短距离数字光纤接收机的电路设计

介绍一种短距离数学光纤通信系统的设计，给出了设计的主要性能指标，着重叙述接收机的探测器，前置放大器，限幅放大器和再生器的工作原理与设计方法。     

一款用于超宽带接收系统的3 GHz-5 GHz低噪声放大器

设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和四分之一阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用GaAs赝调制掺杂异质结场效应晶体管( pHEMT)器件,在PCB板上实现了低噪声放大器的加工,加工测试结果与原理图仿真结果基本符合.测试结果表明,该低噪声放大器的增益达到12±1.5 dB,最小噪声系数为1.8 dB,输入输出匹配结果良好.     

CMOS低噪声放大器电路结构分析与设计

介绍了CMOS低噪声放大器的几种结构,研究了该放大器的噪声性能和相关制约因素,分析了电感反馈共源共栅结构,并在此基础上,讨论了在低功耗技术中采用的电流偏置复用结构,最后展望了CMOS低噪声放大器的发展趋势.     

基于ADS的射频低噪声放大器设计与仿真

提出了一种改善射频低噪声放大器性能的设计方法。分析了射频低噪声放大器的特性,给出了匹配网络的结构和提高综合性能的设计方法。基于ADS对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真,仿真结果表明,输入和输出匹配网络有等效增益,所提出的设计方法能有效分配性能指标,可为射频低噪声放大器设计提供参考。     

低噪声放大器在低频中的应用研究

通过电压噪声和电流噪声对放大器的影响分析,对三种型式芯片低噪声放大器(双载子、JFET和CMOS)进行比较.分析了这些放大器的优点和不足,以寻求低噪声放大器在低频中的最佳选择.针对三种放大器的噪声输入实际检测数据的分析,以提供低频模拟应用最佳的噪声效能组合.     

一种平坦高增益的宽带低噪声放大器设计

针对宽带低噪声放大器带宽内增益波动性大的问题,设计一种平坦高增益的宽带低噪声放大器。采用两级放大器级联形式,在第一级放大电路中引入负反馈电路,设计ATF-54143的偏置电路并分析其稳定性。在两级放大电路之间添加增益补偿网络,改善宽带低噪声放大器的阻抗匹配和增益平坦度。仿真结果表明,在0.9~2.5GHz频率范围内,该宽带低噪声放大器的增益为(30.0±0.3)dB,噪声系数小于1.5dB,输入、输出反射系数均小于-10dB,达到设计要求。在误差允许范围内,实物测试结果与仿真结果相符合。     

基于变压器反馈的平坦噪声系数超宽带CMOS低噪声放大器

在系统中集成超宽带(UWB)收发机芯片用于支持室内定位正成为移动通信终端技术发展的一个重要趋势.在超宽带收发机中,低噪声放大器(LNA)是一个核心功能模块.超宽带的全频段(3.1～10.6 GHz)覆盖要求给低噪声放大器的设计带来了巨大挑战,尤其是需要在宽带匹配及在带内维持平坦的噪声系数的情况下.传统的低噪声放大器架构...     

2.4GHz低噪声放大器的研究

低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立，微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用Microwave Office进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求，可以用于射频接入电路的前端。     

具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法

针对实际产品中ESD保护产生的寄生效应对低噪声放大器噪声性能的影响,通过详细的理论分析,提出了一种具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法,并给出了具体的设计公式。采用该优化方法设计的低噪声放大器可以接近或等于单个晶体管的最小噪声系数。在0.25μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明设计的低噪声放大器可以在不同的功耗下接近最小噪声系数,从而验证了提出的噪声优化方法的有效性。     

低噪声放大器的ADS设计与仿真

利用ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法及主要步骤,使用ADS器件库中的sp模型,重点进行了输入和输出匹配电路的设计.低噪声放大器工作在L波段,噪声系数小于1.8dB,增益大于13dB.通过设计可以看出,利用ADS进行微波电路仿真,可以很方便的得出最佳电路设计,指标完全符合规定值.     

基于ADS的2GHz低噪声放大器设计

该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1．0dB,输出驻波比小于1．3,输入驻波比小于2．5。     

一种基于CMOS工艺的差分低噪声放大器设计

研究低噪声放大器(LNA)的结构以及性能参数,采用电路仿真软件ADS(Advanced Design System)设计一个基于台积电(TSMC)0.25μmCMOS工艺的2.5GHz差分低噪声放大器。通过在输出端增加共源极的优化方法,对其进行电路结构的改进,得到一个高性能的实用低噪声放大器,并利用版图软件CadenceVirtuoso对其实现版图设计。     

利用ADS设计低噪声放大器

介绍了一种利用ADS仿真器设计低噪声放大器的方法。先总体阐述了低噪声放大器的主要技术和性能指标，然后在采用NEC的2SC5507（NE661M04）管的基础上，依据低噪声放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和ADS仿真，最后使得低噪声放大器的设计结果达到设计初期的期望值，并成功地完成了低噪声放大器的电路设计。     

短波接收机前端中频、镜频高抑制比电路设计

针对镜频和中频干扰对接收机性能影响的问题,分析了其原因并给出解决方案,设计了跟踪选频滤波器、逆切比雪夫陷波滤波器、5阶巴特沃斯低通滤波器,以及低噪声放大器的三级滤波方式所组成的短波接收机前端滤波放大电路,使短波接收机的中频、镜频抑制比均大于90 d B,接收机的性能得到较大提高。     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中,使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化,仿真结果是低噪声放大器在2.44GHz的工作频率下,增益G>11dB,噪声系数NF<1.3.     

CMOS 3～5GHz超宽带低噪声放大器的设计

设计了一个应用于超宽带(UWB)系统的3~5 GHz超宽带低噪声放大器.电路由二阶切比雪夫滤波器,电阻并联反馈,两级共源共栅结构,源级跟随器组成.低噪声放大器采用0.18 mCMOS工艺进行设计,利用ADS 2006 A进行仿真.结果表明,低噪声放大器在3~5 GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于2dB,功率增益在23.9~24.8 dB之间,输入端口反射系数小于-10dB,输出端口反射系数小于-15dB,IIP3为-11dBm在1.8 V的电源电压下,核心电路功耗为10 mW.     

LNA匹配网络设计与仿真

在低噪声放大器的设计过程中,匹配网络的设计是关键的组成部分,它直接影响低噪声放大器的性能。在分析放大器的稳定性、噪声系数及增益的基础上,提出了利用射频仿真软件进行仿真设计的思路,并就改善仿真设计的产品性能上提出了具体的办法,可以达到较好的实用效果,节约了设计周期,并保证了性能稳定等要求。     

基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz～8.0 GHz低噪声放大器

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计了一款工作频率为0.1 GHz～8.0 GHz的超宽带低噪声放大器,采用单级共源共栅(cascode)结构,使用电阻并联负反馈扩展了低噪声放大器的带宽,并且采用电感中和技术补偿了高频增益与提高频率响应。仿真结果表明：该款低噪声放大器的分数带宽高达195%,噪声系数小于1.32 dB,最高增益为21.2 dB,1 dB压缩点为16 dBm。在砷镓化合物工艺设计的低噪放中,本文拥有195%的分数带宽,较高的增益和较低的噪声系数。     

0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计

一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器。采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比。利用ADS对电路进行调试和优化,设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器。通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB,直流功耗为9.84mA*1.8V。     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理，阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中，使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化，仿真结果是低噪声放大器在2．44GHz的工作频率下，增益G＞11dB，噪声系数NF＜1．3．