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圆柱谐振腔式微波等离子体金刚石膜CVD沉积室的FDTD模拟与优化 总被引:1,自引:1,他引:0
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术被认为是制备高质量金刚石膜的一种最重要的技术手段。对微波等离子体金刚石膜沉积装置进行模拟与优化,可大大减少设计和改进MPCVD装置时所需要的时间与成本。本文在结合使用谐振腔质量因子和沉积台上方等离子体的密度与分布两个优化判据的基础上,采用Matlab语言和时域有限差分方法,模拟了圆柱谐振腔式微波等离子体金刚石膜沉积装置,并对其主要尺寸进行了优化。 相似文献
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微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法是目前最有发展前景的高质量金刚石薄膜沉积方法之一,但由于谐振腔中微波与等离子体之间强烈的相互作用,人们很难根据经验对谐振腔进行改进,本文利用HFSS软件对不锈钢式MPCVD的谐振腔进行了模拟,通过分析谐振腔内电场以及等离子体的分布,对谐振腔的主要参数进行了优化处理,并根据模拟结果设计出谐振腔系统,在一定条件下,沉积出了优质的金刚石膜,沉积速率可达到0.33 μm/h. 相似文献
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微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)是制备高品质金刚石膜的重要方法,而MPCVD技术的关键是其设备核心部件谐振腔的设计。本文基于目前广泛应用的圆柱式和椭球式两种MPCVD谐振腔中微波传输的特点和其各自的优点,提出了一种重入式微波谐振腔的设计构想,并利用数值模拟的方法对这一构想进行了验证。模拟的结果表明,微波在重入式微波谐振腔内外壁之间的路径传输后,可在金刚石膜沉积台处形成一最强且相对均匀的电场。在相同的输入功率下,其形成的最大电场强度高于圆柱式和椭球式两种谐振腔时的情况。由于重入式的微波谐振腔具有结构简单、频率易于调节的优点,因而这一构想可为设计制造新型的MPCVD金刚石膜沉积设备提供参考依据。 相似文献
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采用有限积分法(FIT算法) ,并利用一种简单的等离子体模型模拟了具有轴对称的微波等离子体反应腔中微波场与等离子体的行为。计算出了给定等离子体的空间分布时电场的分布情况 ,以及给定电场的空间分布时等离子体的分布情况 ,从而得到微波———等离子体反应腔中电磁场稳定分布以及等离子体的放电位置。并依据实验中的一些可变参数 ,寻求影响等离子体放电位置的参数 ,为设计化学气相沉淀(CVD)技术沉积大面积金刚石膜微波反应腔提供依据 相似文献
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磁镜场在直接耦合式微波等离子体CVD金刚石膜装置中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
在自行设计的直接耦合石英管式微波等离子体化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)金刚石膜装置的石英管反应腔加上磁镜场来约束等离子体,使等离子体球成为“碟盘”状,提高了等离子体球的密度,在基本参数为反应压力2.5kPa、基片温度450℃、Ar、CH4、H2气体流量分别为40sccm、4sccm、60sccm,则沉积面积可由30mm增长到50mm,沉积速率由3.3μm/h增长到3.8μm/h,反射电流由15μA减小到5μA。从而大大减少了薄膜在石英管壁和观察窗上的沉积,更好地利用微波能量,有效利用电离的活性基团沉积出高质量的金刚石薄膜。 相似文献
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在自行设计出的直接耦合石英管式微波等离子体化学气相沉积fchemical Vapor Deposition,CVD)金刚石膜装置的石英管反应腔加上磁镜场,以更好地约束等离子体,使等离子体球成为“碟盘”状,提高了等离子体球的密度,在基本参数不变的情况下,沉积面积可由ψ30mm增长到50mm,沉积速度由每小时3.3μm增长到3.8μm,反射电流减小,从而减少了在石英管壁和观察窗的沉积,更好地利用微波能量,有效利用电离的活性基团沉积出高质量的(类)金刚石薄膜。 相似文献
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用发射天线式微波等离子体CVD装置沉积大面积金刚石薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
在国内首次研制成功了高气压发射天线式微波等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜装置,用该装置成功地在3英寸的单晶硅衬底上沉积了Φ70mm的金刚石薄膜。这一成果填补了国内空白,对我国金刚石薄膜研究领域的设备更新换代和开发应用具有重要意义。 相似文献
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新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置 总被引:8,自引:2,他引:6
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积,在国内首次研制成功了5kW带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式MPCVD装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。 相似文献
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针对金刚石膜微波介电损耗低、厚度薄带来的微波介电性能测试难点, 研制了一台分体圆柱谐振腔式微波介电性能测试装置。利用不同直径的蓝宝石单晶样品, 用上述装置对低损耗薄膜类样品微波介电性能的测试能力及样品直径对测试结果的影响进行了实验研究。在此基础上, 使用分体圆柱谐振腔式微波介电性能测试装置对微波等离子体化学气相沉积法和直流电弧等离子体喷射法制备的高品质金刚石膜在Ka波段的微波介电性能进行了测试比较。测试结果表明, 由Raman光谱、紫外-可见光谱等分析证明品质较优的微波等离子体化学气相沉积法制备的金刚石膜具有更高的微波介电性能, 其相对介电常数和微波介电损耗值均低于直流电弧等离子体喷射法制备的金刚石膜。 相似文献
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利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法分别在CH4/H2/Ar体系、CH4/H2/O2体系和C2H5OH/H2体系中进行纳米金刚石(NCD)薄膜的制备研究。采用原子力显微镜(AFM)和激光拉曼光谱(Raman)等方法对不同体系中制备得到的NCD薄膜的表面形貌及其质量进行了检测。结果表明:在CH4/H2体系中添加O2对于促进高平整度NCD薄膜的效果明显优于添加At;C2H5OH/H2体系更有利于制备颗粒更细、金刚石相含量更高的NCD薄膜。利用等离子体CVD技术的相关理论对上述结论进行了理论分析。 相似文献
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CO2对MPCVD制备金刚石膜的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以CH4/H2/N2为主要气源,通过添加CO2辅助气体,并与未添加CO2辅助气体进行对比,进行了金刚石膜沉积。研究了添加不同浓度CO2对生长金刚石膜的影响。结果表明:当CO2流量在0~25cm3/min范围变化时,金刚石膜表面粗糙度分别为8.9nm、6.8nm、9.2nm、9.6nm。表明适量引入CO2可以降低膜面粗糙度,但是进一步提高CO2流量,膜面粗糙度反而上升。同时当CO:流量在0~15cm3/min范围变化时,金刚石膜的品质和生长都表现出上升趋势,但是超过该流量,其品质和生长率都出现下降趋势。另外,当CO2流量为15cm3/min,生长的金刚石膜不仅品质好,而且生长率也较高。 相似文献
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