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自持金刚石厚膜上沉积ZnO薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
ZnO/金刚石结构的表面声学波滤波器的性能主要取决于沉积ZnO薄膜的质量.本文用金属有机化合物气相沉积两步生长法在自持化学气相沉积金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,扫描电子显微镜和室温光荧光谱对薄膜质量进行了表征.结果表明得到的ZnO薄膜取向一致,表面较均匀,光学质量良好. 相似文献
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ZnO薄膜生长技术的最新研究进展 总被引:9,自引:3,他引:6
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料,目前已研究了开发了许多ZnO薄膜的生长技术,其中,磁控溅射,喷雾热分解,分子束外延,激光脉冲沉积,金属有机物化学气相外延等沉积技术得到了有效应用;而一些新的工艺方法,如溶胶-凝胶,原子层外延,化学浴沉积,离子吸附成膜,离子束辅助沉积,薄膜氧化等也进行了深入研究,详细阐述了ZnO薄膜生长技术的最新研究进展。 相似文献
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SiC薄膜制备工艺进展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文综述了SiC薄膜的制备工艺及进展,介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各种SiC薄膜的制备方法,简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响,评述了各种制备工艺的优缺点。 相似文献
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SiC薄膜制备工艺进展 总被引:6,自引:0,他引:6
本文综述了SiC薄膜的制备工艺及进展,介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各处SiC薄膜的制备方法,简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响,评述了各种制备工艺的优缺点。 相似文献
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化学气相沉积金刚石薄膜的摩擦学性能研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了化学气相沉积金刚石薄膜的主要方法 ,着重讨论了金刚石薄膜的摩擦学性能研究 ,简要分析了化学气相沉积金刚石薄膜中存在的问题。 相似文献
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金刚石薄膜的性质、制备及应用 总被引:26,自引:9,他引:26
金刚石有着优异的物理化学性质,化学气相沉积金刚石薄膜的研究受到研究人员和工业界的广泛关注。通过评述金刚石薄膜的性质、制备方法及应用等方面的研究成果,着重阐述化学气相沉积金刚石薄膜技术的基本原理,分析了各种沉积技术的优、缺点。结合对金刚石薄膜应用的讨论,分析了金刚石薄膜在工业应用中存在的问题和制备技术的发展方向。分析结果表明:MWCVD法是高速率、高质量、大面积沉积金刚石薄膜的首选方法;而提高金刚石的生长速度、降低生产成本等是进一步开发刚石薄膜工业化应用所需解决的主要问题。 相似文献
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The surface treatment effects of sapphire substrate on the quality of epitaxial ZnO thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) were studied. The sapphire substrates have been investigated by means of atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffraction rocking curves (XRCs). The results show that sapphire substrate surfaces have the best-quality by CMP with subsequent chemical etching. The surface treatment effects of sapphire substrate on the ZnO thin films were examined by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) measurements. Results show that the intensity of (002) diffraction peak of ZnO thin films on sapphire substrates treated by CMP with subsequent chemical etching is strongest. FWHM of (002) diffraction peak is narrowest and the intensity of UV peak of PL spectrum is strongest, indicating surface treatment on sapphire substrate preparation may improve ZnO thin films crystal quality and photoluminescent property. 相似文献
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研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力,通过改变薄膜沉积时的工艺参数,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。 相似文献
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Xin-liang Chen Quan LinJian Ni De-kun ZhangJian Sun Ying ZhaoXin-hua Geng 《Thin solid films》2011,520(4):1263-1267
Textured surface boron-doped zinc oxide (ZnO:B) thin films were directly grown via low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) on polyethylene terephthalate (PET) flexible substrates at low temperatures and high-efficiency flexible polymer silicon (Si) based thin film solar cells were obtained. High purity diethylzinc and water vapors were used as source materials, and diborane was used as an n-type dopant gas. P-i-n silicon layers were fabricated at ~ 398 K by plasma enhanced chemical vapor deposition. These textured surface ZnO:B thin films on PET substrates (PET/ZnO:B) exhibit rough pyramid-like morphology with high transparencies (T ~ 80%) and excellent electrical properties (Rs ~ 10 Ω at d ~ 1500 nm). Finally, the PET/ZnO:B thin films were applied in flexible p-i-n type silicon thin film solar cells (device structure: PET/ZnO:B/p-i-n a-Si:H/Al) with a high conversion efficiency of 6.32% (short-circuit current density JSC = 10.62 mA/cm2, open-circuit voltage VOC = 0.93 V and fill factor = 64%). 相似文献