10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片

基于0．18μm CMOS工艺设计的10Gb／s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽，降低功耗。模拟结果表明，在1．8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb／s速率上，输入单端峰峰值为0．3V的差分信号时，在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1．4V，电路功耗约为85mW。     

交互式SPICE仿真和电路分析软件

交互式SPICE仿真和电路分析软件Multisim10．0和Ultiboard10．0可专用于原理图捕获、交互式仿真、电路板设计和集成测试。通过将NIMultisim10．0电路仿真软件和LabVIEW测量软件相集成，需要设计PCB板的工程师能够非常方便地比较仿真和真实数据，规避设计上的反复，     

用于10 Mb/s和100 Mb/s以太网的时钟数据恢复电路

设计了一个用于10Mb／s和100Mb／s以太同的时钟数据恢复电路，采用双环路结构，增加了系统的稳定性。电路各组成部分的设计进一步增强了锁相环工作的稳定性。电路行为级仿真采用Mentor的ADMS，电路级设计采用Chartered 0．25um CMOS工艺。     

10GB/s高速SERDES电路的MUX/DEMUX设计

介绍了一种适用于高速串并转换电路（SERDES）的MUX／DEMUX，采用0．18μmCMOS工艺．数据传输速率达到10GB／s。该电路主要由锁存器、选择器和时钟分频器3个模块组成，采用1．8V电压供电．MUX和DEMUX功耗分别为132mW和64mW。     

一种固定下降沿的高精度时钟占空比调整电路

提出了一种基于连续时间积分器的高精度占空比调整电路，利用积分电压控制倒相器上升沿延迟，并进一步通过触发器合成50％占空比时钟。电路采用CMOS0．35μ m2P4M混合电路工艺实现。后仿结果表明，该电路能将30％～70％占空比的输入时钟自动调整至50％±0．2％。电路结构简单，芯片面积约为0．18mm×0．12mm，仿真功耗仅为0．2～0．4mW。该调整方法本身受电路、工艺失配影响小，且调整过程中保持调整前后下降沿对齐，便于与锁相环或延迟锁相环结合，进一步在调整占空比的同时，改善输出时钟的其他性能。     

两级负反馈放大器的理论推导与Multisim仿真辅助的设计新方法

Multisim10．0是一个用于电子线路仿真与设计的EDA软件，它可在电路和元件的SPICE参数的基础上，仿真出电路的各种指标，如直流工作点、输入输出波形、晶体管的特性曲线、电路通频带以及温度、误差影响等等。本文用到了其中很多的指标测试功能。     

10 Gbit/s GaAs 跨阻前置放大器

GaAs基pHEMT工艺适合于制作10Gbit／s速率的高速前置放大器电路。完成了工作于10Gbit／s速率的跨阻前置放大器电路的器件设计、电路设计,电路采用了串联电感L技术,有效地提高了工作带宽。模拟工作带宽达到9．0GHz,跨阻增益达到58dBt2。电路采用0．2pmGaAs基pHEMT电子束直写T型栅工艺制作。对制作的电路进行了电测试,可工作于10Gbit／s的速率。     

多输出的CMOS带隙基准源的设计

带隙基准电压源是模拟电路中的一个重要单元。本文是基于无线局域网802．11a标准的无线收发机项目，采用SMIC0．18um RF CMOS工艺设计的一个多输出的带隙参考电压源，用于系统中需要精确参考电压的部分电路。总电路包括启动电路，误差放大器，带隙产生基本电路，多输出电路。芯片后仿真得到温度系数在-15℃到85℃范围内为13ppm／℃，经过流片测试后得到10MHz频率时最差PSRR大于20dB，可满足后续电路实际使用。     

用于电力监控系统的同步采样ADC

AD7606和AD7607同步采样ADC包含LDO、基准电压和缓冲器、跟踪与保持电路、信号调理电路、片上转换时钟以及高速并口和串口。这些新型器件还内置低噪声、高输入阻抗（独立于采样率）信号调整放大器，其-3dB输入带宽为10kHz，模拟输入阻抗为1MΩ，增益误差仅为0．1％，失调误差仅为0．01％。     

用于SDH-64光发射机的低功耗CMOS4:1复接器

介绍了可用于SDHSTM-64光纤传输系统的4：1复接器．整个电路采用树型结构，低速的复接单元采用动态双相伪NMOS逻辑实现，高速的复接单元采用SCL逻辑实现，提出了一种新型采用正反馈对的单端转双端电路，实现由低速单元到高速单元的逻辑变换．基于此结构的全定制单片集成电路采用0．18μm CMOS工艺设计并实现．测试结果表明，在供电电压1．8V，50Q负载条件下，复接输出数据速率超过10Gbit／s，在标准速率10Gbit／s，输出电压峰一峰值180mV时，功耗仅为180mw，抖动4．9／s（rms），芯片面积为0．89mm^2×0. 7 mm^2．     

高介电常数覆铜箔金属基复合微波介质基板的研制

本研究采用PPO树脂体系，同时采用介电常数调节剂——复合陶瓷粉材料，研制开发出了介电常数为6—10、介质损耗因数为小于0．005的金属基高频电路用覆铜板。     

一种用于10位100 MSPS流水线A/D转换器的CMOS线性采样开关

分析了影响CMOS模拟开关性能的主要因素，针对10位100 MHz采样频率A／D转换器对输入信号动态特性的要求，设计了一种适合在3．3V电源电压下工作的CMOS全差分自举开关采样电路。基于0．35μm标准CMOS数模混合工艺，在Cadence环境下采用Hspice对电路进行了模拟。模拟结果显示，其无杂散动态范围达到95 dB，满足了A／D转换器采样保持电路对输入信号高动态范围的要求，也保证了电路的可靠性。     

10Gb／s 0．25μm CMOS 1：4键合分接器

首先分析了1：4分接器的树型结构及其主要特点。在此基础上，进一步探讨了树型结构中所用的1：2分接器，并给出其中的锁存器电路结构。此外，还讨论了分频器电路及输入输出电路。最后分析了超高速键合电路并给出测试方案。测试结果表明，在采用标准0．25μm CMOS工艺设计的分接器中，本设计首次达到键合后能够在STM-16和STM-64所要求的数据速率上稳定工作的性能，最高工作速率达10．58Gb／s。     

一种低电压高精度125 MHz采样/保持电路

介绍了一个低电压高精度的高速采样／保持电路。该电路的电源电压为1．8V，在125MHz频率时钟采样时，可达到10位以上的精度；采用栅源电压恒定的栅压自举开关，极大地减小了采样的非线性失真，同时，有效地抑制了输入信号的直流偏移；高性能增益自举的折叠式级联运算放大器减小了有限增益和不完全建立带来的误差。整个电路以0．18μm CMOS工艺库验证，功耗仅为11．2mW。     

S波段低功耗单片集成低噪声放大器

报道了S波段低功耗单片前置放大器的研制结果。该单片电路采用1μm×600μmGaAsE－MESFET、源反馈电感以及具有平面结构的集总参数LC匹配元件。用离子注入技术保证电路具有较好的一致世。在2．3GHz频率点测试结果如下：Ga＝80dB，NF＝2．06dB／2．0V，2．2mA；Ga＝10．5dB，NF＝2．25dB／3．0V，4．8mA。测试结果与设计目标基本一致，这一结果说明在低功耗应用选取GaAsE－MESFET作有原器件是可行的。     

一种1.25 Gbps CMOS以太网串并/并串转换电路

用0．35μm CMOS工艺实现了单芯片1．25Gbps千兆以太网串并／并串转换电路。该电路兼容ANSI的光纤信道物理层标准(FC-0)。与同类电路相比，其核心单元—并串转换电路和串并转换电路—具有结构简单、面积小的优点[1，2]，其高速串行数据随机抖功只有同类电路的一半。另外，电路中还集成了锁相环环路滤波电容。     

安森美推出用于VR11电源管理的双缘控制器

美国国家半导体公司（NS）日前宣布推出“款型号均LM4132的高精度电压参考电路，并以其参考电压的准确度分为A～E五个不同级别，令系统设计更具灵活性。A级芯片的起始准确度达0．05％，温度系数保证不会超过10ppm／℃；而E级芯片的起始准确度为0．5％，温度系数刚达30ppm／℃．     

10Gb/s时钟数据恢复电路行为级模型研究

研究了超高速（10Gb／s）NRZ码时钟数据恢复电路的行为级建模,并采用TSMC 0．18 μm CMOS工艺进行了电路级仿真。     

一种全CMOS工艺吉比特以太网串并-并串转换电路

本文介绍了一种单片集成的吉比特以太网串并－并串转换电路。在芯片中，模拟锁相环产生1．25GHz高速时钟（当芯片用于光纤网络，时钟速率就为1．06GHz)，同时一个10到1多路选择器完成并行数据到串行的转换。在接收端，差分输入信号依次经过均衡电路、双端－单端转换电路转换成数字信号。同时，数据和时钟提取电路提取出时钟，并将数据重新同步。最后，串并转换电路完成串行－并行转换和字节同步。实验芯片采用0．35μmSPTM CMOS工艺，芯片面积为1．92mm^2，在最高输入输出数据波特率条件下的功耗为900mW。     

0.18-um CMOS 3.1-10．6GHz超宽带低噪声放大器设计

介绍了一种基于0．18-um CMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。在3．1～10．6GHz的频带范围内对它仿真获得如下结果：最高增益12dB；增益波动小于2dB；输入端口反射系数S11小于-10dB；输出端口反射系数S22小于-15dB；噪声系数NF小于4．6dB。采用1．5V电源供电，功耗为10．5mW。与近期公开发表的超宽带低噪声放大器仿真结果相比较，本电路结构具有工作带宽大、功耗低、输入匹配电路简单的优点。