溶胶-凝胶法合成Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO及介电性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/MgO复合粉体,研究了烧结温度和合成工艺对陶瓷样品介电性能的影响。研究结果表明,经650℃热处理即可得到颗粒细小均匀的超细Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/MgO粉体,平均粒径在200 nm左右。烧结温度对陶瓷样品的介电生能有明显的影响,1300℃烧结的陶瓷样品具有优良的性能。与二步合成工艺相比,一步合成工艺制备的陶瓷样品具有更好的介(?)性能。     

溶胶-凝胶法制备巨介电常数材料CaCu3Ti4O12

通过溶胶-凝胶法制备CaCu3Ti4O12干凝胶,再经700～900℃,6～10h预烧和950～1 100℃,16～20h烧结,成功制备了CaCu3Ti4O12粉体和CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷材料.用X射线衍射、扫描电镜分别确定了样品的结晶性能和形貌.用阻抗分析仪在10～106Hz范围内测试了陶瓷样品的介电性能.结果表明:粉体的结晶性能与煅烧温度有关,陶瓷介电性能与其晶粒大小有关.相对于传统固相反应合成法制备的粉体和陶瓷,粉体的预烧和陶瓷的烧结温度都有明显降低,烧成温度至少降低100℃.在800℃预烧的CaCu3Ti4O12粉体并在1 100℃温度下烧结制备的陶瓷,其介电常数可达194753.     

MgTiO3-Bi4Ti3O12微波介质陶瓷的制备及性能研究

采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12掺杂的MgTiO3陶瓷,研究了其对MgTiO3陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响。通过测试分析发现,Bi4Ti3O12不仅可以显著降低陶瓷的烧结温度,同时还可以大大提高其介电常数,当Bi4Ti3O12/MgTiO3摩尔比为0.02时,MgTiO3-0.02Bi4Ti3O12陶瓷的最佳烧结温度为1 150℃,介电常数为31.99。     

粉体合成温度对钽酸锶铋陶瓷介电行为的影响

利用五氧化二钽(Ta2O5),碳酸锶(SrCO3)和乏氧化二铋(Bi2O3)等原料,采用传统的粉体固相合成方法,在不同温度800,900,1 000℃和1 100℃合成钽酸锶铋粉体,研究粉体合成温度对钽酸锶铋陶瓷介电性能的影响.X射线衍射结果表明:不同温度下煅烧均能够合成钽酸锶铋单一物相,但是烧结致密程度明显不同,当粉体合成温度较低时,气孔相对细小,尺寸均匀.进一步的介电性能测试表明:粉体合成温度对Curie点和介电强度具有影响.较低粉体合成温度可以在一定程度上改善陶瓷的介电性能;较高的粉体合成温度则导致Curie点偏移,恶化陶瓷的介电性能;介电性能的改变主要和烧结过程中形成气孔缺陷有关.     

BaCu(B_2O_5)助烧对0.95MgTiO_3-0.05CaTiO_3微波介质陶瓷性能的影响

研究了BaCu(B2O5)的掺入对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3微波介质陶瓷介电性能的影响。用XRD和SEM分析其相组成及微观形貌。结果表明:BaCu(B2O5)的加入能够使0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷的烧结温度降至1100℃并有效抑制第二相MgTi2O5的形成。在1100℃烧结3h,加入3wt%BaCu(B2O5)的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷获得了较好的介电性能:εr=22.9,Q×f=25,000GHz(7GHz),τf=-3.3ppm/℃(7GHz)。     

氧化锌和铅硼玻璃料对MgTiO3微波介质陶瓷的影响

研究了氧化锌和铅硼玻璃料的加入对MgTiO3微波介质陶瓷的烧结和微波介电特性的影响。结果表明：氧化锌和铅硼玻璃料均可以使MgTiO3微波介质陶瓷的烧结温度降低，在等量添加的条件下，铅硼玻璃料降低烧结温度的效果更佳，可使烧结温度降至1200℃，且器件在2－6GHz的频率范围内具有良好的介电性能。     

埋粉烧结对BaTiO3陶瓷性能的影响

将自制的水热法BaTiO3粉体干压成形后,分别进行无埋料烧结、Al2O3粉体做埋料烧结和母体BaTiO3粉体做埋料烧结,对烧结后陶瓷体的致密度、显微结构及介电性能进行了分析.结果表明:埋粉烧结对BaTiO3陶瓷体的性能产生显著影响;BaTiO3粉体做埋料时得到的瓷体密度高、晶粒小、电性能优良.     

添加剂对MgTiO3系统陶瓷介电性能的影响

用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷.MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系.调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εr.研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影响:硼掺杂降低了陶瓷的烧结温度,同时加快了陶瓷的致密化过程,而且对Q值(Q=1/tanδ)没有明显的负面影响.硼在烧结中以液相存在,因而促进了烧结中反应的进行,起到了助熔剂的作用.     

锆钛酸锶的烧结及其介电性能表征

以四氯化钛、氧氯化锆、硝酸锶和氢氧化钠为原料,采用共沉淀法在25℃反应90℃陈化2h制备了锆钛酸锶(SrTixZr1-xO3)粉体,用X射线衍射(XRD)表征了锆钛酸锶粉体的物相.用透射电子显微镜表征了锆钛酸锶粉体的粒径.并采用干压成型法压制素坯进行烧结;确定了烧结制度为:升温速率3℃/min,1 400℃保温4h.对烧结后的陶瓷坯体进行介电性能表征,在1 kHz下SrTio.7 Zr0 3 O3陶瓷坯体的相对介电常数为135.6,介电损耗tanδ为24.4×10-3;SrTi0 5 Zro.5 O3陶瓷坯体的相对介电常数为122.3,介电损耗tanδ为137.38×10-3.     

制备工艺对BNBT陶瓷介电性能的影响

BNT(BaO-Nd2O3-TiO2)系统陶瓷是一种介电性能优良的陶瓷材料.在BNT中添加一定量的Bi2O3,可以得到介电性能更优的BNBT(BaO-Nd2O3-Bi2O3 -TiO2)陶瓷.该文分别研究了球磨时间、烧结温度和保温时间对BNBT陶瓷介电性能的影响.结果表明:当球磨时间为10 h、烧结温度为1160 ℃、保温时间为9 h时,BNBT陶瓷的介电性能为:介电常数ε=99.8281,介电损耗tanδ=2.65×10-4,介电常数温度系数αε≤±30 ppm/℃.     

添加剂对钛酸镁陶瓷性能影响的研究进展

综述了添加剂对钛酸镁陶瓷性能影响的研究现状,烧结及介电性能等方面的进展。研究结果中可以看出,Bi2O3-V2O5、Co2O3、ZnO等氧化物及氧化物玻璃料的添加可以不同程度地大幅降低陶瓷的烧结温度。在Mg2TiO4中掺杂不同添加剂可适当改变其介电常数,满足其介电常数材料的应用需要;在MgTiO3中掺入不同添加剂可不同程度改变其介电常数,得到具有较高Q*f值且τf≈0的钛酸镁基陶瓷材料。从当前研究现状可以看出,掺杂改性是获得所需性能材料的强有力手段,也是今后对钛酸镁基陶瓷性能优化的主要研究方向之一。     

钛酸镁基微波介质陶瓷粉末制备方法及研究进展

钛酸镁瓷是一种重要的微波介质陶瓷,MgO-TiO2系统存在三种化合物,正钛酸镁、偏钛酸镁、二钛酸镁,三者结构和性能不同。因此为获得高性能陶瓷,通过对组成以及制备工艺的控制,制备单一相的物质至关重要。本文综述了制备钛酸镁粉末的几种方法以及其他几种新兴制备方法。     

B2O3掺杂对α-CaSiO3/Al2O3陶瓷低温烧结及微波介电性能的影响

通过传统固相法制备了α-CaSiO3/Al2O3-B2O3微波介质陶瓷,研究了不同B2 O3添加量对α-CaSiO3/Al2O3陶瓷烧结特性、相组成及微波介电性能的影响,通过XRD、SEM和网络分析仪对其相结构、微观形貌和微波介电性能进行了表征.结果表明:B2 O3的添加使陶瓷的烧结温度从1375℃降低到了1100℃,并使主晶相由α-CaSiO3相变为β-CaSiO3相;当B2 O3的添加量为3wt%时,在1100℃烧结2 h可获得最佳微波介电性能:εr=6.21,Q×f=30471 GHz,τf=-34.58 ppm/℃.     

含Pt金属芯压电陶瓷纤维的微观结构和电学性能

以传统固相法制备的0．55Pb（Ni1/3Nb2／3）O3-0．45Pb（Zr0.3Ti0.7）03（PNN-PZT）压电陶瓷粉体为原料,采用挤压成型工艺制备含Pt金属芯压电陶瓷纤维。以PbTi03作为保护粉体,对纤维坯体进行1200℃不同时间（0．5、1．0h和2．0h）的烧结处理。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、阻抗分析仪和铁电分析仪等研究了烧结时间对纤维微观结构、压电性能和铁电性能的影响。结果表明：在烧结时间范围内制备的压电陶瓷纤维为单一钙钛矿结构,未发现焦绿石相或其他杂相;随烧结时间增加,陶瓷纤维晶粒尺寸增大,压电和铁电性能明显提高。在1200℃保温2．0h制备的压电陶瓷纤维电学性能较好,压电常数（西1）、相对介电常数（曲、介电损耗（tanδ）和矫顽场（＆）分别为-145pC／N、3313、2．6％和0．27kV／mm。介电温谱结果表明：该陶瓷纤维的特征Curie温度为125℃,峰值相对介电常数为8093。     

BaCu(B_2O_5)助烧对CaO-BaO-Li_2O-Sm_2O_3-TiO_2微波介质陶瓷低温烧结和介电性能的影响

研究了BaCu(B_2O_5)(简写为BCB)掺入对14CaO-4BaO-8Li_2O-12Sm_2O_3-63TiO_2(简写为CBLST)微波介质陶瓷介电性能的影响.用XRD和SEM研究其相组成及微观形貌.结果表明:BaCu(B_2O_5)掺入能显著降低CBLST陶瓷的烧结温度,由1325 ℃降至1100 ℃.1100 ℃烧结2 h后,仍包含正交钙钛矿相和棒状的BST相.掺入6wt% BaCu(B_2O_5)的CBLST陶瓷取得了较好的介电性能:Kr=87.76,tanδ=0.018,TCF=-4.27 ppm/℃(1 MHz).     

TiO2加入量对铝镁质干式捣打料性能的影响

以电熔白刚玉、电熔镁砂、活性Al2 O3微粉为主要原料,以TiO2为烧结剂,分别在1300℃、1400℃、1500℃和1600℃热处理3 h制备铝镁质干式捣打料.研究了TiO2加入量、热处理温度对捣打料物相、烧结性能、力学性能及显微结构的影响.结果表明,适量TiO2的引入能显著促进铝镁质干式捣打料的反应烧结,常温和高温...     

低温烧结CuO-V_2O_5-Bi_2O_3掺杂Zn_3Nb_2O_8陶瓷的微波介电性能

研究了CuO–V2O5–Bi2O3作为烧结助剂对Zn3Nb2O8陶瓷的烧结特性、微观结构、相结构及微波介电性能的影响。CuO–V2O5–Bi2O3复合掺杂可以将Zn3Nb2O8陶瓷的烧结温度从1150℃降到900℃。在900℃烧结4h的Zn3Nb2O8–0.25%(质量分数,下同)CuO–1.5%V2O5–1.5%Bi2O3陶瓷的密度达到了理论密度的98.1%,相对介电常数为18.8,品质因数与谐振频率之积为39442GHz。该体系的介电性能和陶瓷的致密度与烧结助剂的含量及烧结温度密切相关,陶瓷的致密度和相对介电常数随CuO–V2O5–Bi2O3烧结助剂含量的增加而增加,同样陶瓷的致密度和相对介电常数也随烧结温度的升高而提高。     

Li2CO3掺杂对0.2PMN-0.8PZT陶瓷的影响

利用铌铁矿预产物合成法,研究不同温度烧结下Li2CO3掺杂对0.2 PMN-0.8PZT压电陶瓷(简称PLC)的相结构和电性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的分析结果表明,掺杂LiCO3的0.2PMN-0.8PZT压电陶瓷经不同温度煅烧后,所有陶瓷样品的相组成均为纯钙钛矿相,并随着烧结温度的升高,PLC的相结构有由四方相向菱方相转变的趋势。通过0.2PMN-0.8PZT压电陶瓷掺杂LiCO3煅烧后的微观形貌、介电常数、压电性能、铁电性能的分析,发现经1200℃烧结的样品的介电和压电性能最佳:介电常数(εr)为38512,室温压电常数(d33)为300 pC/N,剩余极化强度(Pr)为31.3 C/cm2,矫顽电场(Ec)为7.5 kV/cm。     

High porosity Ca-α-SiAlON ceramics with rod-like grains fabricated by freeze casting and pressureless sintering

Ca-α-SiAlON ceramics with high porosity and fine rod-like grains were fabricated using unidirectional freezing and pressureless sintering. The high porosity of green body was maintained during sintering, which was mainly controlled by solid loading of slurry. Phase analysis showed that α-SiAlON was major phase while small amount of AlN’ was inevitable. The anisotropic growth of α-SiAlON was controlled by sintering temperature, fine rod-like α-SiAlON grain morphology was obtained after sample was sintered at 1810℃ for 1.5 h. The aligned channel became more uniform with higher solid loading, gave rise to better mechanical properties. The fabricated samples demonstrated remarkably comprehensive properties including low thermal conductivities, low dielectric constant and dielectric loss.     

钛酸镁粉末合成工艺与性能的研究

本文采用常规的电子陶瓷粉末合成工艺制备了钛酸镁粉末,研究了原材料纯度、合成保温时间对产品电性能的影响。XRD分析表明主晶相是MgTiO3,还有少量的MgTi2O5等物质。性能测量结果表明,用该粉末制备的微波介质谐振器的性能良好。