具有低R_(DS(ON))和低删极电压的20V MOSFET器件

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)推出适合低压ＤＣ ＤＣ转换器应用的ＦＤＳ6 5 72Ａ及ＦＤＳ6 5 4 74ＡＮ沟道 2 0ＶＭＯＳＦＥＴ。这些 2 0Ｖ器件是用于替代负载端 (ＰＯＬ)电源及其他低压电源管理应用中的 30ＶＭＯＳ器件的 ,特别是那些要求低删极驱动电压的场合。ＦＤＳ6 5 72Ａ/ 6 5 74Ａ是采用新生产工艺制造的首个 2 0Ｖ器件 ,它的ＲＤＳ(ＯＮ) 值较具有相同或稍小尺寸晶片的普通 30ＶＭＯＳ管要低。ＦＤＳ6 5 74Ａ和ＦＤＳ6 5 72Ａ的阀值电压 (Ｖｔｈ)分别仅为 0 .6Ｖ和0 .8Ｖ ,可在删极电压极低的情况下…     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

飞兆半导体推出全新的40V MOSFET

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 /路由器及其他便携 /手持式设备的电源设计 ,提供极佳的价格和效能优势。ＦＤＳ4 770的最大Ｒｄｓ(ｏｎ)为 7.5ｍΩ ,最高结点温度为 175°Ｃ。这些 4 0Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ具有增强的抗雪崩能力 ,能适应恶劣的操作环境 ,在存在高瞬态电压的应用或ＭＯＳＦＥＴ需要承受增强应力的工作模式中 ,可带来更…     

带有-2V负脉冲冲击保护的SPDT模拟开关

飞兆半导体公司（ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，以前称快捷半导体公司）宣布推出一种可保护ＡＳＩＣ、微处理器及其它ＩＣ免受负脉冲瞬时电压影响的ＳＰＤＴ模拟开关元件。这种型号为ＮＣ７ＳＢＵ３１５７的单刀双掷开关可保护内部ＩＣ免受插头在插入ＭＰ３播放器、ＣＤ播放器、笔记本电脑、移动电话及其它带模拟或数字信号接口的设备时所产生的噪声或负脉冲冲击的影响。这种具有 -２Ｖ负脉冲冲击保护功能的ＮＣ７ＳＢＵ３１５７低压ＳＰＤＴ模拟开关整合了飞兆半导体的专利负脉冲器强化保护电路（ＵＨＣＴＭ）。这种电路…     

新型SPM系列产品

飞兆半导体公司（ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，快捷半导体）推出一系列采用紧凑ＤＩＰ封装的新型ＳＰＭ（智能功率模块）系列产品，该产品可提供完整的变速马达控制功能 ,并为ＡＣ马达提供完整集成的电路保护功能 ,适用于洗衣机和空调等家用电器。该器件仅需一半的线路板空间即可提供低压控制和高压输出 ,２３０Ｖａｃ时电流达１０～２０Ａ。ＤＩＰ -ＳＰＭ采用小型（６０×３１ｍｍ）、陶瓷基座浇铸型封装 ,因此可改善来自ＩＧＢＴ的热传递 ,同时具有比传统ＴＯ -２２０Ｆ封装高２７%的额定功率。其内置的高速高压控制…     

快速低阻功率开关MOSFET

飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互…     

150V及200V新型MOSFET器件

国际整流器公司（ＩＲ）推出了一系列全新的１５０Ｖ及２００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,它们的导通电阻和栅电荷特性已经过优化 ,能将４８Ｖ输入隔离式直流 -直流转换器的效率提高１ % ,适用于网络和电信系统。该新型ＭＯＳＦＥＴ的载电效能比ＴＯ -２２０封装器件高出２０ % ,同时还提供有Ｄ２Ｐａｋ和ＴＯ -２６２两种封装。新器件ＩＲＦＳ３８Ｎ２０Ｄ和ＩＲＦＳ５２Ｎ１５Ｄ适用于单输出板上功率模块或多输出电源的原边插座 ,也可用于“热插拔”电路及有源ＯＲｉｎｇ电路 ,因而确保了系统操作的稳定可靠。在典型的１５０Ｗ半砖式…     

半导体和IC

表面贴装功率ＩＣ封装ＳＧＳ　ＴＨＯＭＳＯＮ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ公司的大功率表面贴装封装系列又增添了一种形状和尺寸与标准１４×１４×２．８ｍｍＱＦＰ封装相同的新型大功率封装。这种新封装叫做ＨＩＱＵＡＤ－６４（ＪＥＤＥＣＭＯ－１８８），是为未来的灵巧功率芯片设计的，具有优于１ｋ／Ｗ的连接外壳热阻，厚度为１０密耳的铜线框以及金或铝焊线。它可容纳１２０ｋ密耳２的小片。高速ＡＳＩＣ验证工具ＶｉｅｗｌｏｇｉｃＳｙｓｔｅｍｓ公司最近推出Ｅａｇｌｅ系列新产品ＥａｇｌｅＶ　ＴＭ，这是一种优化的专用集…     

元器件快讯

IR推出全新30V功率MOSFET功率半导体国际整流器公司（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ，简称ＩＲ）推出ＩＲＬＲ７８３３及ＩＲＬＲ７８２１两款ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,这两款器件以最新的条形沟槽（Ｓｔｒｉｐｅ -ｔｒｅｎｃｈ）技术设计 ,成为Ｄ -Ｐａｋ封装市场上通态电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））最低的３０ＶＭＯＳ ＦＥＴ。现同类直流 -直流变换器ＭＯＳＦＥＴ相比 ,它们能将效率提升高达２．５ %或节省多达２５ %的元件数目。两款新器件专为同步降压变换电路而设计 ,适用于服务器、台式和笔记本电脑 ,以及网络和…     

Coupler WDM智能制造系统投入商用

Ｃｏｕｐｌｅｒ（光分路器）和ＷＤＭ（光波分复用器）智能制造系统目前在上海交大问世,并于上海嘉慧光电子技术有限公司（ｈｔｔｐ／／ｗｗｗ．ｊｏｉｎｗｉｔ．ｃｏｍ．ｃｎ）投入批量生产。ＷＤＭ是光纤通信网络中的核心器件,是ＩＰｏｖｅｒＷＤＭ的基础。ＥＤＦＡ＋ＷＤＭ是光网扩容最经济有效的方案,在发达国家已得到广泛应用。Ｃｏｕｐｌｅｒ（光分路耦合器）则在ＳＤＨ＋ＰＯＮ、ＡＴＭ＋ＰＯＮ及光纤ＣＡＴＶ的ＨＦＣ网中发挥重要作用。嘉慧公司ＦＢＴ系统是以熔融拉锥方式制造全光纤器件,效率高,成本低,据悉为国内最先推出的…     

新品发布

多模ＭＴ－ＲＪ收发器 Ｔｙｃｏ　查询号 １８１ 泰科电子公司（Ｔｙｃｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）日前宣布推出ＡＭＰ ＥＳＣＯＮ多模ＭＴ－ＲＪ收发器,其数据传输速率高达２００Ｍｂ／ｓ。该产品用于ＥＳＣＯＮ链路,可适用于广泛应用的ＭＴ－ＲＪ小型封装模块（ＳＦＦ）连接器接口。这种ＳＦＦ收发器采用２ｘ５ＤＩＰ（双列直插式组件）式封装,集成了ＭＴ－ＲＪ连接器接口。新式小型封装模块的接口宽度大约仅为双工ＳＣ１ｘ９模块的一半,因而设计人员可将给定产品的端口密度提高两倍。 机顶盒 Ｍｏｔｏｒｏｌａ　查询号 １８２ 摩托…     

INFORMATION FOR AUTHORS

ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

开/关控制低压降稳压器

ＭＣ３３３７５系列是做功率低压降稳压器,备有不同的输出电压和封装形式,如ＳＯＴ－２２３、ＳＯＰ－８表面贴装封装。这些器件具有非常低的静态电流（ＯＦＦ模式时为０．３μＡ,ＯＮ模式时为１２５μＡ）和低的输入输出电压差（１０ｍＡＩｏ时为２５ｍＶ,３００ｍＡＩｏ时为２６０ｍＶ）。内部保护特性包括电流和热限制。ＭＣ３３３７５有－ＯＮ／ＯＦＦ控制引脚,利用一逻辑电平信号可接通或关闭稳压器输出。其简化框图示于图１。ＭＣ３３３７５的典型应用电路示于图２。为稳定２．５Ｖ、３．０Ｖ、３．３Ｖ的输出电压,只需在稳压器…     

SUPERTEX公司DMOS选型指南

ＳＵＰＥＲＴＥＸ公司ＤＭＯＳ选型指南１、低开启电压Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ２、低开启电压Ｐ沟增强型ＭＯＳＦＥＴ３、Ｎ沟道耗尽型ＭＯＳＦＥＴ４、Ｎ沟进增强型ＭＯＳＦＥＴ５、Ｐ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ６、低压Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ阵列７、低压Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ...     

业界热点

安森美采用ＣｈｉｐＦＥＴ封装的电源器件 安森美半导体（ＯＮ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）推出ＮＴＨｘ５ｘｘｘＴ１产品系列（属于一组Ｎ沟道和Ｐ沟道电源器件）,是首批使用ＣｈｉｐＦＥＴ封装技术的系列产品,可减少便携式及台式计算系统中电源电路的电路板空间。 ＣｈｉｐＦＥＴ技术把引线连接到封装件的底部,从而减少裸片的占位面积。安森美设计出８引脚式ＣｈｉｐＦＥＴ系列,提高有效的裸片占位面积的百分比。 安森美已与Ｖｉｓｈａｙ Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ在２０００年７月达成双边技术授权的协议,授权安森美利用ＣｈｉｐＦＥＴ…     

IR推出新型HEXFET功率MOSFET

ＩＲ公司的新型１００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０增强了４８Ｖ输入、半桥或全桥拓扑技术的功率密度 ,可用于通信设备所需的高性能直流 -直流转换器。ＩＲＦＢ４７１０采用ＴＯ -２２０封装 ,额定电流可达７５Ａ ,使用该器件可使设计人员只用较少的器件即可获得所需的额定电流 ,从而减少设备的体积、重量和电源成本。ＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０型ＭＯＳＦＥＴ的导通电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））比以往器件低４０ % ,因此其效率更高和操作温度更低。在３５０Ｗ功率时 ,使用４个ＩＲＦＢ４７１０可…     

小型荧光灯用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40

１主要特点随着全球节能技术的提高 ,小型荧光灯市场的发展非常迅猛。在众多的低成本解决方案中 ,用户通常选用简单的自振荡电路 ,而这些电路一般都采用ＳＴＢＶ或ＢＵＬ系列等功率双极型器件。在采用如Ｌ６５６９驱动器的应用中 ,选用ＭＯＳＦＥＴ是一个十分有效的解决方案。为此 ,ＳＴ公司专门推出了用于小型荧光灯的４００Ｖ功率ＭＯＳＦＥＴＳＴＳ１ＤＮＣ４０和ＳＴＱ１ＮＣ４０ ,这两种器件与传统器件相比 ,具有高效、低成本的优点 ,同时不影响产品的性能或使用寿命。另外 ,由于ＮＣ系列硅效率的提高和ＮＣ系列 (ＰｗｅｒＭＥＳＨ)上…     

IR推出崭新集成开关为30W开架式电源

国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｉｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ) ,推出全新ＩＲＩＳ4 0 0 9集成开关 ,把一组控制集成电路及一枚低损耗、强化型ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳ ＦＥＴ结合在单一五脚封装内 ,服务于 30Ｗ以下交流 直流电源应用。ＩＲＩＳ4 0 0 9采用ＴＯ 2 2 0封装及高度经过缩减的ＴＯ 2 6 2封装 ,与同类器件相比 ,可处理高出六成多的功率。该器件的雪崩能量额定值达 10 0ｍＪ ,比同类器件更坚固耐用。新器件适用于 30Ｗ以下反激转换器 ,一般置于消费电子设备及适配器的通用和单项输入交流 直流电源中。该器件更可作…     

8VSB对COFDM:辩论继续进行

数字电视(ＤＴＶ)在调制方面的混乱变得更混乱了。最近,巴西已从８ＶＳＢ逐渐后退转而支持ＣＯＦＤＭ,而阿根廷表示它将效法类似的做法。在写本报道时,这种形势让另一国家墨西哥很可能也从８ＶＳＢ后退到ＣＯＦＤＭ。如果墨西哥和巴西结成ＣＯＦＤＭ阵营,加拿大又会怎么样?在美国,联邦通信委员会裁定支持８ＶＳＢ,当时它驳回了Ｓｉｎｃｌａｉｒ的申请,该申请是以表明在严重多径传输条件下ＣＯＦＤＭ的工作性能优于８ＶＳＢ的比较测试为基础的。委员们当时没有机会看到全国广播公司(ＮＢＣ)进行测试的结果,但这些结果却证实了Ｓｉｎｃｌａｉ…     

电动机控制用16位DSP

美国得克萨斯仪器公司开发出了安装面积小于 7ｍｍ× 7ｍｍ的 16位固定小数点ＤＳＰ[ＴＭＳ32 0ＬＦ2 4 0 1Ａ]。据该公司报道 ,该产品是同行业中最小的。封装为 32管脚的ＬＱＦＰ (Ｌｏｗ ｐｒｏｆｉｌｅＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ)。按照用户要求 ,装载了快闪ＥＥＰＲＯＭ。用于携带型数字设备的电动机控制和传感器等的控制部分。该产品以用 + 3 3Ｖ驱动的 4 0ＭＩＰＳ的ＤＳＰ核 [ＴＭＳ32 0Ｃ2ｘＬＰ]为中心而集成了各类存储器。快闪ＥＥＰＲＯＭ的容量为 8ｋ字。结构为每 4ｋ字为一个字块组 ,共分 2块 ,带有安全代码。除此之外 ,…