再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”

本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”．再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”，试验合格的产品仍可交付使用。     

高功率微波效应的多物理场建模方法研究

为了实现对微波器件高功率微波效应的分析,主要从不同尺度半导体器件和波导器件出发,基于具有谱精度的谱元时域法,开展从微米尺度到纳米尺度半导体器件电热耦合一体化分析的方法以及高功率微波气体放电效应及抑制机理的研究.得到了半导体器件在电磁信号作用下发生的电热参数分布变化规律和微波器件在高功率微波下发生的气体放电及其抑制机理,根据以上相关效应机理,可为复杂电磁环境中的器件设计提供理论指导.     

半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一.针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础.介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件.     

内部水汽对半导体器件可靠性影响的研究

由于各种原因,国内对器件内腔水汽的危害还没给予充分重视和有效控制,器件内部水汽含量较高,使之在环境温度低于封装内水汽露点温度的条件下工作与贮存时容易发生失效,对器件可靠性直接造成威胁,是个急待解决的问题。本研究目的在于了解国产军用密封半导体器件内部水汽现状及其对可靠性的影响,探讨揭示内部水汽问题的有效试验方法,寻求降低水汽影响,提高器件可靠性的主要途径。     

国产半导体器件长期贮存试验研究

分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析.在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7.用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据.     

COB封装LED器件寿命评价方法研究

COB封装的LED器件应用日趋广泛,但是其寿命评价方法仍限于做3000h或6000h的光通维持率试验,试验本身耗时较长,因此本文基于半导体器件的指数衰减规律和LED光通量的慢退化特性提出一种加速试验方法,对器件进行高温加速寿命试验,并对试验结果进行计算,得到了器件在加速试验温度下的L70寿命,然后利用相应水平的激活能,得到了在较低结温下的L70寿命。     

一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法

介绍了一种新型的可对CMOS元器件长期贮存寿命做出评价的试验方法。对CMOS元器件样品分别进行常温贮存试验和高温贮存试验,通过常温贮存试验累积试验数据,并以此研究总结CMOS元器件长期贮存性能参数变化的规律,通过高温贮存试验加速元器件常温贮存过程,在实验过程中定期对样品器件进行测试。通过对常温贮存数据和高温加速贮存数据进行比对分析,并利用阿伦尼斯模型进行数据处理,从而在较短的时间内对元器件长期贮存寿命做出评价。     

提高功率器件抗热疲劳性能研究

众所周知,当半导体器件处于间歇工作状态时,器件经历周期性高温、低温循环,形成了热循环.该热循环在器件内部产生应力,并在热循环过程中反复不断地作用在器件内部的接合层上,使器件的热阻增加,最后导致器件热疲劳失效.热疲劳失效是影响功率器件可靠性的重要因素.因此,开展间歇工作寿命试验(即疲劳试验),考核器件在间歇工作状态下     

1200V/100A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制

基于SiC结势垒肖特基(JBS)二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiCJBS二极管.该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力.测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm2(以芯片面积计算).在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA.动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好.器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏(H3TRB)和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性.器件的成品率达70％以上.     

全固态广播发射机技术维护简法（二）

(续上期) 4 半导体器件的使用和测试注意事项 因为半导体器件密集度很高,对静电、温度、灰尘、振动特别敏感,稍微有一点差池,都会引起器件损坏.现代全固态广播发射机使用大量半导体器件,结构十分紧凑,线路很复杂,所以器件的可靠性对设备的安全运行是一个至关重要的大问题.     

军用半导体器件的贮存理论与试验

本文论述军用半导体器件的贮存理论、标准和试验.鉴于目前我国半导体器件的现状,军用半导体器件的贮存期可规定为2～3年.超过贮存期应进行100%的外观、电参数、密封性检查和抽样可焊性试验、破坏性物理分析.试验合格后的产品仍可交付使用.     

DAD—87导电胶的特性和应用

一、前言 1967年美国首先采用一种银-环氧导电胶进行半导体器件的装片。这种新工艺的操作温度在室温至200℃之间,比传统的金-硅共晶,锡焊和银浆烧结温度低,可以避免高温对芯片特性的损伤;芯片背面和管座式引线框架不必镀金,可用镀银或镀镍;粘接牢度超过银浆烧结;操作简便,适合大批量生产和自动化作业。从而保证了半导体器件的质量,提高器件的合格率和工效,降低成本。七十年代由于世界黄金价格的上涨,用导电胶装片的工艺得到了普     

高温SOI技术的发展现状和前景

高温绝缘层上硅（SOI）技术突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域。近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及,其中SiC器件以其先天的耐高压、耐高温等特性,与高温SOI器件是非常理想的搭配,适用于原本体硅半导体功率器件难以实现或根本不能想象的应用场景,为系统应用设计者提供了全新的拓展空间。在简述体硅半导体器件高温困境的基础上,综述了高温SOI技术的发展现况,并探讨了其未来的发展方向和应用前景。     

基于Slwave-ICEPAK的电热耦合方法研究

随着电子产品叠层厚度的提升以及输入电压电流的提高,PCB的trace产生的焦耳热不能被忽略,在实际热分析时需要考量PCB带来的散热影响,电热耦合分析方法至关重要.本文基于现有的PCB模型对带器件的PCB和不带器件的PCB进行电热耦合分析,主要对电热耦合的分析方法进行了介绍,同时分析了PCB对散热的影响.     

功率半导体器件热管理

功率半导体器件也称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换电路的核心器件。功率半导体器件几乎用于所有的电子产品、电子设备制造业。功率半导体器件对于高温、低温或温度交变较为敏感,由于该类器件在电路中承担着主要功率的调节功能,并承担着大部分功率调节电应力。所以必须对功率半导体器件的热管理高度关注,提升电路的可靠性。本文主要针对功率半导体器件的应用开展热管理分析。     

一种测量小功率二极管及其它中小功率半导体器件热阻的简易方法

半导体器件的功率极限是由它的热阻决定的,要决定一种新器件的最大使用功耗,就必须首光测量热阻.但DO-35玻封二极管的管壳很小,无法直接测量其管芯的温度,从而算出热阻.为此,笔者设计了一种利用半导体器件温度特性测量热阻的方法,避免了复杂的设备和直接测量管芯温度的困难,只要一块数字式万用表就能完成热阻测量,且测量误差小于10%.此外,这种方法可方便地推广到各种其它封装形式的中.小功率半导体器件上,特别是适用于塑料封装和陶瓷封装等无其它方法测量热阻的器件.     

电子设备高温试验室设计的若干问题

一、前言生产电子设备(包括家用电器)的厂家对所生产的产品,一般都要进行高温试验和温度变化试验。高温试验(包括高温老化)可以考核电子设备在高温环境条件下贮存、运输和使用的适应性;温度变化试验可以确定电子设备在贮存、运输和使用期间可能遇到的温度迅速变化的适应性。通过试验可以暴露诸如设计、工艺、元器件等方面的缺陷,以便采取适当对策,改进产品,提高产品质量。高温试验或温度变化试验,用的主要设备是高温试验箱或高温试验室。试验大型或小型大批量电子设备,一般要用高温试验室。高温试验室多数是生产厂自行设计制造。下面结合设计制造的体会,浅谈高温试验室设计的几个问题。     

MOS器件三维数值模拟

<正> 随着半导体器件尺寸的不断缩小和结构的日趋复杂,常用的解析分析模型往往不能满意地描述器件特性.因此,七十年代以来,二维及三维数值模拟逐渐成为半导体器件研究中的一个重要工具.     

电力半导体器件的现状及发展趋势

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静，动态特性，目前水平，存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压，大电流，快速，高温器件的作用。     

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。