不同成分与不同快淬速度的Sm(Co_(1-x)Zr_(x))_(7)(x=0.02~0.08)合金薄带。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)等实验设备,测试了合金快淬薄带的相组成、相结构以及磁性能。实验结果表明:在Sm(Co_(1-x)Zr_(x))_(7)(x=0.02~0.08)合金薄带中,合金薄带的矫顽力随着x含量的增加逐渐变大,在x=0.08(快淬速度为45 m/s)时,合金薄带获得最大矫顽力(Hcj)为7.34 kOe;当快淬速度为45 m/s时,Sm(Co_(1-x)Zr_(x))_(7)(x=0.08)合金薄带在623 K的环境下热处理2 h,合金薄带可获得最优的综合磁性能,其矫顽力(Hcj)为7.67 kOe,剩磁(Br)为2.81 kGs,最大磁能积(BH)max为7.64 MGOe。     

800 kV GIS快速暂态过电压计算

利用EMTP电磁暂态仿真软件,对某800 k V GIS系统中的快速暂态过电压进行仿真计算,得到系统在不同操作方式下,各个节点上VFTO的幅值大小,其值为1~2 p.u.。同时,利用MATLAB得到各个节点上VFTO的频谱图,并对其各自的波形进行简单分析。最后,利用得到的仿真结果分析了VFTO的影响因素。     

高压三相异步电动机双电压的接线方法

一般高压三相异步电动机的接法多为 Y接 ,当三相异步电动机要求双电压 (6 k V/3 k V)时 ,电机的具体接线方法可以从电机定子绕组并联支路数考虑。电动机的一相电动势 Eφ1=4.44f N kw1Φ1,N= 1apq ZS,当电源频率 f 为一定时 ,公式中的 kw1Φ1p q ZS均已为定值 ,只有电机绕组并联支路数a为可调值 ,即 EΦ1正比于 1a。因此当电压为 6 k V时 ,电动机接法为 a- Y;当电压为 3 k V时电动机接法为 2 a- Y(其中 2 a通常小于或等于电动机极数 2 p,且 2 p必须是 2 a的整数倍 )。下面以一台Y40 0 - 6 p,定子 72槽 6 k V/3 k V电动机为例。(a)当…     

压缩映像不动点的几个问题(Ⅱ)

M.Y.chen和C.C.Yeh在[1]中,P.Das在[2]中分别给出下述结果。命题1 设f是非空、紧度量空间(X、d)上的连续自映像,且(?)x、y∈X,x≠y,成立。 d(f(x),f(y))相似文献   

BaernsteinⅡ空间X_B的几何特征(Ⅱ)

本文讨论 BaernsteinⅡ空间单位球面 S(X_)上的非常光滑点与 Gateaux 不可微点的判别法,并举出一些例子.主要内容有:对 x∈S(X_),如果存在 i 使 x_i=0,x 对第 i 个分量不可增补,且对任意{σ_n}∈∑(x)存在 n 满足 minσ_n相似文献   

康佳P2592N彩电保护电路维修技巧(二)

1.+B电源过流保护该电路由取样电路V404(PNP三极管)和R920(0.68Ω)、分压电阻R432(39kΩ)、R433(10kΩ)和VD422(12V稳压二极管)等元件组成。R920是行电流取样电阻,当行电流正常时,R920上的电压降较小,V404截止,对保护电路不产生影     

基于一维搜索的电力系统潮流快速解耦法

提出一种基于一维搜索的电力系统潮流快速解耦方法。通过快速解耦法求出 ΔV( k)、Δ︾( k ) ,作为下一步迭代的搜索方向。然后进行一维搜索 ,分别求出相对应的最佳搜索步长 λ( k)v 和 λ( k)δ ,并以 V( k 1 ) =V( k) λ( k)v ΔV( k)和 ︾( k 1 ) λ( k)δ Δ︾( k)作为下一步的迭代值。算例表明 ,该算法对输电线的 r/x比值敏感性低 ,具有收敛性好、收敛速度快、迭代次数少等优点。     

Mg掺杂对LiNi_(0.6)Co_(0.15)Mn_(0.25)O_2电化学性能的影响

以氢氧化钠为沉淀剂,氨水为络合剂,通过氢氧化物共沉淀法制得前驱体,然后高温煅烧,合成锂离子电池正极材料Li(Ni_(0.6)Co_(0.15)Mn_(0.25))_(1-x)Mg_xO_2(x=0、0.01、0.02、0.03和0.04)。通过XRD、循环伏安、电化学阻抗谱(EIS)和恒流充放电等测试,研究Mg掺杂对材料性能的影响。适量的Mg掺杂可降低材料阳离子混排度,提高材料的循环性能及倍率性能。Li(Ni_(0.6)Co_(0.15)Mn_(0.25))_(0.98)Mg_(0.02)O_2的电化学性能较好,以0.1 C在2.7~4.3 V循环,首次放电比容量高达190.9 mAh/g;1.0 C循环30次的容量保持率为90.07%。     

关于Radom—Nikodym定理的证明

关于Radon—Nikodym定理,Van Neumann曾给出了一个精巧的证明,但不能应用到更一般的结果,本文根据Van Neumann的方法导出了关于一般结论的证明。 Van Neumann证明了:若u,v为σ—有限测度,满足vu,则存在f使得:对所有可测E,V(E)=∫_Efdu,本文推广这个结论,除掉v为σ—有限的限制. 引理设(X,B,U)为有限测度空间,v,u为测度满足vu,那么,X为不相交并YUZ使得在Y上,v为σ—有限,对每个EZ,U(E)>0有v(E)=∞。     

选相抑制1000kV线路合闸过电压的仿真研究

为分析选相技术抑制1000k V空载输电线路合闸过电压的效果,首先研究了断路器的合闸预击穿特性和目标合闸相位,然后利用PSCAD/EMTDC软件的自定义模块建立了能考虑合闸预击穿特性及选相控制策略的合闸模型,最后对应用选相技术的1000k V空载线路统计合闸过电压进行了仿真分析,并与随机合闸、加装合闸电阻和金属氧化物避雷器下的统计过电压倍数进行了对比。结果表明:采用选相合闸技术配合避雷器的过电压抑制方式能将计划合闸过电压限制在1.6p.u.以下,将单相重合闸过电压限制在1.7p.u.以下,满足相关标准的要求,同时能够降低避雷器的吸收能量,并有效改善合闸的过渡过程。     

图的全符号控制数的界

设G=(V,E)是一个简单图。一个双值函数f:V∪E→{-1, 1}如果对任意的x∈V∪E,都满足条件f(N[x])≥1成立,则称f为图G的一个全符号控制函数。图的全符号控制数定义为r_■~T(G)=MIN{f(V∪E) f为图的全符号控制函数}。本文我们给出了图的全符号控制数的界。     

关于哈米顿图两个充分条件的一个注记

本文证明了如果G是2-连通图且对G的任意三点独立集{u,v,w}有d(u)+d(v)+d(w)≥n+δ,则C|(G)是完全图,从而G是哈米顿的.     

跟我学修DVD机(八) 电源电路(续)系统控制电路

表2开关电源关键点电压、电阻测量数据(热地)测量关键点(电V压)L6565"!2.7112.55.6$#3.05426&%2.1012.55.6(’0.0800*)3.99196,+000.-2.616.350/15.653003.6P4NC60FPD28210004.1G2.626.35.1S0.0700PC817212.402.52.44315.643003.6对地电阻(kΩ)红笔接地黑笔接地表3开关电源关键点电压、电阻测量数据(冷地)测量关键点(电V压)654.620.80.45873.53∞5.5K3.53∞5.5R2.482.52.5-25V-153.618F--19.9∞38F+-16.9∞383CN3+5V4.980.40.1+12V11.9884-12V-12.148.316.53CN4+5V4.980.40.+12V11.9884对地电阻(kΩ)红笔接地黑笔接地PC8173CN2…