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飞兆半导体 (FairchildSemiconductor)推出适合低压DC DC转换器应用的FDS6 5 72A及FDS6 5 4 74AN沟道 2 0VMOSFET。这些 2 0V器件是用于替代负载端 (POL)电源及其他低压电源管理应用中的 30VMOS器件的 ,特别是那些要求低删极驱动电压的场合。FDS6 5 72A/ 6 5 74A是采用新生产工艺制造的首个 2 0V器件 ,它的RDS(ON) 值较具有相同或稍小尺寸晶片的普通 30VMOS管要低。FDS6 5 74A和FDS6 5 72A的阀值电压 (Vth)分别仅为 0 .6V和0 .8V ,可在删极电压极低的情况下… 相似文献
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功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier ,简称IR)推出经济实惠的标准表面贴装(SMA、SMB及SMC)及轴向引线 (DO 2 0 1及DO 2 0 4 )封装MBR系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合IR其他功率半导体产品 ,包括HEXFET功率MOSFET、栅驱动集成电路及P N结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12V以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特… 相似文献
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飞兆半导体 (FairchildSemiconductor)针对DC/DC转换推出了 5种N沟道 4 0VMOSFET ,分别为FDS4 770、FDS4 4 70、FDS4 780、FDS4 4 80和FDS4 672A ,为膝上型电脑、电脑VRM、电信、数据通信 /路由器及其他便携 /手持式设备的电源设计 ,提供极佳的价格和效能优势。FDS4 770的最大Rds(on)为 7.5mΩ ,最高结点温度为 175°C。这些 4 0V的MOSFET具有增强的抗雪崩能力 ,能适应恶劣的操作环境 ,在存在高瞬态电压的应用或MOSFET需要承受增强应力的工作模式中 ,可带来更… 相似文献
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飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为200V的功率MOS-FET器件。这种“硅MAX”器件采用沟槽MOS工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其100-200V的额定电压来源于DMOS功率MOSFET。这种新器件在开关型功率源,DC/DC转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率MOSFET的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小MOSFET单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互… 相似文献
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INFORMATION FOR AUTHORS 总被引:1,自引:0,他引:1
《半导体光子学与技术》1996,(1)
INFORMATIONFORAUTHORS¥//SEMICONDUCTORPHOTONICSANDTECHNOLOGY(SPAT)ispublishedquarterlywiththepurposeofprovidingthepublicationo... 相似文献
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国际整流器公司 (InternationalRecitifier ,简称IR) ,推出全新IRIS4 0 0 9集成开关 ,把一组控制集成电路及一枚低损耗、强化型HEXFET功率MOS FET结合在单一五脚封装内 ,服务于 30W以下交流 直流电源应用。IRIS4 0 0 9采用TO 2 2 0封装及高度经过缩减的TO 2 6 2封装 ,与同类器件相比 ,可处理高出六成多的功率。该器件的雪崩能量额定值达 10 0mJ ,比同类器件更坚固耐用。新器件适用于 30W以下反激转换器 ,一般置于消费电子设备及适配器的通用和单项输入交流 直流电源中。该器件更可作… 相似文献
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美国得克萨斯仪器公司开发出了安装面积小于 7mm× 7mm的 16位固定小数点DSP[TMS32 0LF2 4 0 1A]。据该公司报道 ,该产品是同行业中最小的。封装为 32管脚的LQFP (Low profileQuadFlatPackage)。按照用户要求 ,装载了快闪EEPROM。用于携带型数字设备的电动机控制和传感器等的控制部分。该产品以用 + 3 3V驱动的 4 0MIPS的DSP核 [TMS32 0C2xLP]为中心而集成了各类存储器。快闪EEPROM的容量为 8k字。结构为每 4k字为一个字块组 ,共分 2块 ,带有安全代码。除此之外 ,… 相似文献