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勤 目 描页 题 目 赐页 工 作 拈 告GaAs闭管热氧化自生氧化膜的生长及其特 硅烷外延的快速生长—………………………·(二52) 性的的研究—…………………,……………(一1)集成电路芯片显微照相的新技术……………(H54)大规模集成电路工艺中的高纯水…………。··(一7)肖特基高速四D触发器的设计与制造—……·(三1)特高频电调谐变容管及其应用……………。··(一11)关于改革平面晶体管常规工艺的研究—……·(三 6)M的61锁相环调频立体声解码器内部电路 提高小功率塑封管中测合格率的几项措施…(三ic) 分析—………  相似文献   

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工 作 报 告 期(页)相容器件技术与优值型集成电路……………………………………………………一(1)旋涡状微缺陷的消除…………………………………………………………………一【9)MO—CVD法汽相生长Gal—xAlxAs的初步结果……………………………………一(15)关于P型硅中注入(PF  相似文献   

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第1期 我国半导体学者专家新春笔谈会——应采取有力措施加快集成电路和半导体的发展………………………………………………… ·,…………………………··,………·(1) 硅中过渡金属深杂质态的量子化学研究…………孙仁安 陈福荫 朱龙根 冯星洪(7) 异质结扩散模型电流传输理论研究 皿、异质结伏一安特性的扩散一发射 5“模型……………………………………………………………………,··田 牧(13) 超导电子学的进展…………………………………………………………………邵 凯(23) 用深能级瞬态谱法测量GaAs MESFET中的深能级………………  相似文献   

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工作报告 钮 页用C-V测量技术研究HCI氧化对表面态的影响…………………………………H(1)全离子注入C。D研制报告………………………………·,…………………·,…··三(1)n-MOS存储器的场掺杂…………………………………………………………一(16)电子元器件微型漏泄的堵塞与恢复。…………………。…………………………·四(1)关于吸附性器件检漏问题的探讨…………………。………………·。……………四(11) 综 述国外数字集成电路发展概况………………………………………………………三(24)国外线性集成电路当前的发展概况厂…………  相似文献   

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集成电路工艺研究 期 页离子注入在铝～硅接触中的应用……………………………………·…………………”l(1)一种新的V形槽腐蚀方法…………………………………………………………………1(5)直接热氮化二氧化硅薄膜的电特性………………………………………………………l(14)起卤化作用的等离子体中钨和硅化钨的腐蚀……………………………………………l(46)等离子生长氧化硅的电性能………………………………………………………………1(53)单片集成电路中镍一铬电阻的制作…………………………………·…………………一2(7)一种提高注入效…  相似文献   

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三、扩散和氧化1.菲克定律扩散和氧化是集成电路制造的基本工艺.集成电路制造中的扩散,是先在硅表面淀积一层所需要的杂质原子薄层,通常叫预淀积.在热场作用下杂质原子沿浓度梯度方向扩散.扩散的菲克第一定律为粒子流量f与浓度梯度成正比f=-D((?)N/(?)x)式中比例常数D叫做扩散系数,N为杂质原子浓度,x为到表面的距离.菲克第二定律是用连续自变量从第一定律推导出来的.设距离为dx的两个面间的粒子数为Ndx,N为时间t和距离的函数,则此区粒子累积率可写成:  相似文献   

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TCAD(Technology Computer-Aided Design)是先进的集成电路工艺开发中重要的辅助设计手段,其中的工艺模拟(Process Simulation)则是TCAD仿真流程中的关键首要环节。本文概述了集成电路工艺模拟中的常用的氧化、离子注入、扩散、光刻和刻蚀等工艺模型及其功能,并对随着深亚微米技术发展,工艺仿真在离子注入、应力仿真和三维仿真方面的进展进行了介绍。  相似文献   

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工 作 报 告 . 期 页Hj三甲基镓和砷烷制备砷化镓处延膜的工艺探索……………………………一(1)铝膜的电解腐蚀…………………………………………………………………一(9)MOS电路的低温淀积二氧化硅钝化…………………………………………一(13)多品硅膜的颗粒度与氧沽污……………………………………………………二(1)MOS集成电路倒向器的特性分析……………………………………………三(1)钛一铝金属化系统在浅结器件中的应用………………………………………三(20)川“平均电导”求硅中硼离子注入层的载流子分布……………………四～五(1…  相似文献   

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工 作 报 告 期 页MO—CVD外延工艺用高纯氢的制备………………………………………………一(21)集成电路工业的环境性初探…………………………………………………………二(1)肖特基二极管在LSTTL电路中的应用……………………………………………二(10)超大对离子注入技术的要求…………………………………………………………二(20)封装气密性对半导体集成电路可靠性的影响………………………………………二(28)高纯水制备技术………………………………………………………………………二(32)氧化物隔离等平面工艺及其应用……………………  相似文献   

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近年来在集成电路制造过程中,外延生长是十分重要的工序,通常选择(111)晶面向<110>方向偏某一角度的硅单晶,经过切割、磨片、抛光、氧化和光刻形成埋层扩散窗口,进行隐埋扩散。对我厂生产的P-24电视机集成电路、由于要求高β、大电流特性好、纵向PNP晶体管的集电极需要采取自由选择电位。它与一般常规隐埋工艺不同,先要进行锑埋层扩散,还要进行硼埋层扩散,然后用高频感应加  相似文献   

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说明硅的局部氧化技术可用于制造许多新的或改进了的器件结构。在双极集成电路中可以用氧化壁隔离来代替通常的隔离扩散,这有可能导致高的包装密度。另外,在双极晶体管的制备中这个方法能自对准,这使工艺过程简单了。在MOS集成电路中可以制作自对准的栅氧化区以及自对准的扩散沟道截断环。这样用比较简单的工艺可以实现P型沟道以及N型沟道MOS电路。通过氧化物-氮化物夹层结构的控制钻蚀(LOCOS-Ⅱ工艺)可更好的制作沟道截断环。  相似文献   

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第 33卷　总第 183～ 188期第 33卷　第 1期混合信号电路的衬底电阻网络模型　　…………………田洪宇 ,余志平 ,田立林 ,等 (1)……………………高性能 IC版图综合中的互连线时延估计模型　　………周骥伟 ,戎世怡 ,刘凌志 ,等 (5 )……………………实现工艺映射的新方法张　镭 ,林争辉 ,吕宗伟 (9)……射频微机械共面波导开关测试技术研究　　……………张正元 ,肖坤光 ,徐世六 ,等 (12 )……………………体硅 CMOS射频集成电路中高 Q值在片集成电路的实现张志勇 ,海潮和 (15 )…………………………………一种通用的电池宏模型罗　嵘 ,…  相似文献   

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以浓掺杂的多晶硅做为扩散源用在薄基区晶体管的砷扩散和磷扩散的一种新工艺已经发展起来。它包含用化学气相淀积方法淀积掺杂的多晶硅(掺杂的多晶硅以下称为DOPOS)和在氧化环境中的扩散过程。扩散过程中,在DOPOS表面上形成硅氧化膜,它阻止了杂质的外扩散并导致了杂质在DOPOS层中的凝聚。这样一来,通过1000℃的扩散可以在硅衬底中引起大约2×10~(20)原子/厘米~3的高表面浓度。背面散射分析表明在DOPOS和硅衬底的接触面上没有杂质积累;也就是说没观察到堆积现象。DOPOS工艺在重复性和器件大量生产方面是优越的,尤其作为砷发射极扩散方法更有效。由于在扩散过程以后在发射区上面保留了DOPOS,因此成功地防止了铝电极引起的发射极-基极短路。在单个晶体管情况下(As—DOPOS),f_T达5千兆赫;对电流型逻辑门电路的单片集成电路(P—DOPOS),t_(oa)在35毫瓦/门电路时达0.6毫微秒。  相似文献   

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一、前言 SiO_2乳胶扩散源的出现,开辟了氧化扩散工艺的新领域,由于它具有一般固态,液态源扩散所没有的一系列优点,可以它的出现引起人们的重视,目前它已成为一种有希望的扩散源,参加集成电路的会战。 由于SiO_2乳胶扩散源可会的元素相当多（AS、P、B、Al,Au,Sb,Ge等）掺会浓度可在10~(16)—10~(21)个/cm~3范围调整,所以TTL电路中的基区、发射区、收集区、MOS、CMOS电路中的漏、源区、阱均可以考虑使用,并可用磷硼乳胶做成磷硅玻膜,硼硅破膜作为表面钝化,以外获可子钠,提高器件的稳定性和可靠性。 本文将重探讨SiO_2乳胶源扩散在MOS、CMOS集成电路中的应用于以及乳胶Ⅲ—V族元素同步扩散问题,试图缩短工艺流程,减少光刻次数和高温处理时间。  相似文献   

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封面专题充满生机的液晶显示器………………………………一96.1二十一世纪显示器主流一液晶显示器…………………96.1台湾存储器的发展前景………………………………一96.1可提高安装密度的移动通信设备用连接器……………96.1厚膜集成电路发展趋势………………………………··96.2混合集成电路技术拓展用途适应需求增长……………96.2发展中的中国电阻器产业………………………………96.2显示器世界,谁能指点迷津……………………………·96.2语音Ic:功能多、价格稳、市场大………………………96.3语音芯片欣欣向荣步步高……………………  相似文献   

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工作报告期页在管壳柯伐柱上敷铝—以铝-铝系统代替金-铝系统……一(19)提高平行缝焊封帽合格率的初步探讨……一(23)混合集成电路的全密封结构的探讨……一(29)进一步提高管壳外引线的拉力强度……一(33)美国硅谷的发展……一(1)综述国外集成电路封装概况……一(1)我国IC封装概况及发展前途……一(9)国外数字集成电路商品化生产的技术水平……三(1)单片A/D转换器的国外发展动态……三(5)新型半导体器件综述……五(1)砷化镓集成电路的发展……六(1)译文半导体器件封装的发展……一(35)高密度组装技术和印刷布线版的发展动向……一(39)芯片…  相似文献   

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有关半导体器件或集成电路的批量生产中的晶体生长、扩散、氧化工艺等加工技术跟电气特性的关系已讨论的比较详细了。而电极形成工艺,除特殊器件外,一般满足于作成欧姆接触就行,而过去未加以详细讨论。最近,对半导体器件或集成电路的高性能、高可靠性的要求变得非常严格起来。在这种性能、可靠性方面,认识到成问题的器件恶化的主要原因,与其说由扩散、氧化工艺引起的,还不如说是由抗蚀剂、电极形成工艺方面引起的。  相似文献   

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工 作 报 告 钢(页)铝淋连续反应高子腐蚀工艺……………………………………………………一(二)一种用碗笔操作的集成电路版围编弱程序TEMP………………………………二(1)臼可靠钝化材料——泵酞亚胺…………··,………………………………………H(7)工艺/器件樟拟器接曰及奠实用化………………………………………………三(1)实纫高压双极器件与l汇器件单片兼容的最简单祛术…、……………………··六(1) 综 述干法腐蚀工艺的优选………………………………………………………………一(9)半导休三维集成电路………………………………………  相似文献   

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工 作 报 告 M页)[采用滴水氧化和三氯乙烯处理方法制备优质厚二氧化硅层………………………一(1)——,。—。、—。。。。a。。、,。。。_。。_111\。%四氯化碳等离子体腐蚀铝的若干特性………………·’··’··”·’…’·”’·’··’”””·”””,””””一O卫》一”采用平面电阻炉单面加热制备*川4的CVD工艺…………………………·。……·一(16)等离子体抛光硅的表面特性··。……………·、……………………………··,………·一(26)片状固态扩散源在磷扩散工艺中的应用……·。……………………………………·二(1)大…  相似文献   

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第 34卷　第 1期军用微电子技术发展战略思考徐世六 (1)………………基于 MEMS技术的微热电器件的研究进展陈　 ,廖　波 ,孔德文 (7)…………………………工业工程部门在集成电路制造企业中的作用与职责邵志芳 ,钱省三 (13)……………………………………电光检测技术空间分辨率的研究与进展李海兰 ,陈占国 ,贾　刚 ,等 (18)………………………模拟电路故障诊断的发展现状与展望黄　洁 ,何怡刚 (2 1)……………………………………Σ- Δ A/D转换器中电压放大型运放的高线性度设计杨雪飞 ,徐　科 ,李　联 ,等 (2 6 )………………………偏…  相似文献   

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