德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。     

A3942：四通道MOSFET控制/驱动器

Allegro推出新款四通道高端MOSFET控制／驱动器IC，完善其现有汽车MOSFET预驱动器系列。Allegro A3942旨在通过使用电流源拓扑的门极驱动器输出，驱动高端配置中的四个N通道MOSFET。A3942通过使用该拓扑，无需使用门级电阻器和自举电容器。该新型器件包含在系统控制器和不同大电流负载之间提供高效接口所必须的模块内，汽车引擎控制系统一般安装有该类负载。A3942设计于极大电压范围（4．5V至60V）和全汽车温度范围内运行，适用于12V和24V引擎控制系统。     

半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

高轻负载效率MOSFET栅极驱动器

ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力，以及快速上升／下降时间，支持高达1MHz的开关频率。这将有助于实现非常高的总体效率。     

防止电池反接的MOSFET

防止电池反接的ＭＯＳＦＥＴＭａｘｉｍ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ公司Ｄａｎａ　Ｄａｖｉｓ本文所示的ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１）可用来保护ＩＣ和其他电路，其方法是在电池反接时切断电源电流（电池安装正确使Ｑ１完全导通，允许正常工作）。这种情况下，电路...     

浅析MOSFET高速驱动器电路设计

通过对MOSFET转换过程的分析，得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项，得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。     

大电流MOSFET栅极驱动器

该系列包括6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些驱动器增加了栅极驱动电流（UGATE的流出和吸入栅极驱动电流为4A,LGATE的吸入和流出电流则分别为6A和4A）,可以缩短栅极电压上升、下降时间。     

停滞时间控制同步降压MOSFET驱动器TPS2832／TPS2833

TPS2832／TPS2833是用于同步降压功率级的MOSFET驱动器。该驱动器对大容性负载设计提供2A的峰值电流。可将高边驱动器配置为以地为基准的驱动器或以可变的自举式驱动器。自适应停滞时间控制电路消除了开关变换时通过主功率器件的过冲电流，并提高降压调节器的效率。     

国半推出两款可驱动大功率MOSFET的门极驱动器

美国国家半导体公司近日推出两款属于高压功率控制集成电路系列的最新产品，分别是LM5111双通道门极驱动器及LM5112单通道门极驱动器。新产品适合驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)，以及用于交流/直流与直流/直流转换器、马达驱动系统及工业控制系统.     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域，这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范嘲内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的IGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

高压高速功率MOSFET驱动器IR2110

ＩＲ公司推出的ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ驱动ＩＲ２１１０，功耗低，浮置电源采用自举电路输入与ＣＭＯＳ兼容，具有滞后电压锁定。本文较详细地介绍了该器件的内部结构，管脚功能，该器件可用于开关电源，电机驱动，电子镇流器和充电器中，本文还给出了几种实用电路。     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域。这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的JGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。     

MC34151/MC33151/MC34152/MC33152高速双MOSFET驱动器集成电路

本文介绍了ＭＣ３４１５１／ ＭＣ３３１５１／ ＭＣ３４１５２／ ＭＣ３３１５２系列双路单片高速ＭＯＳＦＥＴ驱动器,文中不但讨论了该系列ＭＯＳＦＥＴ驱动器的引脚排列、各引脚的名称、功能、用法、主要设计特点和参数限制,而且剖析了它们的内部结构和工作原理,进而探讨了它们的应用技术。     

Microchip扩展MOSFET驱动器系列产品

Microchip《美国微芯科技公司）宣布扩展了其MOSFET驱动器系列产品。在已获得业界推崇的Microchip下桥臂MCP14E3／4／54．5AMOSFET驱动器上,Microchip推出全新下桥臂MCP14E6／7／82A和MCP14E9／10／113A驱动器。经扩展后,这一低成本系列器件的额定峰值输出电流为2A～4．5A工作电压范围宽达4．5V～18V。     

针对应用选择正确的MOSFET驱动器

目前,现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多,达使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程.     

针对服务器与DC／DC电源系统的4A高速MOSFET驱动器

8引脚电源栅极驱动器，每相位40A电流 TPS28225驱动器以4．5～8．8V电压控制MOSFET栅极；在7～8V电压范围内，器件效率达到最高；具有14ns自适应停滞时间控制，14ns传输延迟时间，2A大电流电源以及4A吸入电流。     

高速4A与5A双通道输出MOSFET驱动器

UCC27210与UCC27211是业界首批120V启动高低侧双通道输出MOSFET驱动器,可在解决驱动器输入10V直流电（VDC）抗扰度问题的同时,提供高达4A的输出电流。这两款驱动器提供18ns传播延迟,支持多种高频率半桥及全桥电源拓扑。