利用SEM进行高分辨率电子束曝光

<正>由于大规模集成电路集成度与微波半导体器件使用频率的提高,使得这类器件在制造时,要求刻蚀出亚微米的线条。一般的远紫外光学曝光技术已很难满足这一要求,因而高分辨率的电子束曝光技术及软X射线曝光技术得到了广泛的重视和研究。当前国际上已研制出刻蚀精度高达0.02μm的线条,并可制备高分辨率掩模版及直接在芯片上刻蚀的高分辨率电子束曝光机。运用直线电子加速器产生软X射线的曝光方法也可以制备这类器件。     

纳米电子束曝光

JEOL JBX- 5 0 0 0 L S是矢量扫描的电子束曝光机 .系统采用 L a B6 灯丝 ,可以工作在 2 5 k V和 5 0 k V的加速电压下 .对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究 ,得到了分辨率为 30 nm的图形 ,图形的套刻精度也优于 4 0 nm.     

纳米电子束曝光

JEOL JBX-5000LS是矢量扫描的电子束曝光机.系统采用LaB6灯丝,可以工作在25kV和50kV的加速电压下.对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究,得到了分辨率为30nm的图形,图形的套刻精度也优于40nm.     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

电子束曝光技术发展动态

电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术,主要应用于0.1～0.5 μm的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光.文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用.     

高能电子束曝光技术研究

介绍了将商用透射电镜JEM—2000EX改造为高能电子束曝光系统的研制工作，在现阶段研制工作的基础上进行了曝光实验。结果表明，利用此高能电子束曝光系统可以制备出纳米线条，并且能够制备出具有高深宽比的微细结构，从而为微小器件的加工提供了新的方法。     

高能电子束纳米曝光系统的研制

微电子产业的飞速发展要求半导体器件的最小特征尺寸越来越小。传统的光学光刻技术由于受到光的衍射等限制，开始面临挑战。电子束曝光技术具有高分辨、长焦深、无需掩模等优点，成为下一代光刻技术中极具发展潜力的一种。     

电子束曝光中的邻近效应修正技术

邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变，它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正和剂量调整、图形调整等。我们以ＪＢＸ－５０００ＬＳ为手段，用三种方法：１．图形尺寸修正，１２大小图分类和剂量分配，３图形分层和大小电流混合曝光，对邻近效应进行了修正，均取得较好效果。     

缩小投影电子束曝光原理论证机

系统阐述了缩小投影（或纳米投影）电子束曝光技术的原理,以及如何将一台透射电镜改装为原理论证机的主要过程。内容包括机械结构的变动、电子光路的选择、调焦及曝光、成像系统的逐步演化、实验曝光结果与结论。     

电子束曝光机图形数据格式转换软件的算法研究

本文分类研究了电子束曝光机图形数据格式转换软件的主要算法，包括平面内两多边形的相交性测试，二维图形的几何变换，基于方向环法的二维多边形运算，二维图形的可变网格分割法等算法。     

Hopfield优化网络用于DOA估计存在的问题

本文讨论了用Hopfield优化网络解决DOA估计问题方法的有效性和正确性。虽然这种方法可以避免特征分解和谱峰搜索运算,但在不限制网络中输出为1的神经元个数的条件下,方法中代价函数的构造是不正确的。理论分析和仿真实验都证实了上述结论。     

锁相技术在电子束曝光机工件台稳速控制中的应用

采用锁相技术，对电子束曝光机工件台运动实现速度环的全数字控制。设计了数字差频积分回路和数字差频比例控制器，能有效消除速度的静态误差和改善系统的动态特性。     

波导窄边缝隙阵天线的缝隙导纳的简易测量方法

正 (一)引言 串馈波导窄边缝隙阵天线是一种广泛应用的天线。波导缝隙电导与缝隙几何尺寸的关系是设计这种天线的基础,而缝隙导纳的频率特性则是分析天线频率特性所必不可少的依据。设计波导缝隙阵天线,虽有理论分析公式可以应用,但所得结果与实际情况还有出入;因此,设计之前,先测得波导缝隙的电导值。由于单个缝隙的电导值相当小,难以测准,加之缝隙之间又存在相互耦合,因此,人们都是测量多个(至少20个)缝隙的阵中的缝隙电导值。一般是采用测量S参量的方法,即测量波节点的移动,通过作图求得电导值。这种测量方法非常繁琐,而且精度也难保证。也有人采用行波功率法,但只能得到谐振频率上的电导值。至今尚未见到关于测量缝隙导纳的频率特性的简捷方     

LSI版图曝光单元集的算法

本文给出划分一种ＬＳＩ版图设计图形为曝光单元集的一个算法。该算法可同时获正、反两种曝光单元集，为曝光方式的选择提供了灵活性。     

静电离心聚焦系统中相对论性电子注的理论分析

本文对静电离心聚焦系统中相对论性电子注与波换能过程进行了原理性研究,给出了动力学线性理论分析。对有关工程问题进行了讨论,提出了电子注斜注入的设想。     

电子束曝光机复合调整式30KV电源

介绍了复合调整式高压电源的总体设计方案，提出实现高压电源高稳定度的关键技术措施。     

EBES—40A型电子束曝光机的软件开发

本文简要会介绍了一种圆形电子束曝光机应用软件的结构，工作原理及工作过程；并且根据作者长期应用这套软件的具体情况，对使用该软件过程是同到的一些具体问题和解决方法作了详细的说明。此外，对自行编制的软件也作了介绍。     

降低电缆内导线间串扰电压的优化方法

本文根据分布参数传输线理论导出了电缆内平行多导线间串扰电压的传递函数矩阵表达式;构造了导线同串扰电压最小的优化目标函数;利用可变多面体算法进行了优化设计;根据计算结果提出了降低申扰电压的新方法。计算结果与已有的实验结果吻合。     

Ee－BES－40A全自动电子束曝光机

Ｅｅ－ＢＥＳ－４０光栅扫描电子束曝光机全部实现自动控制，为用户操作带来极大方便。本文简要论述该机的构成及调试中遇到的问题。重点论述真空自动化，送片机构的自动化，以及电子光柱调整的自动化。