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一、引言锗晶体作为半导体材料在电子学领域的应用已在不断下降,但它在核辐射探测器、红外光学及光导纤维等领域的应用却在稳定增长。锗在医药、催化剂等方面的应用也有新发展。由于锗的原子序数大(32)、禁带宽度小(Eg+0.66电子伏)且易干提纯并得到完整的晶体,面对射线又有很高的能量分辨率, 相似文献
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一、简介 (1)发展概况我国是在1955年开展锗的研究工作的,1956年7月1日,北京有色金属研究总院从含锗的煤中提炼出锗金属,1957年研制出1公斤锗单晶.1969年全国锗单晶的产量便超过了1吨,1977年达到10吨,并成功地试制出高纯锗探测器用锗单晶.1979年试制出用于红外光学的直径为225毫米的锗单晶. 相似文献
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含锗氧化锌烟尘综合回收锗锌工艺 总被引:3,自引:1,他引:2
针对某厂含锗氧化锌烟尘锗含量较高的特性,研究拟定了酸浸一丹宁沉锗-净化-碳铵沉锌的工艺生产锗精矿与碱式碳酸锌产品,经生产验证,此法具有流程短、易操作,收率高,产品质量好等优点,能合理有效地综合回收烟尘中的锗锌等有价金属。 相似文献
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以8-羟基喹啉和四氯化锗为模板,采用杂化沉淀聚合法制备了8-羟基喹啉锗印迹聚合物微球MIPs,并对其微观结构及孔径分布进行表征,推测了8-羟基喹啉锗印迹聚合物合成过程,对MIPs对锗离子的吸附性能进行了研究。结果表明,MIPs具有大比表面积(170.32m~2/g)、微观多孔的纳米微球结构。吸附时间延长、溶液中初始锗含量提高,MIPs对锗离子的选择性吸附能力提高,当吸附时间2h、溶液中初始锗浓度为0.5mg/mL时,MIPs对锗的吸附率达到最大96.84%,MIPs对锗离子具有显著吸附选择特性。 相似文献
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7月份锗、铟、镓、铋市场简评 总被引:1,自引:0,他引:1
供不应求——锗市涨声不断从今年2月底开始,金属锗价开始攀升,到7月初,金属锗价已经达到了7600-7800元/公斤的高位,出口价格也在840-860美元/公斤左右。市场参与人士认为,锗价之所以持续上涨,是因为军事领域和红外设备制造业需求强劲,另外,锗也开始在太阳能电池板和计算机芯片等新的领域得到应用,而锗的供应却明显不足。 相似文献
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火法加工含锗矿石或固体燃料时,一般可获得高品位含锗产物。火法过程是在多组分体系中进行的,原则上可以形成各种类型的锗化合物。但是,为了便于研究并考虑到原料中锗化合物的形态,通常认为在火法过程中首先形成的是锗的“一代”化合物——一氧化锗(GeO)、二氧化锗(GeO_2)、硫化锗(GeS及GeS_2)以及元素锗。而这些“一代”化合物又可进一步与原料中的常量组分起反应形成一系列更为复杂的“二代”化合物——锗酸盐、硫代锗酸盐或锗的合金。下面着重叙述锗的“二代”化合物——锗酸盐及硅锗酸盐——的形成规律及物理化学特性。这对于采用湿法冶金过程从各种含锗产物中提取锗具有重要意义。 相似文献
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锗单晶作为元素半导体,二十世纪五十年代曾在电子器件的应用中,放出异彩。六十年代以来,由于硅单晶技术的发展,逐步取代了锗单晶在传统的电子器件中的应用。从此,人们不断探索锗单晶的新用途。经典理论斯忒潘——玻耳兹曼定律指出,任何物体在绝对零度以上,都发出红外光,向外辐射能量,其单位面积上单位时间内辐射的能量Eo(T)与物体本身的绝对温度关系确定为: 相似文献
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从含锗褐煤中干馏提锗和制取焦炭的试验研究 总被引:5,自引:1,他引:5
采用干馏原理和方法,设计了从褐煤中提锗同时制取焦炭的工艺流程,研究了褐煤在不同干馏温度、时间、气氛下锗的挥发特性及残余物的特性。结果表明:温度和时间是影响褐煤中锗挥发的主要因素,气氛的影响较小。当温度高于800℃时,锗大量挥发;800℃保温2h锗挥发率大于60%,1000℃保温2h锗挥发率大于80%,保温10h大于85%;1000℃保温2h的干馏残余物通过洗选可获得优质焦炭。探讨了含锗褐煤锗挥发机制,并对锗在褐煤中的赋存结构进行了研究。 相似文献
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锗在60年代中期以后,由于受到硅的竞争,在半导体领域内一直处于需求下降的地位,长期生产不振。但近年由于锗在半导体以外新的应用不断扩大,形势为之一变,锗市场出现了新的繁荣局面,半导体锗在锗生产中所占比重日益下降。即以锗晶体管和二极管的最 相似文献
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采用火法烟化挥发法处理湿法炼锌、火法炼铅渣后产生的氧化锌烟尘主要含锌、铁,还含有铟、锗等一种或多种稀有金属,具有较高的回收价值。常规处理氧化锌烟尘采用两段酸浸工艺处理,通常只能针对其中一种稀有金属进行单一回收,不能满足目前企业的原料变化和冶炼要求。以含铟、锗的氧化锌烟尘为原料,利用铟、锗浸出特性的不同,通过调控反应过程的酸度,分步浸出铟、锗,并通过铟、锗萃取特性的不同,进一步分离回收铟、锗,从而实现氧化锌烟尘中铟、锗的分离提取。结果表明,经三段中浸—低酸浸—高酸浸强化浸出,中浸液中铟含量在2 mg/L左右,锗含量在60 mg/L左右,可用于后续的沉淀回收锗;低酸浸出液的铟含量在280 mg/L左右,锗含量在70 mg/L左右,经过后续的中和沉淀,铟富集到10 075 g/t左右,中和渣进行浸出—萃取—电积得到精铟产品和含锗萃余液,萃余液返回中浸,达到了铟锗分离提取的目的,实现了对资源的综合利用。 相似文献
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半导体材料的红外光学特性及应用 总被引:7,自引:1,他引:6
综述了半导体材料的红外光学性能及相关的力学、热学性能,讨论了影响红外透过率的主要因素,介绍了几种半导体材料在红外光学方面的应用 相似文献
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一、前言六十年代以前,锗一直是作为重要的半导体材料而被大量使用的。以后由于硅材料的崛起,致使锗在半导体领域的用量一落千丈。然而由于其在红外、光纤、催化剂、医药食品等领域的开发应用,锗仍然保持着一定的消耗量。由于受到资源等条件的限制,随着上述应用领域的进一步发展,锗的供应会日趋紧张,原料价格还将继续上升。长年来美国和日本一直把锗作为战略物资储备。因此如何进一步开发我国锗的应用和合理利用我国丰富的锗资源,是我国有关工作者的重要任务。 相似文献
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