BGA——新一代表面安装技术

1;IC封装技术的发展 IC发展的总趋势是器件的集成度越来越高,目前国外先进的半导体生产公司已掌握线条宽度为0.2～0.8μm的亚微米级技术,每个芯片上集成的晶体管数量已超过一亿个。     

单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。     

系统级芯片（SoC）的演进：从早期手机到边缘智能

<正>随着系统级芯片（SoC）在支持物联网（IoT）实现连接和计算功能方面发挥无可争议的作用,该术语已成为行业流行用语,以至于难以将SoC与其他类型的集成电路（IC）区分开来。与电源管理芯片等单功能芯片相比,SoC在单芯片上集成了多种电子功能,而高质量的SoC则是由在微型芯片上运行的紧密结合的软、硬件功能所组成。其他半导体产品可以根据它们在一个芯片上集成的晶体管数量来判定是否合格;然而,这种判定方法无法准确反映SoC上集成功能的质量和复杂性。事实上,要使用更少的晶体管在SoC上构建同等数量的功能实际上是超高集成能力的体现。     

为振兴我国微电子产业培养人才

我国微电子产业的机遇与挑战微电子科学技术从1947年12月晶体管发明算起到现在，在短短半个多世纪里，已经形成了突破2000亿美元销售额的半导体产业。图1给出了九十年代以来世界半导体产品销售额的情况。集成电路(IC)制造的特征尺寸已达到0.18~0.13微米，芯片集成度已至G级(giga scale，109)；IC的规模已达到把整个系统集成到一个芯片，即系统芯片(SoC)的阶段。微电子科学技术的进展成为人类科技进步史上空前的奇迹。进入信息时代以来，全球信息产业的飞速发展导致对IC的强劲需求，而计算机、通信与网络、消费类电子等产品，只有用芯片…     

硅谷采访(4)

Credence：缩短从IC设计到量产的周期IC产业正在向紧密的“设计到生产”测试流程发展。“设计到生产”测试流程的不断完善，是解决生产复杂的IC电路所面临难题的最佳方式。在提高产品质量和成品率的同时，Credence提供的产品和服务，可缩短从IC设计到量产的周期达几个月，从而减少从设计到批量生产的时间和总体成本。从Dataquest所做的IC消费预测(如图1)，可见数据处理是需求量是最大的。因此，数据处理市场的跟踪举足轻重，图2为半导体复杂性增加的趋势。可见2007年1块芯片上将集成10亿个晶体管，因此，1块芯片的设计时间与日俱增(见…     

创新、竞争和合作的旋律

当前半导体集成电路芯片制造技术已经可以在一个芯片上集成数千万只晶体管,并且继续按照摩尔法则的规律向前发展。 但是,伴随着芯片向深亚微米级进军,正确有效地实现芯片的逻辑设计与物理设计的困难也显得越来越突出。如何让众多集成在芯片上的晶体管组成正确的异常复杂的系统,实现预期的越来越强大的功能,而且付出的人力、物力代价尽可能低,进入市场的周期时间尽可能短?这就是今     

基于控制器NCP3065的LED模块驱动器

<正> 安森美半导体生产的NCP3065控制IC可以被配置成降压-升压(Buck-Boost)电路拓扑,驱动Sharp ZENIGATA LED模块,用作汽车照明、机场跑道照明、AC低压景观照明以及利用标准流行AC 12V墙上适配器供电的台灯和小场所作业灯等。 NCP3065控制器结构 NCP3065采用8引脚DIP封装,芯片上集成了振荡器、两个置位控制RS锁存器、一个反馈比较器、一个电流限制比较器和NPN型输出开关晶体管及热关闭电路等。图1为NCP3065芯片电路组成框图。基于NCP3065的降压-升压型LED模块驱动电路     

下一代CMOS IC--双栅极MOS晶体管

IC业人士普遍认为,3、5年内,CMOS IC会达到在一块芯片上集成1亿支MOS晶体管的水平.到2006年,利用0.10～0.13 μ m光刻技术生产的CMOS逻辑IC将会在先进的半导体工厂流片.据分析,这种IC MOS晶体管的典型工艺参数和技术参数将是:沟道长度0.05μm;栅氧化层厚度1～2nm;阈值电压0.25V;电源电压1.2V.根据现有的IC基本知识,这已接近IC技术的基本极限.在基本极限附近,传统的MOS晶体管性能会劣化,例如泄漏电流和静态功耗会显著增加,严重影响IC的正常工作.     

最近用于半导体加工的边缘技术

<正> VLSI和微细加工从晶体管向IC→LSI→VLSI的不断发展是维持现代电子学基础的产业革命,它带来了巨大的变革,所谓“半导体冲击”的影响是深远的。作为晶体管乃至VLSI的原料一硅,是地球上最丰富的石头的主要成分。昭和四十年代初期,在数毫米见方的硅芯片上充其量能集成数十个晶体管,而现在,存储器领域的主要产     

数字／混合信号半导体以及SOC的兴起

自从1980年Carver Mead和Lynn Conway出版了第一部半导体设计教科书“Introduction to VLSI Systems”以来，在半导体工业界中关于数字和模拟芯片的分界越来越明显。在这本书出版之前，所有的芯片都是通过对一个半导体裸片上互相连接的每一个晶体管进行手工定制而得到。Mead和Conway改变了所有的这一切，他们提出了一种革命性的结构化IC设计方法学，从此数字IC的世界顺利向前发展。现在，20多年之后，在不断改进的半导体工艺技术以及产品市场压力之下，设计更复杂的、高性能的电子器件需要将模拟和数字两个IC世界结合起来，从而形成一个新的IC范畴——数字／混合信号(D／MS)ICs。数字／混合信号IC的市场正在成为半导体工业最大的部分，超过了数字和模拟芯片部分。数字／混合信号IC通常包含了数百万门的数字逻辑，以及高性能的模拟／混合信号部分。通常，数字／混合信号IC都是片上系统(SOC)芯片，包含一个或者多个处理器、存储器，以及专用逻辑电路。把数字／混合信号IC作为一个IC范畴，对于理解和区分它对芯片设计、制造以及半导体商业模型的独特影响是至关重要的。本文描述了数字／混合信号IC的兴起、它们在通信及消费类市场的广泛应用，以及它们的特殊设计要求。     

摩尔定律还能风光多少年？

摩尔定律还能风光多少年？羽南１９６５年４月仙童半导体公司ＧｏｒｄｏｎＭｏｏｒｅ发表了以后著名于世的＂摩尔定律＂。他观察了１９５９年到１９６５年芯片上晶体管的集成数据，发现每隔１８～２４个月，芯片上晶体管数目就增加一倍。３０多年来，硅谷的半导体公司乃至...     

可编程ASIC技术及其设计

1 引言 电子学设计方法在过去的10年中取得了显著的进步。过去电子产品的设计一直是首先选用标准通用集成电路芯片（例如数字通用芯片74系列等）,然后再由这些芯片和其他元器件自下而上地构成电路、子系统和系统。采用这种方法设计出的电子系统具有元器件的种类和数量较多、体积和功耗大、可靠性低等缺点。随着集成电路技术的不断进步,目前可以把数以亿计的晶体管、几万门及几十万门乃至几百万门的电路集成在一个芯片上。半导体集成电路已从早期的单元集成、部件电路集成发展到整机电路集成和系统电路集成。电子系统的设计方法也由过去集成电路厂家提供通用芯片、整机系统单位采用这些芯片组成电子系统的“Bottom-Up”（自下而上）设计     

分立器件并非没落一族--Philips在中国又建分立器件新工厂

半导体分立器件在电子产品发展历史上曾经辉煌一时.然而,随着IC的问世,分立器件逐渐风光不再,工程师的注意力转而集中在不断攀升的晶体管集成数量.     

半导体制造业的特点与机会诺发系统公司董事长兼首席执行官Rechard Hill

半导体制造业的趋势 半导体制造的趋势当中,最突出的一个就是IC的密度在持续增长.20世纪60年代中期提出的摩尔定律,在此后的40多年里依然准确地指导着整个行业的发展,定律中指出,半导体芯片的电路密度每18个月就会翻一番.目前,高级元器件制造的线宽已经发展到最小为90nm,互联电路最多可高达10层.通过不断增加电路的密度,制造商们能够将更多的电子元器件集成到一只芯片上,因而赋予了芯片更高的性能和价值.     

半导体制造业的特点与机会

半导体制造业的趋势 半导体制造的趋势当中，最突出的一个就是IC的密度在持续增长。20世纪60年代中期提出的摩尔定律、在此后的40多年里依然准确地指导着整个行业的发展，定律中指出，半导体芯片的电路密度每18个月就会翻番。目前，高级元器件制造的线宽已经发展到最小为90nm，互联电路最多可高达10层。通过不断增加电路的密度，制造商们能够将更多的电子元器件集成到一只芯片上．因而赋予了芯片更高的性能和价值。     

资讯快报

IC与半导体飞兆半导体推出高集成度数字晶体管飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种全新的200mW数字晶体管系列,在目前市场上最小的封装中集成了一个外接电阻偏置网络。FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PNP)系列专为开关、逆变器、接口及驱动电路而量身定做,无需外接电阻。这种高集成度减少了元件数目,有助于设计人员节省板空间、降低设计成本、简化电路设计并使到系统性能最大化。此外,线路板空间因采用了表面贴装技术(SMT)进     

量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管

据报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上的晶体管生热过多的问题,在一块芯片上集成更多的晶体管,从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件,在过去的40年间,科学家们主要通过将更多的晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力,但目前这条道路似乎已快走到尽头。业界认为,半导体工业正在快速地接近晶体管小型化的物理极限,现代晶体管的主要问题是产生过多的热量。     

数据运营的精细化之道

计算机芯片发展史上有个著名的摩尔定律,指的是IC芯片上可容纳的晶体管数量每18个月就会增长一倍,这当然意味着芯片性能的不断提升。在互联网上也有个信息摩尔定律,说的是互联网上的数据量会在每9个月翻一番。     

具有模拟和数字多功能的GaAs IC问世

<正>据《Microwaves＆RF》1990年10月报道,美国TRW公司已成功地研制出具有模拟和数字功能的GaAs IC,称为“多功能GaAs IC”.其尺寸为1.05×3.75mm,内部含有54个异质结双极晶体管.该公司认为,这种IC的问世,意味着一种新技术的诞生.它在一个芯片上同时结合了模拟和数字两种功能,并应用HEMT和MESFET两种工艺技术.其芯片可以作为     

ARM进入电源管理IC市场

德国的Diaiog半导体公司日前宜布将ARM公司授权的Cortex-NO微处理器应用于下一代的混合信号电源管理电路产品中,以使芯片可以应用到四核甚至更先进的手机产品中。Dialog公司表示,这也是首次将标准的32位处理器内核集成到混合信号的电源管理IC上。