在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.     

在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶

高反压，大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大，大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产D101mmFZ硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索。成功实现了在国产设备上拉制D101mmFZ硅单晶。填补了空白。节约了外汇。为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

Φ105mm区熔硅单晶设备改造

本文分析了“ＥＢＧ－６０”型高频感应加热装置的结构及一些问题，介绍了如何使其适用于控制Φ１０５ｍｍ区熔硅单晶的方法。     

大直径（100）区熔硅单晶生长的特点

大直径〈１００〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：大直径区熔硅单晶１引言随着电力电子器件的飞速发展，高反压、大电流半导体器件对硅单晶的质量要求越来越高：纯度高、直径大、无位错、无旋涡缺陷及电...     

Φ20mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转瘃规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

直拉硅单晶中微缺陷漩涡浅见

本文阐述了硅单晶中微缺陷漩涡产生的条件及形成原因，认为微缺陷陷漩涡与制备硅单晶时的热历程有关，杂质是微缺陷的成核中心，自间隙原子及杂质的络合产生微缺陷漩涡，解决方法是；建立合适的热场和工艺条件，如提高热场高度和晶速度，适当增大保护气体的流通量，达到减少微区回熔和杂质污染的目的，从而减少或消除微缺陷漩涡。     

区熔硅单晶掺杂公式的探讨

中子嬗变掺杂法已广泛应用于区熔硅单晶生产中,然而常规掺杂法具有方法简易灵活,生产周期短,成本较低的特点,仍不失其使用价值。本文从真空提纯理论入手,引入了掺杂区熔后料棒杂质浓度的表达式,得到了适用于区熔硅单晶生产的常规掺杂公式并进行了有关工艺理论上的探讨。     

Φ125mm硅单晶的控氧技术

Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...     

ULSI衬底硅单晶片清洗技术现况与展望

阐述了ULSI衬底硅单晶片清洗的重要性，详尽介绍了目前世界上采用的各种清洗方法（湿法、干法、兆声、激光等）的发展概况、应用价值及发展方向，并提出晶片清洗的发展趋势将向多元化、综合化和专用化方向发展。     

Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10 5mmFZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述     

硅单晶化学腐蚀检测工艺研究

本文对硅单晶化学腐蚀检测工艺进行了研究，结合生产实际分析了传统工艺的不足并提出改进方向，通过实验，获得了一套简洁准确、高效的腐蚀检测工艺并成功地用于实际检测。     

Φ125 mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究

为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。     

8英寸大直径区熔硅单晶在津投入试生产

天津中环半导体公司最新研制开发的国内首颗8英寸大直径区熔硅单晶投入试生产。其产品质量和工艺技术达到国际先进水平,并使之形成从节能材料到硅片、芯片制造的垂直整合能力和完整产业链。     

300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析

采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟，模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变，以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程，考虑了硅单晶的各向异性，计算了〈100〉硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律，结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著，界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。     

φ100mm重掺砷〈111〉硅单晶的制备

通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的拉制工艺，轩出无位错的φ１００ｍｍ单，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的砷毒防护方法。     

《半导体材料硅单晶抛光片的加工技术》

北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司张厥宗编著的《半导体材料硅单晶抛光片的加工技术》一书近期将由《化学工业出版社》出版。     

扎波罗热钛镁联合企业的半导体硅与锗的生产技术状况

扎波罗热钛镁联合企业具有３０余年的半导体生产历史，拥有从原料制备，单晶生长到成品加工的系统工艺，该厂生产规模较大，技术水平高，还有强大的研究开发与检验测试组织。     

密闭热系统中拉制硅单晶

本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况。试验表明：密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氢气消耗，而且可有效地降低硅单晶的氧含量和热氧化层错密度。文中还对密闭系统的材料、形状、放置及作用作了具体描述。     

硅中氧的热沉淀（上）

本文综述近年来国内外在硅单晶中氧杂质的热沉淀行为方面的研究工作。着重介绍了在不同的热处理条件下,氧在硅单晶中产生的各种热沉淀现象和性质,以及解释这些热行为的氧沉淀理论。最后讨论了硅中氧的各种热沉淀对硅材料及器件性能的影响,并展望了今后在这一领域尚需解决的问题。