聚合膜/无机膜异质结电致发光机理研究

针对聚合物电致发光材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状，采用无机电子型半导体材料ZnO:Zn与空穴型聚合物材料PDDOPV[poly(2,5-bis(dodecyloxy)-phenylenevinylene)]成功制备了结构为ITO／PDDOPV／ZnO：Zn/Al的异质结双层器件，异质结器件的发光效率与单层器件P的发光效率的比值在电压为8V时达到最高值38.6倍，此时异质结器件的亮度是器件P的19.4倍，异质结的电流是单层器件的0.5倍。结果表明，ZnO:Zn薄膜的插入，确实能够起到输运电子和阻挡空穴从而降低器件电流水平，提高器件发光效率的作用，而且，聚合物膜／无机膜异质结器件的发光颜色是随着电压的增加而蓝移的。研究认为有可能是形成了新的发光基团。     

电化学处理对П共轭聚合物阳极特性的改善

研究了电化学对聚合物发光二极管空穴注入和传输层(PEDOT薄膜,polyethylene dioxythiophene)的掺杂处理.由这种薄膜与ITO(indium-tin oxide)构成的双层阳极明显地改善了器件性能,当以MEH-PPV(poly(2'-methoxy,5(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene))为发光聚合物时,器件的工作电压得到了降低;当以PFO(poly(2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene))作为发光聚合物时器件的最大外量子效率提高到0.6%.     

电化学处理对Π共轭聚合物阳极特性的改善

研究了电化学对聚合物发光二极管空穴注入和传输层(PEDOT薄膜，polyethylene dioxythiophene)的掺杂处理，由这种薄膜与ITO(indium-tin oxide)构成的双层阳极明显地改善了器件性能，当以MEHPPV(poly(2’-methoxy．5(2’-ethyl-hexyloxy)-1，4-phenylene vinylene))为发光聚合物时，器件的工作电压得到了降低；当以PFO(poly(2，7-dibmmo-9，9-dioetylfluorene))作为发光聚合物时器件的最大外量子效率提高到0．6％．     

石墨炔掺杂聚合物太阳能器件性能的研究

制备了石墨炔掺杂poly(3-hexylthiophene):[6,6] -phenyl-C61-buytyric acid methyl ester活性层的聚合物光伏器件.研究了石墨炔不同掺杂比例对光伏器件的短路电流及开路电压的影响.结果表明:石墨炔良好的电荷传输特性及二维平面结构可以改善活性层的互穿网络结构,增加电荷收集和传输的通道,从而提高器件的短路电流.在2.5％的掺杂比例下,短路电流提高了1.4 mA/cm2,能量转化效率提高了 35％,并且对不同的退火温度和退火时间经行了研究,发现最佳的退火温度为150℃.     

利用Ir(ppy)_3敏化CzHQZn提高OLED的性能

用CzHQZn作为受主,利用磷光敏化的方法制备了有机电致黄光和白光器件。黄光器件采用Ir(ppy)3掺杂4,4-N,N′-=咔唑基联苯(CBP),敏化新的黄光材料CzHQZn作为发光层,当发光层厚度为18nm时器件性能最好,最大发光效率为3.26cd/A(at10V),最大发光亮度为17560cd/m2(at10V);白光器件采用多发光层结构,结合ADN的蓝光复合发光,同时加入了电子阻挡层(NPBX)和空穴阻挡层(BCP),获得的白光器件最大发光效率为2.94cd/A(at8V),最大亮度为11089cd/m2(at13V)。     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,...     

空穴传输层厚度对OLED性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK (0~60nm)/Alq3(60 nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15 nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。     

具有双发光层双主体结构的高效稳定WOLED

采用双发光层双主体结构,制备了高效稳定的白光有机电致发光器件(WOLED)。其中蓝光层是TBADN:3 wt%DSA-Ph,红光层是[TBADN:Alq3]:1 wt%DCJTB,通过改变红光层中Alq3和TBADN的掺杂比来调节器件的发光效率和颜色。当[TBADN:Alq3]为75∶25时获得了效率最高、色度好和性能稳定的白光,在20 mA/cm2时器件的发光效率为6.27 cd/A,CIE色坐标为(0.364,0.348)。当电流密度为200 mA/cm2时,发光效率仍能保持在6.15 cd/A,色度坐标为(0.344,0.344)。由于在[TBADN:Alq3]双主体结构中,TBADN具有双极性,从而改善了器件中载流子的平衡及其在发光层中的分布,进而提高的器件的性能。     

聚合物电致发光器件的电流限制机制

以共轭聚合物聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基-己氧基)-1,4-对苯乙炔)为发光材料制备复合阴极结构（LiF/Al）的聚合物电致发光器件.针对不同发光层厚度和阴极修饰层厚度的器件进行电流-电压测试,研究引起器件电流限制的机制.结果表明,单金属阴极器件的电流特性为载流子输运体限制机制；当阴极修饰层（LiF）厚度为2 nm左右时,电流特性以载流子注入限制为主；而当阴极修饰层为其他厚度时,2种限制机制同时存在.对具有不同阴极修饰层厚度的器件的电流-电压特性提出理论模型,模拟结果与试验数据较为符合.     

基于TADF共掺杂的蓝光OLED器件性能研究

为提升蓝光OLED的发光性能,采用DPEPO和DMAC-DPS两种热活化延迟荧光(TADF)材料构成的主客体掺杂结构作为蓝光OLED器件的发光层,研究器件结构、客体掺杂浓度等因素对器件性能的影响。实验结果表明:采用MoO3薄膜作为空穴注入层有助于增强空穴注入和传输能力,进而提升器件性能。当DMAC-DPS掺杂浓度为30%时,器件性能是最优的,最大亮度为5650cd/m2,最大外量子效率(EQE)为8.63%。掺杂浓度进一步增大会导致器件性能的衰退,可能是因为高浓度导致的激子淬灭导致的。TADF有助于提升蓝光OLED器件的性能并有望应用于商业化的蓝光OLED器件中。     

高效率的白光有机电致发光器件

为了提高白光有机电致发光器件的发光效率和光谱稳定性,采用染料掺杂的方法,制备了多层结构白光有机电致发光器件。通过参数优化实现了非常好的白光发射,并表现出良好的光谱稳定性。器件的开启电压为5.1V,发光亮度达到10800cd／m^2,最大电流效率和功率效率分别是10.4cd／A和3.5lm／W。     

NPB层嵌入MgF_2超薄层对OLED性能的影响

将MgF2超薄层嵌入有机电致发光器件(OLED)的空穴传输层NPB中,制备了结构为ITO/NPB(10nm)/MgF2(xnm)/NPB(20nm)/Alq3(30nm)/Al(30nm)的一系列OLED。测试结果表明,合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件的发光效率。MgF2厚度为0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未嵌入MgF2器件降低2V;MgF2厚度为1.0nm的器件最大电流效率达到3.93cd/A,最大光功率效率达到1.58lm/W,较未嵌入MgF2器件分别提高95%和110%。     

底发射OLED中阳极形状对器件性能的影响

通过改变有机电致发光显示器件的阳极形状,制备了三种具有不同表面状态及形状阳极的器件,对它们的电流-电压、亮度、电流效率等特性进行了测试和分析．结果表明,阳极出光侧采用凹凸结构、且A1膜连续、致密,器件的亮度和电流效率相比于传统器件分别增加了40％和10oA．当阳极薄膜制备于凹凸面上时,器件性能较差．分析了三种器件性能差距较大的原因．     

Highly efficient green organic light-emitting devices based on terbium complex by employing hole block material as host

In this work,efficient green electroluminescent(EL)devices with simplified device structure were prepared by doping trivalent terbium complex Tb(PMIP)_3into hole block material Tm Py PB.The high triplet energy of Tm Py PB helps to confine excitons within light-emitting layer,while the electron transport characteristic of Tm Py PB facilitates the balance of carriers on Tb(PMIP)_3molecules.By optimizing the doping concentration of Tb(PMIP)_3and the thickness of each functional layer,highly efficient green EL device with the structure of ITO/Mo O_3(3 nm)/TAPC(50 nm)/Tb(PMIP)_3(30 wt%):Tm Py PB(25 nm)/Tm Py PB(60 nm)/Li F(1 nm)/Al(100 nm)displayed pure Tb~(3+)characteristic emission with maximum current efficiency,power efficiency and brightness up to 47.24 cd/A(external quantum efficiency(EQE)of 14.4%),43.63 lm/W and 1694 cd/m~2,respectively.At certain brightness of 100 cd/m~2,the device still maintained a current efficiency of 19.96 cd/A(EQE=6.1%).Such a device design strategy helps to improve the EL performances of Tb(PMIP)_3and to simplify device fabrication processes,thus reduce the fabrication cost.     

快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响

采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜,通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响,以及镍在锗中的扩散行为。结果表明：镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为,并以受主状态存在,改变了锗内部的载流子的分布;775℃热处理后,镍受主完全补偿原有的施主,使锗由n型转变为P型,随着热处理时间的增加,电阻率下降,镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒,这表明镍在锗中会引入深能级。     

ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。     

补偿掺杂i层对n-ZnO/i-ZnO/p-Si薄膜太阳能电池性能影响的模拟研究

提出一种新型n-ZnO/i-ZnO/p-Si太阳能电池结构,使用AMPS软件对该结构太阳能电池进行了模拟研究,探索H,N杂质补偿掺杂形成本征i层对该结构太阳能电池的影响。研究发现在掺杂浓度为H=1.7×1017,N=2.8×1017时太阳能电池的转换效率可达15%,并对其转换机理进行了研究。     

氧化锌薄膜的p型掺杂研究现状

ZnO薄膜作为一种多用途的光电材料,一直受到国内外学术界的广泛关注。为了开发ZnO短波长光电器件,首要解决的 关键问题是氧化锌的p型掺杂。综述了目前国际上常用的氧化锌p型掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO薄膜的性能进行了 分析比较。