RTP改善超薄SiO2膜特性的研究

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。     

SUPERTEX公司DMOS选型指南

ＳＵＰＥＲＴＥＸ公司ＤＭＯＳ选型指南１、低开启电压Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ２、低开启电压Ｐ沟增强型ＭＯＳＦＥＴ３、Ｎ沟道耗尽型ＭＯＳＦＥＴ４、Ｎ沟进增强型ＭＯＳＦＥＴ５、Ｐ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ６、低压Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ阵列７、低压Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ...     

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ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

(Na0.5Bi0.5)TiO3陶瓷A位二价金属离子取代的研究

主要研究了用Ｂａ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｃａ＾２＋对钙钛矿结构（ＡＢＯ３）的无铅压电陶瓷（Ｎａ０．５Ｂｉ０．５）ＴｉＯ３（ＮＢＴ）的Ａ位进行部分取代后材料的介电、压电性能。实验表明,Ａ位Ｂａ＾２＋取代使ＮＢＴ的介电系数有明显的增大,而Ｓｒ＾２＋、Ｃａ＾２＋对ＮＢＴ的介电系数影响不大。而３种离子Ａ位的取代,都使ＮＢＴ的高矫顽电场有了大幅度的降低,其中以Ｂａ＾２＋的效果最为明显（２．５～２．０ｋＶ／ｍｍ）     

FLEX^EM—高速寻呼编码格式

我国现有无线寻呼系统基本上都采用ＰＯＣＳＡＧ编码格式，本文指出了ＰＯＣＳＡＧ码的一些不足之处，并介绍了美国Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司新近开发的新型高速寻呼编码格式－ＦＬＥＸ＾ＴＭ码的编码格式及其主要特性。该ＦＬＥＸ＾ＴＭ码提供了更快的寻呼速度，更长的电池寿命，更强的系统灵活性及更精确的数据传输能力。     

光传送网的一体化网管研究

光传送网技术可望成为下一代的主导传送网技术。详细讨论了光传送网（ＯＴＮ）和光传送网的管理技术。结合ＴＭＮ、ＳＮＭＰ和ＣＯＲＢＡ，着重研究了ＯＴＮ的一体化网管。一种Ｑ－Ａｄａｐｔｅｒ被提出来用于集成ＴＭＮ和ＳＮＭＰ，一种直接的ＣＯＲＢＡ／ＳＮＭＰ接口被用来实现ＣＯＲＢＡ和ＳＮＭＰ的集成。最后简要分析了几个和ＯＴＮ一体化网管相关的问题：ＩＰ层和光层的联合路由，多层保护以及ＯＴＮ的ＯＡＭ技术。     

飞兆半导体推出新型MOSFET

飞兆半导体公司 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)推出七种新型高压平面型ＭＯＳＦＥＴ ,具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。这些器件专用于满足先进开关电源 (ＳＭＰＳ)和ＤＣ/ＤＣ转换器的性能要求。器件的先进条件结构技术和较小封装为功率系统带来了许多益处 ,如减少功率损耗 ,提高系统效率和稳定系统质量。以飞兆半导体ＴＯ 2 2 0封装 5 0 0ＶＦＱＰ18Ｎ 5 0Ｖ2为例 ,其ＦＯＭ较同类产品低 2 1%以上。此外 ,飞兆的 2 0 0ＶＦＱＤ18Ｎ2 0Ｖ2采用Ｄ ＰＡＫ封装 ,其ＦＯＭ (ＲＤＳ(ＯＮ)…     

高清晰度电视图象处理显示系统

高清晰度电视图象处理显示系统电子部第三研究所陈堤ＨＤＴＶ技术研究项目中有ＭＰＥＧ－２图象压缩方案研究和不同的信道编码（３２ＱＡＭ，ＶＳＢ，ＣＯＦＤＭ）的研究，主要目标是：１）提供一套ＨＤＴＶ图象处理显示系统，显示ＨＤＴＶ活动图象序列。２）凡进行ＨＤＴ...     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究

研究了采用ＮＯ快速热氮ＳｉＯ２ 方法制备超薄栅介质并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄 ＮＭＯＳＦＥＴ,ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。     

国外军事卫星通信发展趋向:民转军、军民结合

观念的转变２０世纪７０年代以来,西方国家和前苏联等建立了一系列的军事卫星通信系统,如美国的ＦＥＥＴＳＡＴＣＯＭ、ＤＳＣＳ、ＭＩＬＳＴＡＲ,英国的ＳＫＹＮＥＴ,北大西洋公约组织的ＮＡＴＯ,法国的ＳＹＲＡＣＵＳＥ,前苏联的ＣＯＳＭＯＳ、ＭＯＬＮＩＡ等,它...     

半导体和IC

表面贴装功率ＩＣ封装ＳＧＳ　ＴＨＯＭＳＯＮ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ公司的大功率表面贴装封装系列又增添了一种形状和尺寸与标准１４×１４×２．８ｍｍＱＦＰ封装相同的新型大功率封装。这种新封装叫做ＨＩＱＵＡＤ－６４（ＪＥＤＥＣＭＯ－１８８），是为未来的灵巧功率芯片设计的，具有优于１ｋ／Ｗ的连接外壳热阻，厚度为１０密耳的铜线框以及金或铝焊线。它可容纳１２０ｋ密耳２的小片。高速ＡＳＩＣ验证工具ＶｉｅｗｌｏｇｉｃＳｙｓｔｅｍｓ公司最近推出Ｅａｇｌｅ系列新产品ＥａｇｌｅＶ　ＴＭ，这是一种优化的专用集…     

利用TDA16846设计34“彩色电视机开关电源

本文介绍ＳＩＥＭＥＮＳ公司推出的支持低ＳＴＡＮＤＢＹ功耗及功率因数校正（ＰＦＣ）的电视机开关电源集成控制器ＴＤＡ１６８４原理和应用，作为实例，详细地介绍使用该芯片与新一代Ｃｏｏｌ ＭＯＳ＾ＴＭ功率管ＳＰＰ１１Ｎ６０Ｓ５设计制成的一个实用高效价廉的３４”彩色电视机开关电源。     

CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

对ＣｄＳｅ－ＴＦＴ的制作工艺进行了探索,对ＴＦＴ矩阵的关键材料－半导体层ＣｄＳｅ的性质进行了研究。利用ＸＣ－３６型高阻仪研究了ＣｄＳｅ薄膜电阻率随蒸发速度的变化,用三探针法和Ｃｕｒｖｅ Ｔｒａｃｅｒ ＱＴ－２对ＴＦＴ样管的基本性能进行了测试,得到载流子迁移率为１７０ｃｍ２／Ｖ．ｓ,ＯＦＦ态电流小于１０＾－１０Ａ,ＯＮ态电流为１０＾－４Ａ。     

硬件控制的8k×8 SRAM/EEPROM U630H64原理及接口应用

Ｕ６３０Ｈ６４内含反相映射的８ｋ字节ＳＲＡＭ和８ｋ字节ＥＥＰＲＯＭ，通过命令可以将ＳＲＡＭ中的数据写入ＥＥＰＲＯＭ或把ＥＥＰＲＯＭ中的数据回送至ＳＲＡＭ，以备断电时的数据保护。该芯片所采用保护数据的方法是除ＮＶＳＲＡＭ、Ｆｌａｓｈ之外的一种独特的方法。本文介绍了该芯片的内部结构，并给出了与单片机的接口电路。     

MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．     

AN—2000：一种新型的带V5接口的综合接入系统

介绍ＡＮ－２０００是一个比较完善的综合接入系统，现已能提供ＰＯＴＳ，ＤＤＮ、２／４Ｗ Ｅ＆Ｍ，ＩＳＤＮ接口（２Ｂ＋Ｄ，３０８＋Ｄ），子速率复用等综合业务接入，同时新的业务接入模块也正在不断推出；并且将ＡＮ－２０００与交换机远端模块的几个方面进行了比较。最后简介ＡＮ－２０００与Ｆ－１５０、Ｓ－１２４０的对接实验。     

电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制

通过研究６０Ｃｏｒ射线对ＭＯＳＦＥＴ跨导的影响，定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别与ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ跨导衰降之间的依赖关系。试验表明，对于ＰＭＯＳＦＥＴ，电离辐射感生氧化物正电荷累和界面太度增加降导致器件跨导退化。对于ＮＭＯＳＦＥＴ来说。这种退化只与辐射感生界面态密度增长有关。     

声表面波技术

１声表面波技术９５３０２用于时钟恢复系统的１７４．０８ＡＩＨｚ８ＡＷＦ——ＣａｂｒｄｒａＣＭ．ＳＢＭＯＩｎｔｅｒｎＭｉｃｒｏｗｔａｖｅＣｏｎｆ／ＢｒａｚｉｌＰｒｏｃ，１９９３；１：２９～３４将１７４．０８ＭＨｚＳＡｗＦ用于ＳＯＮＥＴ系统的时钟恢复部件...     

一种舰载雷达自适应信号处理方法的探讨

本文介绍了一种用高速ＤＳＰ芯片实现的舰载雷达自适应信号处理的新方法。该方法采用查表的方式实现舰速补偿，用ＦＩＲ滤波器实现窄带滤波器组。通过调整ＦＩＲ滤波器的系数即可使系统适应各种不同的杂波，大大提高了系统的灵活性和可编程性。在器件方面用ＩＭＯＳ公司生产的高速可级联型横向滤波器ＩＭＳ－Ａ１００作ＦＦＴ，ＴＭＳ３２０Ｃ２Ｓ作控制器，从而在很大程度上提高了信号处理的速度。本文还介绍了Ａ１００的系统结构和开发系统。