溶胶-凝胶-燃烧法制备MgO-Al2O3:Ce3+、Tb3+及其光谱行为的研究

采用溶胶-凝胶-燃烧法在800℃合成了掺杂Ce3＋和Tb3＋的MgO-Al2O3体系发光材料,比传统高温固相扩散法的合成温度降低了700～800℃.研究了MgO-Al2O3基质当中单掺杂Tb^3＋及共掺杂Ce^3＋、Tb^3＋的发光材料荧光光谱行为,以及恒定温度下时间与浓度对发光材料荧光光谱行为的影响,并对其红外光谱和反应原理进行了探讨.     

稀土发光材料NaSrPO4∶Eu2＋,Ce3＋的制备及光谱研究

采用溶胶凝胶法制备了NaSr0.995-XPO4∶0.005Eu^2＋,xCe^3＋系列样品（x=0.01,0.03,0.05,0.07）,并利用X射线衍射及光谱等技术对材料的结构和发光性能进行了表征.XRD分析表明该样品为单相,稀土离子Eu2,Ce3＋的加入并未改变NaSrPO4的晶格结构;荧光光谱分析显示在最大激发波长340 nm的激发下,最大发射波长位于430 nm处,样品发蓝光.Ce3的掺杂可使Eu2的发射强度显著增强,样品的发光强度随着Ce3＋掺入量的增加呈现先增后降的趋势,在浓度大于0.05时,出现了浓度猝灭现象.     

掺Eu3+,Tb3+钨酸钙的共沉淀法制备及表征

采用共沉淀法成功制得了稀土Eu3+、Tb3+掺杂的CaWO4三原色荧光粉体.利用XRD表征产物的晶体结构,研究表明:由于Eu3+、Tb3+离子半径与Ca2+大小相当,稀土掺杂CaWO4的晶体结构并未引起其晶体结构的较大变化.荧光光谱仪测定样品的发光特性,结果表明:纯CaWO4产生430 nm波长蓝光,CaWO4:Tb3+产生543 nm波长绿光,而CaWO4:Eu3+则产生616 nm波长红光.     

电化学沉积法制备Gd2O3∶Eu3+薄膜的发光特性研究

采用电化学沉积法制备Gd2O3∶Eu3+荧光薄膜,通过调节Eu3+离子掺杂浓度来探究具有最佳发光效果的薄膜,利用XRD、SEM,PL光谱和EDS测试分析该种材料的物相构成及表面形貌.结果显示:电化学沉积法制备的薄膜结晶效果好,具有立方晶体结构,掺杂离子Eu3+离子均匀地分布在薄膜中;制备出的荧光薄膜有良好的发光强度,当Gd(NO3)3·6H2O与Eu(NO3)3·6H2O的体积比为10∶1时发光强度最大,但当Eu3+离子掺杂浓度过大时,会出现荧光淬灭现象,电化学沉积法可以制备出具有良好发光性能的荧光薄膜.     

Ce和Tb共掺杂多硼酸盐荧光体的光谱特性

采用高温固相法合成了Zn4B6O13:Ce/Tb和Ca3B7O13Cl:Ce/Tb光致发光材料,它们的发射光谱峰值分别位于542 nm和553 nm绿光区,并都归属Tb 3 的5D4→7F5特征能级跃迁,由于基质的组成不同,Tb3 的发射位置有所差异.依据Dexter理论分析,确定了在这两种不同基质中存在Ce3 →Tb3 的能量传递,且Ce3 是Tb3 的高效敏化剂.     

Eu3+在ZnO-BaO-La2O3-B2O3玻璃中的发光性能研究

用高温固相熔融法合成了在ZnO-BaO-La2O3-B2O3中掺杂Eu^3 发射红光的玻璃体（MBE）。对样品进行了IR谱测试，并对其激光发谱和发射光谱进行分析结果表明：在基质的BO3结构中O^2-Eu^3 的CT带位于295nm ,Eu^3 的强发射峰来自^5D0 →^7F1和^5D0→^7F2跃迁，．即存在磁偶极和电偶极两种跃迁。用扫描电镜观察 了玻璃的横断面。     

CaSiO3: Eu3+ 的发光性能

采用溶胶—凝胶法制备出了CaSiO₃: Eu³⁺,主要研究Eu³⁺在CaSiO₃中的发光机理及它们浓度变化对其光谱性质的影响。     

燃烧法制备SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料

以硝酸盐和尿素为基质,采用一次燃烧法在较低炉温(600～620℃)下合成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.通过对比实验,研究了原料的用量对产物合成及性能的影响.实验结果表明,在n(尿素):n(硝酸盐)=12∶1,硼酸摩尔分数为0.10%～0.12%,Eu2O3为0.2%,Dy2O3为0.4%时,制备的SrAl2O4: Eu2+,Dy3+具有好的余辉性能.     

SrAl2O4:Eu2+,Dy3+光致发光釉的研究

利用SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 长余辉光致发光粉体，在陶瓷坯体上制备了釉面平整光滑的长余辉光致发光釉；通过比较SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 粉体和光致发光釉的激光光谱和发光光谱以及结构分析表明，该发光釉保持了SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 发光材料的发光特性，其发射峰是中心位于520nm的宽带光谱；研究了釉料不同组成对发光釉性能的影响及SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 粉体的不同含量对光致发光釉发光亮度和余辉时间的影响，获得了釉面发光亮度高、余辉时间长的最佳配方。     

(Y1-y,Gdy)3-xAl5O12:Ce3+x荧光粉的合成与发光性能的研究

用高温固相法在还原气氛下制备掺Gd的YAG:Ce3+荧光粉,并用X射线衍射分析测定(Y1-y,Gdy)2.94Al5O12:Ce0.063+荧光粉的晶体结构,用970CRT荧光分光先度计测定激发光谱和发射光谱.研究Ce3+的不同掺入量对YAG:Ce3+荧光粉的发光性能的影响.结果表明,合成样品的结构属于立方形的钇铝石榴石晶体结构.激发峰位于475nm处,归属于Ce3+的4f到5d跃迁,发射峰位于542nm处,归属于Ce3+的5d到4f跃迁.     

Ce^3＋在钙钛矿型KMF3（M=Mg,Ca,Sr,Ba）基质中的发光特性

采用高温大相反应法,在Ａｒ气氛中合成了ＫＭＦ３（Ｍ＝Ｍｇ,Ｃａ,Ｓｒ、Ｂａ）基质化合物和掺杂Ｃｅ＾３＋的磷光体。经Ｘ射线衍射分析确定,ＫＭｇＦ３和ＫＣａＦ３属于方晶系、钙钛矿型结构,ＫＳｒＦ３和ＫＢａＦ３具有类似的结构。     

Synthesis and luminescence properties of Eu3＋, Sm3＋ doped （YxGd1-x）2O3： Si4＋, Mg2＋ long-lasting phosphor

A novel red long-lasting phosphor,(Y1-xGdx)2O3:Eu3+,Sm3+,Si4+,Mg2+,was synthesized by the co-precipitation method using oxalate precipitation as the precursor.X-ray diffraction(XRD),scanning electronic microscopy(SEM),integrated thermal analyzer(TG),and photoluminescence spectra(PL) as well as the ST-900PM weak light photometer were used to study the synthesis conditions,morphology,luminescence properties,and the decay time of the phosphor.The XRD results show that the products synthesized at 1400°C for 4 h...     

掺杂对纳米晶Y2O3:Eu3+发光性质影响的研究

在尿素作沉淀剂的条件下,采用均相沉淀法制备出掺杂不同金属离子(K ,Mg2 ,Ba2 )的Y2O3:Eu3 发光材料。通过XRD、IR、激发与发射等技术研究了材料的结构与发光性能,并考察了掺杂不同金属离子对Y2O3:Eu3 发光材料的结构和发光性能的影响。结果表明,用此方法制备的Y2O3:Eu3 发光材料的发光性能良好,同时掺杂金属离子K ,Mg2 ,Ba2 都能对Y2O3:Eu3 的发光性能有极大的影响。     

Sm（HTH）3Phen在改性MCM-41中的组装及发光性质

利用缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和甲基丙烯酸丙酯基三甲氧基硅烷对MCM-41进行改性,将稀土配合物Sm（HTH）3Phen（HTH=4,4,5,5,6,6,6-七氟-1-（2-噻吩基）-1,3-己二酮,phen=1,10-邻菲啰啉）组装到MCM-41及改性的MCM-41的孔道中,利用XRD,29Si核磁共振光谱,固体漫反射光谱等对其结构进行了表征,并研究组装体的发光性质.结果表明,相比纯配合物,Sm（HTH）3Phen在两种改性及未改性MCM-41中的发光纯度得到提高,组装体的激发光谱发生了蓝移.对比三种组装材料,对MCM-41表面进行改性可以有效地提高组装体的发光强度.     

Bi_2O_3-B_2O_3-RE_2O_3(RE=Ce,Tb)玻璃的光学带隙

采用熔融法制备了Bi2O3-B2O3-RE2O3(RE=Ce,Tb)玻璃,根据Urbach公式和Tauc方程分别计算了含不同种类稀土玻璃的Urbach能及光学带隙,并探究了Urbach能与光学带隙的关系.结果表明:增加稀土离子,玻璃中非桥氧键增多,玻璃的结构疏松,电子跃迁所需的能量降低,Urbach能降低;随着极化率增加,玻璃的键强降低,吸收边增加,光学带隙减小,且光学带隙随着Urbach能的减小线性降低.     

Tb3+掺杂ZnO-B2O3-SiO2玻璃长余辉发光机理

采用高温熔融法制备了Tb³⁺掺杂ZnO-B₂O₃-SiO₂玻璃，通过荧光光谱、余辉衰减曲线、热释发光光谱以及紫外-可见吸收光谱等方法的测试分析，系统地研究了该玻璃体系的长余辉发光机理，并建立了其长余辉发光的半程隧穿模型.Tb³⁺掺杂ZnO-B₂O₃-SiO₂玻璃的长余辉发光只跟能级较浅的电子陷阱有关，不同能级深度的陷阱对应着余辉衰减的不同过程；Tb³⁺离子是被紫外光直接激发发生光氧化失去电子的，然后电子经由导带被能级深度不同的电子陷阱捕获；电子从陷阱中热致逃逸出来后，通过5d能带隧穿到与陷阱最邻近的激活离子上而复合发光.     

Sol-Gel法合成SrO-TiO2-SiO2:Eu3+,Bi3+发光材料

用Sol-Gel法合成了SrO-TiO2-SiO2为基质、稀土Eu3+激活的发光材料;研究了材料的合成条件,测试了样品的激发光谱、发射光谱、X-ray衍射光谱等;用TGA-DTA分析了样品合成时的反应行为;获得了合成样品的最佳组成及最佳实验条件。     

Eu3+、Tb3+掺杂Zn4B6O13光致发光材料的研究

采用高温固相扩散方法，获得了Eu^3 、Tb^3 单掺杂和Eu^3 /Tb^3 双掺杂于过渡金属Zn4B6O13基质中的系列荧光材料，并分别研究了它们的光谱行为，其中Eu^3 位于610nm的强发射是来自^5D0→^7F2的跃迁；Tb^3 位于541nm的强发射是来自^5D4→^7F5的跃迁；Eu^3 /Tb^3 双掺杂时主要发射峰位于625nm处．通过光谱分析证明了在基质中存在Tb^3 →Eu^3 的能量传递，且Tb^3 是Eu^3 的良好的敏化剂．本文同时还讨论了温度、稀土离子浓度对材料发光特性的影响。     

Sm（HTH）3Phen在改性MCM-41中的组装及发光性质

利用缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和甲基丙烯酸丙酯基三甲氧基硅烷对MCM-41进行改性,将稀土配合物Sm(HTH)3Phen(HTH=4,4,5,5,6,6,6-七氟-1-(2-噻吩基)-1,3-己二酮,phen=1,10-邻菲啰啉)组装到MCM-41及改性的MCM-41的孔道中,利用XRD,29Si核磁共振光谱,固体漫反射光谱等对其结构进行了表征,并研究组装体的发光性质.结果表明,相比纯配合物,Sm(HTH)3Phen在两种改性及未改性MCM-41中的发光纯度得到提高,组装体的激发光谱发生了蓝移.对比三种组装材料,对MCM-41表面进行改性可以有效地提高组装体的发光强度.     

燃烧合成CaAl2O4:Eu2+,Nd3+长余辉荧光粉的研究

应用燃烧法在较低的温度（〈850℃）下成功合成了CaAl2O4：Eu^2＋，Nd^3＋稀土纳米长余辉发光材料。研究了炉温、激活剂、辅助激活剂、助溶剂和可燃物等对发光材料性能的影响。研究结果表明，反应物置于温度为600℃的高温炉中燃烧，所得到产物的发光性能最好，发射光谱的最大波长在450nm左右。