E/D型HEMT DCFL倒相器

<正> 一、引言为了满足超高速计算机、高速数据处理和卫星通信等高性能电子系统的迫切需要,人们一直在寻求和开发新的超高速和微波器件。利用异质界面二维电子气(2DEG)高迁移率特性的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其IC已显示出巨大的发展潜力和广阔的应用前景。因而成为最有希望的候选者之一。以增强型(E型)HEMT为开关管、耗尽型(D型)HEMT(或饱和电阻)为负载的E/D(或E/R)型直接耦合场效应晶体管逻辑     

索尼公司开发超超高速HEMT

<正>据日本《O Plus E》1990年第131期报道,日本索尼公司已研制成超超高速HEMT,其电子迁移率可望为目前双极晶体管10倍以上,异质结双极晶体管3倍以上,它属于新一代晶体管.通过控制材料的组分,可望实现1THz级的超超高速晶体管.     

Ga_(0.47)In_(0.53)As-InP异质结界面二维电子气

本文报道了氯化物汽相外延生长Ga_(0.47)In_(0.53)As-InP异质结输运性质研究结果.4.2K下shubnikov-de Haas测量,Van de Pauw Hall测量和迴旋共振测量表明这种异质结界面存在高电子迁移率二维电子气.二维电子气浓度为1.7×10~(11)cm~(-2),电子迁移率为3.3×10~4cm~2/V·s.并观察到迴旋共振,给出电子有效质量为m_■~*=0.046m_o.     

调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)

调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)是一种基于(Al,Ga)As-GaAs的界面处存在着高载流子迁移率二线电子气的原理制成的一种新型场效应器件.科学家们预言这种器件将在微波领域及超高速超大规模集成电路中得到重要应用.本文简述了它的工作机理、基本结构、耗尽型及增强型模式、工艺制造、目前达到的性能与通常的GaAs FET的比较、初步的器件物理分析和伏安特性计算.着重指出分子束外延生长工艺是这种器件的关键工艺.     

1.2米的家用卫星接收天线

最近已研制和生产出一种直径1.2米的小型抛物面卫星接收天线,它采用了一种称之为高电子迁移率半导体器件(HEMT)。HEMT以砷化镓与铝镓砷所形成的异质结,     

氮化物异质结电子气的二维特性和迁移率

从自洽求解薛定谔方程出发,计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态。研究了电子气二维特性与迁移率间的关联。用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模型解释了室温和低温下迁移率随电子浓度变化的行为。以电子迁移率与异质结构间的关联为依据,提出了优化设计异质结构来增大电子迁移率和降低迁移率随电子浓度变化的新思路。     

分子束外延技术的新进展

科学院半导体研究所利用国产的分子束外延(MBE)设备,继制备成功具有国际水平的高纯N型GaAs单晶薄膜之后,新近,又研制出高迁移率的选择掺杂AlGaAs/GaAs异质结,并对这种异质结的二维电子气物理性质进行了研究,观测到了它在4.2K下著名的Shubnikov-de-Hass振荡和量子化霍尔“平台”效应。     

用MOVPE生长的InAlAs/InGaAs/InP异质结MODFET

<正>《Electronics Letters》1991年8月报道了用MOVPE方法生长的高性能InAlAs/InGaAs/InP异质结MODFET。由于这种结构的材料具有较高的室温电子迁移率和高的有效电子速度,所以,它在超高频响应和增益方面,优于以GaAs为衬底的异质结MODFET。     

Analysis of PTCDA/ITO Surface and Interface Using X-ray Photoelectron Spectroscopy and Atomic Force Microscopy

在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.     

Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响

在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.     

AlGaN器件欧姆接触的研究进展

作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料, III V 族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注.AlGaN与金属之间的低阻欧姆接触的实现问题阻碍了AlGaN(基)器件的发展.通过对相关文献的归纳分析,介绍了近年来AlGaN器件在欧姆接触形成、金属化方案、合金化工艺及表面处理等方面的研究进展.     

氯化物VPE生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As—InP异质结中的二维电子气

我们报导了采用氯化物VPE首次成功地生长出选择掺杂In_(0.53)Ga_(0.47)As-InP异质结,并观察到二维电子气(TDEG)在4.2K时,其最大电子迁移率为106000cm~2V~(-1)s~(-1)。     

二维电子气简介

本文简要介绍了液氦表面、半导体表面空间电荷层和化合物半导体异质结界面的二维电子气.积累在选择掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)A_s异质结界面的二维电子气在低温下迁移率剧增.调制掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)A_s超晶格是一个适合于研究量子态和次带能级的系统.因而,异质结界面处二维电子气的研究,不仅可能为新的高速和微波器件的探索打开新的途径,而且还提供了研究量子效应的新领域.     

超高速化合物半导体器件(6)

以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用.     

超高速化合物半导体器件（4）

以高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管微波／毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。     

超高速化合物半导体器件

以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。     

超高速化合物半导体器件：InP基高电子迁移率晶体管

以高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。     

超高速化合物半导体器件（5）

以高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为全，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。     

超高速化合物半导体器件（2）Ⅲ—Ⅴ族化合物异质双极晶体管

以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波／毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。     

超高速化合物半导体器件（1）

以高电子迁移率晶体率、异质结双极晶体管和微波／毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。