国外场致发射器件的新构思与进展

本文叙述了国外基于Spindt阴极场致发射器件一些新近的构思与进展。较详细涉及到的这些器件包括:场致发射阵列场效应晶体管、场致发射阴极X波段调谐放大器、微米级真空管、吉赫微波管以及真空荧光平板显示部件。     

三极碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题。在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明，李志能，陈秀峰（浙江大学信息与电子工程学系）关键词：真空微电子，反应离子刻蚀一、引言近十年来，随着真空微电子学的崛起，利用微细加工技术，使真空元器件集成化和高性能化已成为可能，一种新型场致发射阵列真空荧光平...     

三级碳纳米管场发射显示屏的制作研究

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理，基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题，荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题，在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上，成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。     

残气对活性Mo场致发射阴极阵列发射特性的影响

1引言场致发射阴极阵列对发射体尖端受污染是非常敏感的，这些污染来自真空封装内的各种残余气体。这些气体除了会改变尖端表面的性能，还会被场致发射的电子电离。这些能量高的离子撞击尖端引起尖端表面结构的变化，从而使发射电流不稳定，甚至使器件失效。因此，必须基本了解各种残气对场致发射阵列灵敏度的影响，以保证器件的发射电流具有长期的稳定性及可靠性。目前对场致发射真空微电子器件人们感兴趣的是将它用作矩阵寻址电子束激发源的平板场发射显示器（FED）。场致发射显示器与阳极射线管相类似，只是它采用薄型平板封装。FED工…     

场致发射平板显示器的研究进展

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示器是一种新型的平板真空器件。介绍了二极管型和三极管型场致发射显示器的各种基本结构,给出了场致发射平板显示器的基本行列矩阵寻址方式原理,重点分析和讨论了在制作大面积平板器件方面所存在的支撑结构问题,这种新颖的平板显示技术将会进一步降低生产成本和提高显示质量。     

场致发射显示技术分析

本文介绍了场致发射荧光显示技术的工作原理及特点,分析了场致发射荧光平板显示屏的工作方式,结构及其制作工艺,并讨论了影响显示屏性能的主要因素。     

高真空场发射三极显示器的制作

三极结构的场致发射显示器是一种新型的真空平板显示装置,高真空的实现与维持是确保显示器件正常工作的必要条件.通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺和玻璃定位片装置,实现了场致发射显示器的高真空平板封装.从器件封装结构、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了工艺改进.综合采用这套技术,已经研发出三极结构的、具有高真空度的碳纳米管阴极场致发射显示器样品.     

FED制作工艺研究

本文介绍了我们开发的ＦＥＤ工艺，包括；硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性产伴有荧光激发。     

真空微电子器件发射稳定性和可靠性概述

解决真空微电子器件的稳定性和寿命问题，可以扩大场臻发射器的应用范围。本文概述了影响真空微电子场致发射阴极阵列发射稳定性的几个因素，认为阴极材料和功函数是决定真空微电子器件发射稳定性的主要因素。最后提出了解决发射稳定的几个建议。     

碳纳米管阴极平板显示器的工艺研究

碳纳米管场致发射显示器是一种新型的真空器件，也是一种具有巨大应用潜力的平板型显示设备。本文详细地介绍了碳纳米管场致发射原理，给出了碳纳米管阴极平板显示器的基本结构和工作原理，对于显示器件的真空封装，碳纳米管阴极装配，控制栅极制作等工艺问题进行了阐述和研究。采用这些技术，已经研制出了碳纳米管阴极场致发射显示器的样品。     

高亮度金刚石薄膜场发射荧光管的制作

利用微波等离子化学气相沉积法,制备出类球状微米金刚石聚晶薄膜作为场发射阴极材料。通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺,从器件封装、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了探索和创新,实现了场致发射荧光管的高真空封装。综合采用这套技术,已经研发出的真空场致发射荧光管,在5.45 V／μm电场下,光的亮度达到了11 000 cd／m2。为将来设计制作矩阵寻址场发射平板显示器件奠定了基础。     

一种新型显示器：分层优化薄膜场致发光显示屏

一、什么是场致发光显示屏？场致发光是在电场的作用下，直接将电能转换为光能的发光现象。实现这种发光的材料很多。利用这种材料制成的场致显示屏，将不需要真空，成为全固体化的发光器件，而且是平板显示器件。这种平板场致发光显示屏，按激发电源不同，有交流和直流两种。场致发光器是本世纪３０年代发明的。到目前为止，已经发展了三代。第一代是粉末场致发光器；第二代是夹层结构单色场致发光器，其发明人是日本的猪口敏夫；第三代是分层优化彩色薄膜场致发光器，其发明人是徐叙容教授。因为它是显示器中主动发光的后起之秀，目前世界…     

真空微电子平板显示器（FED）进展述评

本文描述了场致发射阵列平板显示器（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｐｌａｙ）工作原理，和其他平板器件性能的比较，关键技术及未来市场发展前景。     

AL300B在平板显示FED控制系统中的应用

场致发射显示器(FED)是新一代自主发光型真空平板显示器件,因其兼有平板显示器件和阴极射线管的优点而赢得了普遍关注,具有巨大的应用前景。FED显示器由显示屏和驱动系统组成,控制系统是驱动系统中的重要组成部分。平板显示专用控制芯片AL300B,作为数据格式转换芯片,支持的最高分辨率是1,280×1,024,实现解隔行和多种视频格式转换的功能,满足了FED显示屏对VGA分辨率的要求。文章对AL300B芯片的结构和性能特点作了较详细的介绍,并重点给出了它在FED控制系统中应用的工作原理。整个系统实际测试的结果与仿真的波形是相当吻合的,并且显示效果令人满意。     

场热电子发射与场热电子显示屏FTD

由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阳极射线显象管CRT一样的高亮度、高清晰度、广视角、低功耗、长寿命和优良的彩色图像。而且FTD生产工艺简单,凡能够生产CRT、LCD和PDP的厂家,不必增加大型设备,即可生产FTD。因此FTD生产成本低,是一种能够实现CRT平板化,并与其它平板显示屏,如LCD、PDP等在市场中相竞争的优质平析显示屏。     

微电子学、集成电路

丁N49名010585自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究/徐秋霞,柴淑敏,赵玉印,李丽华,李卫宁,汪锁发(中国科学院徽电子中心)11真空科学与技术学报,一1997.17(4).一287~292 对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究,重点集中在该类器件的核心,即场致发射尖锥阵列     

碳纳米管场致发射特性的研究进展

碳纳米管(CNT)具有优良的场致发射特性,是场致发射器件的理想阴极材料。本文介绍了几种碳纳米管阵列的制作方法以及研究碳纳米管场致发射特性的理论和实验进展。     

彩色显示技术面面观(2)

三、液晶显示器的基本知识1.从CRT显示屏到平板显示屏显示屏主要由"电生光"器件和电子控制器件等主要超大规模集成组件构成。CRT是"电生光"技术的典型器件。运用真空技术,加热CRT阴极发射电子,阳极加正高压而"吸拉"加速电子,被加速的电子撞击荧光屏的荧光物质而发光!这就是所谓"电生光"技术。发射电子的机构叫做电子枪!当初黑白电视显示屏就是利用这种电子"轰击"荧光屏的荧光物而发光即电生光技术制成的。而彩色CRT显示屏呢,彩管R、G、B红绿蓝三色三枪的阴     

真空微电子器件应用研究

本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析。