稳压二极管的应用

稳压管是一种特殊的二极管。其伏安特性曲线和普通二极管比较相似,只是反向特性曲线较陡、线性度好。一般二极管反向电压超过其反向耐压值时会被击穿而损坏。而稳压二极管则不同,它在承受反向电压达到稳压值时,反向电流急剧增大。只要反向电流     

集成式等效低压二极管

采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管.该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联.这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的特性.选择特有的版图设计和工艺流程,可以将普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的电压VECO(实际也是等效低压二极管的反向击穿电压)调整到5.1V以下,该等效低压二极管的反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10 Ω以内.利用此特性,该等效低压二极管适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失.     

电视机用硅二极管的测试

功率硅二极管在各种电视机中用作整流管、升压管、阻尼管、续流二极管等,这些管子往往承受较高的电压,流过的电流也比较大,使用数量又多,故应注意其可靠性。正向及反向伏安特性硅二极管的正向及反向伏安特性可在晶体管特性图示仪上测绘。当正向电压逐渐增大超过 V_c 时,正向电流 I_F 随电压迅速上升,当环境温度自 t_1升高到t_2时,特性变化如图1所示。在晶体管特性图示仪上可观察到室温时硅二极管的反向特性大致如图2中 t_1情况所示。当逐步提高反向电压 V_R 到雪崩电压 V_(?)以上时,反向电流 I_R 迅速上升,当环境温度自 t_1上升到 t_2时,雪崩电压升高到 V′_(?),温度继续上升到 t_3时,反向特性形状发生变     

二极管串联不需均压电阻

一般为适应耐压要求,将两个或更多个二极管串联运用时,在各二极管上并联着所谓均压电阻,用以平衡各管所承受的反向电压.笔者根据对两个二极管串联运用时反向电压的分配所作的分析,并参照有关文献关于二极管P-N结击穿损坏的原理,得出结论:二极管串联运用时毋须并接均压电阻.硅二极管通常有如图1所示的反向伏安特性.在     

恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析

在恒磁场为0～2T的范围内,对Si、Ge基二极管的反向饱和电流和正向电流进行了测试.结果表明,在一定的电学条件下,随着磁感应强度B的增大,磁场对Ge基二极管的反向饱和电流的影响比Si基二极管的更明显.磁场对Si基二极管的正向特性几乎没有影响,但可以观测到Ge基二极管的正向电流随磁场的增强发生了变化.依据半导体理论基础,对实验结果进行了分析并通过建立理论模型对磁场中二极管的I-V特性进行了模拟.     

高压Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管

在N型6H-SiC外延片上,通过热蒸发,制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积,进行同质外延生长,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性,该肖特基二极管具有较好的整流特性．反向击穿电压约为400V,室温下,反向电压VR＝200V时,反向漏电流JR低于1×10－4A／cm2．采用Ne离子注入形成非晶层,作为边缘终端,二极管的击穿电压增加到约为800V．     

高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管

在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.     

两种增强肖特基二级管芯片稳定性的设计方法

首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进.结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强,因而建议大力推广使用.     

JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究

借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展（JTE）结构的碳化硅（SiC）肖特基二极管（SBD）。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响。通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求。     

6H-SiC高压肖特基势垒二极管

在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性,结果表明,肖特基二极管具有较好的整流特性：反向击穿电压约为450V,室温下,反向电压VR=-200V时,反向漏电流JL=5×10-4A*cm-2;理想因子为1.09,肖特基势垒高度为1.24—1.26eV,开启电压约为0.8V．     

用激光辐照工艺制造肖特基势垒

用CWCO_2激光器辐照Al-Si系统,制成了肖特基势垒。介绍了这些二极管的电特性,其反向击穿电压可与普通的P~+-n结二极管相比较,并具有较大的势垒高度、较小的开启电压和好的整流特性。     

线性余因子差分法提取二极管参数

本文介绍了一个直接提取二极管参数的方法,线性余因子差分法（LCDO）。通过使用LCDO法,得到二极管的电压-电流特性曲线的极值,根据相应的极值位置可以直接提取二极管的特性参数。利用本方法,提取不同尺寸和温度的二极管的特性参数,如反向饱和电流,串联电阻和非理想因子。提取结果与实验数据吻合的很好。     

关于缩短大电流开关二极管反向恢复时间的研究

通过长期的工作实践，阐述了适当条件下的金扩散对缩短反向恢复时间，提高二极管2CK28开关速度，满足了反向恢复时间，改善了二极管的反向特性。     

Si基JBS整流二极管的设计与制备

基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。     

浅谈二极管反向特性的演示教学

二极管具有正向导通,反向截止的特性,即在二极管的阳极接正电压,阴极接负电压,就能使电路导通,反之则截止。在电子理论教学中,我们经常会在电路中用灯泡的亮和灭来演示电路的导通和截止。在二极管反向截止状态,还是会有少量的电流通过,称之为漏电流。当给二极管反向加上大电压时,会使它击穿,那这个电压需多大,是不是跟书上的理论值一致?作为一个中职学生,动手制作电路的电能是培养的关键,所以这节课采用演示教学法,使学生对二极管的方向特性有一个直观的了解。     

6H-SiC高压肖特基势垒二极管

在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .8V     

频段转换二极管及其应用

介绍频段转换二极管的电特性（正向特性，反向特性，结电容和正向微分电阻）和在彩电电调谐器中的应用。     

3C-SiC功率肖特基二极管特性的计算机分析

由描述功率肖特基二极管电学特性的基本方程出发，结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析，给出3C－SiC功率肖特基二极管折衷优化设计的理论依据。     

硅整流管高压整流器

用反向耐压为500伏的硅二极管串联连接作成的高压整流器,可用作中等功率以下的高频设备的电源。它具有体积小、效率高、牢固可靠等优点。但由于硅二极管短时过负荷和反向过电压时很易遭受损坏,所以对整流器线路和保护装置要做特殊考虑。 本文对硅二极管高压整流器的线路及其特性作实验性探讨,并提供实验数据。     

简易自动晶体管特性图示仪

该简易自动晶体管特性图示仪以AT89S52单片机为控制核心,由D／A来输出扫描电压和阶梯电流,可以自动识别晶体管的管脚与极性,并测量共射组态下三极管的特性曲线与主要参数以及稳压二极管的反向伏安特性。系统采用示波器作为图形显示终端．可直接从示波器上观察到稳压二极管、三极管的特性曲线．并可同时测量晶体管的主要参数：交／直流电流放大倍数、反向饱和电流Iceo和H参数。