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利用单晶硅的光电效应可使电子开关达到微微秒级的精度。我们制作了这种硅开关,对它的各种特性进行了测试。在探测到从锁模脉冲系列发出的主光脉中时,测量了前脉冲能量比率。由于硅的高灵敏度和快速响应特性,我们能可靠地测量达10-9量级的小的前脉冲能量比。本文重点介绍了这种硅电子开关的原理和详细性能。 相似文献
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超高速半导体全光开关技术 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了半导体全光开关的种类、特点和应用,根据其结构形式,并导体全光开关可分为平面型和波导型两种,根据其工作机理,波导型全光开关又可分相移型和频移型两类,同时,在已经报道的100Gbit/s以上的光传输系统实验中证明了全光交换的高效性。 相似文献
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1 问题 某客户需要采集硅二极管搜索激光束时输出的信号.这种典型信号所处的范围:幅度为20MV~1V,长度为0ns-15ns之间. 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1967,4(6):26
美帝国家标准局应用技术研究所的威诺格雷多夫(Ν. N. Winogradoif)和凯斯勒(Η. Κ. Kessler)已利用硅做成的衰减器来测量红宝石和砷化镓的激光束。与普通的玻璃衰减泸光片不同,这种纯硅圆片的造价低,且衰减因子不会变化。硅利用再辐射过程使激光束衰减,使由标定的光电倍增器测量的输出脉冲强度充分减小。 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1967,4(5):39
美帝西屋公司研制了一种新型装置,这种装置将激光器作为电力回路整流装置的心脏部分,起着以光线启动开关的作用,具有将交流变为直流、变换交流频率、满负荷回路的开关作用等各种机能。和以往的硅控制整流器比较,可得到十倍以上的效率。 相似文献
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我们用Nd:YAG锁模激光辐照硅,实现了光电子开关的“开”和“关”。开关结构见图1。硅薄片(~7000欧姆·厘米)上光刻微带,具体尺寸是:间隙d=0.34毫米,厚度h=0.43毫米,微带宽度W=0.34毫米。W和h尺寸的选取是使微带与传输电缆为50欧姆阻抗匹配。实验装置见图2。当开关一端加90伏直流偏压时,用0.53微米单脉冲照射,引起硅表面导电,通过传输线,在输出端测得电信号如图3,即完成开关的“开”。以后,用与0.53微米有一定光路延迟的1.06微米光随后照射。因为硅对1.06微米光吸收深,引起导电穿透硅片,形成电信号短 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
570飞秒的超高速光导开关据日本《OPTRONICS》1995年第3期报道,日本电子技术综合研究所电子器件部开发了目前最高速的570fs光导开关。这是一种由光来改变半导体介电常数的器件。该器件的制作过程是在GaAs衬底上沉积4nm钛,然后在钛膜上施加... 相似文献
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方言 《激光与光电子学进展》2006,43(8):75-75
美国一研究小组实现了科学家们长期以来的目标:利用激光破坏某些分子的化学键。他们利用激光代替加热的方法将氢原子从硅表面剥离开来,这是计算机芯片和太阳能电池制造过程中的一个关键步骤。 相似文献
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Alfons Graf 《电子设计技术》2004,11(3):160-162
耗能且需要降温的半导体电力开关已过时.使用低阻"垂直"Smart SIPMOS 开关,设计者可以按需要降低功耗.由于硅工艺和封装技术的发展,扁平PDSO封装Smart SIPMOS四路高端开关可以替代在带有散热片的TO-220封装中的四个分立开关,后者是隔热结构,装配起来比较复杂.而且,自我诊断功能和短路保护功能都内置在前者中.系统成本的降低是半导体行业"由硅代替散热片"策略所带来的主要好处. 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1976,13(10):24
把巨脉冲激光用于照相摄影技术,很早就在研究。图1是拍摄环氧树脂受到冲击力作用时的状态的一种装置,提议这种装置是为了能够借助Q开关产生的多脉冲依次抬摄变化的状态。它是从照相机发出触发信号,以引起爆炸现象和激光器振荡。同样也有以干涉条纹的变化来拍摄蒸镀膜的因激光脉冲照射引起的蒸发状态。 相似文献
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《实用影音技术》2005,(3):71
直流马达经常要作左转、右转和停止等各种操作,这些开关用单开关来控制可以使电路简化。本电路用恒定电压来控制马达的运行。发光二极管LED1、LED2、LED3分别指示马达的停止、正转和反转三种状态,定时器IC1连接成单稳态工作模式,目的是避免开关S1按下时触点抖动造成错误操作,定时器单稳时间约为500ms。先假定计数器IC2处于复位状态,这时只有Q0为高电位,Q1~Q3均为低电位,因此触发器555(IC3和IC4)输出端均为高电位,马达不转,LED1发光,表示马达处于停止状态。这时短促按下开关S1,IC1就送出一个单稳脉冲至计数器IC2,其输出向前推进… 相似文献