Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1-x)金属-绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3 T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5 μΩ·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景。     

薄膜粒经对Debye温度和弹性系数的影响

通过金属薄膜电阻率的测定,得出Debye温度和薄膜厚度的关系,Debye温度和薄膜结晶大小的关系,以及弹性系数和薄膜粒晶大小的关系,金属薄膜用真空蒸发的方法制作,当基板的温度发生变化时,薄膜的粒子大小也将发生变化,基板温度越高,薄膜的粒子越大。     

薄膜粒径对Debye温度和弹性模量的影响

通过金属薄膜电阻率的测定,得出Debye温度和薄膜厚度的关系,Debye温度和薄膜结晶大小的关系,以及弹性模量和薄膜粒晶大小的关系,金属薄膜用真空蒸发的方法制作,当基板的温度发生变化时,薄膜的粒子大小也将发生变化,基板温度越高,薄膜的粒子越大。     

多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响

本文研究了LPCVD多晶硅薄膜晶体结构对薄膜压阻效应的影响，通过改变淀积温度和膜厚得到晶体结构不同的薄膜，经硼离子注入掺杂，杂质浓度均为10∧25/m∧3用X射线衍射法在分析了薄膜晶体结构，悬梁实验测出薄膜应变系数GF随淀积温度和膜厚的变化，理论分析表明，GF不仅随晶粒度单调增加，而且与织构情况密切相关，不同织构压阻效应大小不同，<100>结构对薄膜压阻效应影响很大，理论结果较好地解释了薄膜GF与淀积温度和膜厚的实验曲线。     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。     

确定对流传质系数的膜渗模型

针对对流传质过程研究中两个具有代表性的模型理论——薄膜模型理论和渗透模型理论确定的对流传质系数与实验结果存在一定不一致的问题,在分析薄膜模型理论和渗透模型理论特点的基础上,基于边界层理论,提出了确定对流传质系数的膜渗模型.讨论了该模型理论的原理、对流传质系数的确定方法及系数的正确性、优越性,获得了利用膜渗模型确定的对流传质系数表达式,并与遵循薄膜模型理论、渗透模型理论及Frossling经验公式的对流传质系数进行了比较.结果表明:膜渗模型更符合边界层理论,能更合理的解释流动边界上的对流传质过程;对流传质系数与扩散系数的关系为Dn(n=0.5~1.0),符合经验公式及实际中大量实验结果.     

ZnO薄膜光谱计算与颜色预测

简述了色彩形成的物理过程,建立一较有效的材料光谱特性仿真与色彩预测模型.采用密度泛函理论,计算了纤锌矿ZnO的复折射率,计算结果与实验结果相符.计算并分析了ZnO薄膜的反射光谱性质,预测了ZnO薄膜颜色为黄色,与实际样品相符.研究了薄膜厚度对ZnO薄膜色彩的影响,结果表明,在相干长度范围内(＜1300 nm),膜厚对ZnO薄膜颜色调制作用显著,膜较厚时(＞1300 nm),色彩及明度趋于稳定.     

氮分压对离子束溅射镍铬合金薄膜的影响

研究了氮气分压对薄膜沉积速率、表面形貌、电阻温度系数（TCR）以及电阻率的影响。利用原子力显微镜表征了薄膜的表面形貌，用Alpha—Step IQ台阶仪和四探针测量了薄膜的厚度和方块电阻。结果表明：薄膜沉积速率随氮气分压增大而减小；热处理使薄膜颗粒尺寸均匀，电阻率减小，电阻迟滞减小且TCR由负值变为正值。     

直流磁控溅射铂电阻薄膜

根据薄膜理论和通过成膜工艺实验,研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。1)对铂靶材料的纯度要求高,含杂质极少;2)淀积薄膜要有一定厚度,通常近于1μm才能有较大的α;3)成膜以后,需经过高温热处理,减少缺陷,结晶化改善。通过大量实验,使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片,溅射铂薄膜的厚度为800nm,高温热处理1h,可以获得电阻温度系数为3.850×10-3/℃的铂电阻薄膜。     

非晶态金属电阻率的理论计算和解释

考虑非晶态金属中的电声子相互作用和离子实的隧道效应，给出了无序程度小于某个临界值的三维非晶态金属的电阻率与温度关系的实验结果的理论计算和解释。     

真空区熔特高阻硅单晶

真空区熔特高阻硅单晶是一种纯度很高的硅材料,它是制造配置于测量仪器中的各种高阻硅探测器的基础材料。本文对硅单品导电型号、电阻率及其不均匀性、少子寿命、晶体直径等方面进行了研究,取得很好的实验结果,其中P型硅单晶电阻率达(3-10)×10~4Ω·cm。     

高密度电阻率法在采空区探测中的应用

简述了高密度电阻率法的基本原理和资料解释分析的方法.高密度电阻率法是一种具有成本低、效率高、采集信息丰富并且探测精度高的地球物理探测技术.采用高密度电阻率法,结合全站仪测量空间坐标数据进行地形校正,针对采空区的复杂状况,选用不同的极距,在复杂的采空区地表布设了5条测线,完成了3 679个测点的测量.结合测区地质状况和异常的特殊形态,通过数据处理,确定了采空区的分布位置,取得了良好的探测效果,证明了高密度电阻率法在当今工程地质勘察中具有很大的优势.     

高电阻率收尘极板有利于收集低比电阻粉尘的理论分析

高电阻率收尘极板是指收尘极板的电阻率远远大于金属极板的极板，能很好地防止因烟气中的有腐蚀的物质而使极板受到腐蚀，在相同的条件下，从高电阻率极板上粉尘层的电荷释放方程来看，高电阻率收尘极板增加了电荷释放的时间，从而有利于收集低比电阻粉尘，试验时测得，金属板对碳黑粉尘收集效率为24．72％，高电阻率极板对碳黑粉尘收集效率为71．96％。     

高密度电法在探测地下金属与非金属组合管线中的应用

应用高密度电法进行工程勘察,可以起到低成本、高分辨率的效果。本文在上海南汇某地的地下管线勘查中采用了高密度电法,根据测区物性和地质情况,设计了针对性地电模型,并通过实际采集资料的反演解释对比,确定了地下包铁皮管线的具体位置,与开挖结果相符。     

高密度电阻率法在隧道勘察中的应用

高密度电法具有测点密度大、信息量大、工作效率高等特点,目前在各种行业勘察中得到广泛运用。在测量过程中,可以利用转换装置来改变电极的排列方式,从而得到不同的装置组合,获得丰富的地电信息,有利于数据资料的处理与解释。本文通过高密度电阻率法在明山隧道勘察中的应用,反映了该方法在灰岩地区对探测岩溶和查明隐伏不良地质体发育情况的实际应用效果,对今后高密度电法在工程勘察中的运用具有一定的参考价值。     

盐溶液入渗过程的电阻率成像法时空监测

采用电阻率成像法探讨了室内实验尺度上岩体中盐溶液的入渗过程。在岩柱试样上进行蒸馏水和盐溶 液的入渗实验,在入渗过程中通过多通道高密度电阻率勘测系统对岩柱的电性特征在三维空间上进行动态监 测。然后对入渗过程岩柱进行电阻率成像,从而获得不同时刻岩柱中的电阻率分布。各勘测截面上电阻率的分 布和变化基本反映了岩柱内盐溶液的时空变化特征,表明电阻率成像法动态监测室内实验尺度岩石中盐溶液的 入渗是可行的,岩柱5个截面的电阻率图像表明溶液的入渗是不均匀的。     

有效电阻率理论公式中的颗粒含量限制

对于球颗粒低含量、偶电矩不发生相互影响和较高含量、偶电矩发生相互影响这两种情况,导出浸染介质的有效电阻率表达式。有效电阻率公式不仅可用于低体积含量(0.15左右),亦可用于较高体积含量的情况,其上限为0.3左右。     

高密度电阻率法在煤田采空区勘探中的应用

当目标体规模较小时,高密度电阻率法勘探较常规电阻率法有较大的优越性。通过一个煤田采空区勘探的实例,介绍了高密度电阻率法的外业工作方法,详细介绍了应用surfer和RES2DINV图件定性、定量的资料解释过程,同时在结语中指出原始数据的可靠性和准确性是最重要的,并且资料解释过程应结合实际的地质情况。     

超高密度电法的模型响应对比分析研究

超高密度电法是建立在常规高密度电法基础上的一种地球物理探测方法,其继承了高密度电法诸多优势,并且通过多通道数据采集,进一步优化采集方式,提高电极利用率、缩短实际操作时间、增大数据采集量,从而提高工作效率和准确性。本文首先简单介绍了超高密度电法以及改进型超高密度电法的基本原理、观测方式、正演模拟和反演成像的理论基础以及发展;其次针对一个典型的模型,分别通过对比超高密度电法和改进型超高密度电法与常规高密度电法对此模型的响应,对比分析之后确认改进型超高密度电法比常规高密度电法拥有更佳的探测效果,并且提高工作效率。     

高密度电法在水文地质中的应用

高密度电法是电阻率电法的一种,它通过人工场源建立地下稳定电场,再通过该稳定场的分布规律来研究各种地质问题．在工作中,高密度电阻率法通常有3种装置类型可供选择,即温纳装置、偶极装置和微分装置．结果分析时,一般采用电阻率直接解译．另外,当使用多种电极系进行数据采集时,还可以用比值参数法对结果进行分析．通过研究不同装置的高密度电法剖面,采取不同的数据处理方式,实例分析了3种装置在探测地下介质含水性的差异．结果表明,偶极和微分装置的探测结果对于异常的反映相似,温纳装置更适合于探测电性界面变化较小的情况,比值参数的处理方法能够更加清晰地显示异常体的几何形状．