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<正>由于大规模集成电路集成度与微波半导体器件使用频率的提高,使得这类器件在制造时,要求刻蚀出亚微米的线条。一般的远紫外光学曝光技术已很难满足这一要求,因而高分辨率的电子束曝光技术及软X射线曝光技术得到了广泛的重视和研究。当前国际上已研制出刻蚀精度高达0.02μm的线条,并可制备高分辨率掩模版及直接在芯片上刻蚀的高分辨率电子束曝光机。运用直线电子加速器产生软X射线的曝光方法也可以制备这类器件。 相似文献
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Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ 相似文献
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本文分类研究了电子束曝光机图形数据格式转换软件的主要算法,包括平面内两多边形的相交性测试,二维图形的几何变换,基于方向环法的二维多边形运算,二维图形的可变网格分割法等算法。 相似文献
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本文讨论了用Hopfield优化网络解决DOA估计问题方法的有效性和正确性。虽然这种方法可以避免特征分解和谱峰搜索运算,但在不限制网络中输出为1的神经元个数的条件下,方法中代价函数的构造是不正确的。理论分析和仿真实验都证实了上述结论。 相似文献
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采用锁相技术,对电子束曝光机工件台运动实现速度环的全数字控制。设计了数字差频积分回路和数字差频比例控制器,能有效消除速度的静态误差和改善系统的动态特性。 相似文献
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正 (一)引言 串馈波导窄边缝隙阵天线是一种广泛应用的天线。波导缝隙电导与缝隙几何尺寸的关系是设计这种天线的基础,而缝隙导纳的频率特性则是分析天线频率特性所必不可少的依据。设计波导缝隙阵天线,虽有理论分析公式可以应用,但所得结果与实际情况还有出入;因此,设计之前,先测得波导缝隙的电导值。由于单个缝隙的电导值相当小,难以测准,加之缝隙之间又存在相互耦合,因此,人们都是测量多个(至少20个)缝隙的阵中的缝隙电导值。一般是采用测量S参量的方法,即测量波节点的移动,通过作图求得电导值。这种测量方法非常繁琐,而且精度也难保证。也有人采用行波功率法,但只能得到谐振频率上的电导值。至今尚未见到关于测量缝隙导纳的频率特性的简捷方 相似文献
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本文给出划分一种LSI版图设计图形为曝光单元集的一个算法。该算法可同时获正、反两种曝光单元集,为曝光方式的选择提供了灵活性。 相似文献
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本文对静电离心聚焦系统中相对论性电子注与波换能过程进行了原理性研究,给出了动力学线性理论分析。对有关工程问题进行了讨论,提出了电子注斜注入的设想。 相似文献
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本文简要会介绍了一种圆形电子束曝光机应用软件的结构,工作原理及工作过程;并且根据作者长期应用这套软件的具体情况,对使用该软件过程是同到的一些具体问题和解决方法作了详细的说明。此外,对自行编制的软件也作了介绍。 相似文献
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