共查询到20条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
2.
随着广电事业的发展与网络的整合,多业务的不断发展,同时由于广电台异地搬迁,广电数据机房搬迁到相距约5.5公里的新地址处,由于机房内业务众多,现在机房搬迁必然引起网络结构的变化,甚至影响业务重新开通,因此我们需要充分考虑搬迁过程中可能发生的问题,根据搬迁机房业务情况制定周密的搬迁计划,使搬迁顺利完成。 相似文献
3.
以广播电视分前端机房整体搬迁为例,介绍了在广电新机房搬迁过程中的准备过程、方法步骤、重要经验等内容,希望可对实际工作起到借鉴作用。 相似文献
4.
以广播电视分前端机房整体搬迁为例,介绍了在广电新机房搬迁过程中的准备过程、方法步骤、重要经验等内容,希望可对实际工作起到借鉴作用。 相似文献
5.
为了进一步提高数字电视信号传输的可靠性,满足数字电视新业务的发展需求,我们决定对数字前端机房进行搬迁.本文从作者所在数字前端机房搬迁实践出发,就机房搬迁过程中,如何实现前端播出信号“零中断”给出了解决方案. 相似文献
6.
7.
8.
随着广电事业的发展与网络的整合,从基本业务到增值业务,从模拟电视到数字电视和数据宽带业务,业务不断发展,新机房不断增加,为了满足业务发展需要,许多老机房需要搬迁改造,由于机房内业务繁多,设备众多,如果仅是简单地将原有设备迁移到新机房而不做周密计划,机房的搬迁肯定不会顺利,甚至影响业务重新开通,因此我们需要充分考虑搬迁过程中可能发生的问题,根据搬迁机房业务情况制定周密的搬迁计划,使搬迁顺利完成。 相似文献
9.
本论文针对广电分前端机房安全与维护进行了全面的探讨,分别从广电分前端机房安全的表现、广电分前端机房的维护措施等方面简要分析,为日后广播电视分前端机房的平稳发展提供了参考依据. 相似文献
10.
随着乡镇广电传输网络双向化改造的不断推进,乡镇站机房增添了大量的光缆ODF架、跳纤、光发射平台以及相关的双向网络设备,原先狭小的机房空间和配套设施渐渐满足不了各项新业务发展的需求,很多乡镇广电站机房的整体搬迁迫在眉睫。 相似文献
11.
A simple noise model of a microwave MESFET (MODFET, HEMT, etc.) is described and verified at room and cryogenic temperatures. Closed-form expressions for the minimum noise temperature, the optimum generator impedance, the noise conductance, and the generator-impedance-minimizing noise measure are given in terms of the frequency, the elements of a FET equivalent circuit, and the equivalent temperatures of intrinsic gate resistance and drain conductance to be determined from noise measurements. These equivalent temperatures are demonstrated in the case of a Fujitsu FHR01FH MODFET to be independent of frequency in the frequency range in which 1/f noise is negligible. Thus, the model allows prediction of noise parameters for a broad frequency range from a single frequency noise parameter measurement. The relationships between this approach and other relevant studies are established 相似文献
12.
13.
14.
15.
"杀手锏"、"产业链"问题及创新与发展策略 总被引:17,自引:1,他引:16
随着3G的演进与宽带多媒体业务的发展,用户需求、市场运营模式已发生了本质改变,在这种多方依赖、共赢合作的环境中,必须处理好技术驱动与市场驱动关系,以及“杀手锏”和“产业链”问题,企业才能作出正确的战略决策,在激烈的市场竞争中取得成功。本针对这些情况,并结合中国国情,介绍了应关注的新技术,重点论述“杀手锏”、“产业链”问题及持续发展与不断创新关系的一些策略考虑。 相似文献
16.
17.
18.
21世纪是人类历史的一个蓬勃发展的时代。在信息高速发展的今天,科学技术迅速发展,带动了人类社会的进步,但是同时也带来了人类的生存危机。人类应该正确看待科学技术,使科学造福于人类,而不成为祸害。 相似文献
19.
20.
Vapor-phase etching of (111), (111), (110) GaAs and (111), (111) GaP wafer in H2 + HBr or H2 + PBr3 gas mixtures has been conducted. The results of two cases, with liquid-forming metal (gold) layers or without coatings, are compared. Etching rates as a function of temperature in the range of 600? to 950? C were measured in Arrhenius coordinates. For both materials and for different gas environments, low-, medium- and high-temperature regions are distinguished, the activation energies in the low-temperature region (below about 650?c) being quite different for the two cases. The kinetic results are correlated with morphological changes arising from temperature variations. Some conclusions are made about the mechanisms of chemical vaporization in various temperature regions. The vaporization mechanisms have much in common with those for AII - BVI compounds. 相似文献