首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
为了研究化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜生长过程中{100}织构的形成机理,采用x射线衍射、电子背散射衍射和扫描电镜研究了CVD自支撑金刚石薄膜的宏观织构、微区晶界分布和表面形貌。结果表明:金刚石薄膜以{111}面或{100}面为生长前沿面都能够形成{100}织构,但形成的表面形貌不同;通过吸附CH3-和CH3-在{1...  相似文献   

2.
WC-Co硬质合金基体上高附着力金刚石薄膜的制备   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)法在WC-Co硬质合金基体上制备金刚石膜, 研究了TiNx中间层的引入对金刚石薄膜质量及其附着性能的影响. 结果表明, 在酸浸蚀脱钴处理的基础上, 通过预沉积氮含量呈梯度变化的TiNx中间过渡层, 可在硬质合金基体上制备出高质量的金刚石薄膜; 压痕法测试其临界载荷达1000N.  相似文献   

3.
用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢-氧等离子体对WC-Co硬质合金(YG6)基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明,与化学腐蚀方法相比,氢-氧等离子体处理具有独特的表面钴效果,沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善,且对MWPCVD过程而言有其技术上的一些优越性。  相似文献   

4.
甲烷浓度对CVD金刚石薄膜晶体学生长过程的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用X射线衍射技术、电子背散射衍射技术和扫描电镜分别观察了不同甲烷浓度条件下沉积的CVD自支撑金刚石薄膜的宏观织构、微区晶界分布和表面形貌.研究了金刚石晶体{100}面和{111}面生长的晶体学过程.研究表明,{100}面通过吸附活性基团CH^2- 2,而{111}面通过交替吸附活性基团CH^-3和CH^-3后脱氢堆积碳原子.低甲烷浓度时,{111}面表面能低于{100}面,使{111}面生长略快于{100}面.甲烷浓度升高,动力学作用增强使{100}面生长明显快于{111}面,使金刚石薄膜产生{100}纤维织构;同时显露的{100}面平行于薄膜表面,竞争生长使位于晶体侧面的{111}面由于相互覆盖而减小,形成了不同于单晶体自由生长的薄膜表面形貌组织.  相似文献   

5.
WC-Co硬质合金表面MW-PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了WC-Co硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,利用氢-氧等离子体处理方式有显著的去钴效果,相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比,微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢-氧等离子体处理方式具有独特的优越性。  相似文献   

6.
用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)制备金刚石薄膜涂层之前,采用盐酸、硝酸化学腐蚀和氢-氧等离子体对WC-Co硬质合金(YG6)基体表面进行去钴预处理。扫描电子显微镜形貌观察和X射线衍射谱分析都表明,与化学腐蚀方法相比,氢-氧等离子体处理具有独特的表面去钴效果,沉积金刚石薄膜的喇曼谱分析更证实其对涂层质量的改善,且对MWPCVD过程而言有其技术上的一些优越性。  相似文献   

7.
研究了WC-Co硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,利用氢-氧等离子体处理方式有显著的去钴效果,相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比,微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢-氧等离子体处理方式具有独特的优越性。  相似文献   

8.
CVD自支撑金刚石薄膜中的宏观织构与微观孪晶   总被引:5,自引:0,他引:5  
采用背散射电子取向成像、扫描电镜、X射线衍射等手段研究了CVD自支撑金刚石膜的宏观织构、微观组织及晶粒取向的演化过程.薄膜制备时的气氛纯度较低,这是引起本文金刚石膜中发现大量孪晶的一个重要原因.杂质原子会降低金刚石的层错能,从而降低孪晶界的形成障碍,促进孪晶生成.频繁的孪晶导致{100}织构转向{122}织构,并弱化薄膜织构,使性能趋向各向同性.{110}取向的晶粒孪晶后仍具有{110}取向,因而在多重孪晶出现时仍可保持一定的稳定性.  相似文献   

9.
金刚石薄膜在硬质合金表面的沉积与结合强度   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了准分子激光辐射WC-6W+%Co(YG6)硬质合金工具衬底产生的选择性蒸发和表面改性作用,YG6表面的钴含量被有效地降低。研究了在硬质合金YG6工具衬底沉积金刚石薄膜的良好工艺参数范围,由于钴的存在和迁移,沉积金刚石薄膜的温度和甲烷浓度范围变窄。  相似文献   

10.
等离子体刻蚀处理对金刚石膜粘附性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
匡同春  代明江 《功能材料》1998,29(5):509-513
采用直流等离子体射流CVD法在YG8质合金基体上成功地合成了多晶金刚薄膜。通常基体表面经金刚石磨盘研磨、稀硝酸化学侵蚀脱钴预处理后,沉积的金刚石薄膜的的粘附性能仍不理想。本文首次采用原位的Ar-H2等离子体射流对基体表面进行适当的轰击、刻蚀处理,显著粗化了基体表面,并使基体表面显微组织和化学成分发生重大变化,并且在合适的沉积工艺条件下,沉积的金刚石膜的粘附性能显著提高。借助XRD、SEEM、TEM  相似文献   

11.
《工程爆破》2022,(1):14-17
本文根据应力波理论和流体动力学理论,分析并推导了计算冲击波初始参数的模型,指出了不同时刻各参数间的差别,试从能量的观点对其进行了分析。  相似文献   

12.
赵斌 《工程爆破》1997,3(1):14-17
本文根据应力波理论和流体动力学理论,分析并推导了计算冲击波初始参数的模型,指出了不同时刻各参数间的差别,试从能量的观点对其进行了分析。  相似文献   

13.
不同装药结构对孔壁压力影响的分析   总被引:8,自引:0,他引:8  
在某些假设条件下,运用爆轰气体动力学理论与应力波理论,推导出间隔装药和连续装药结构时孔壁所受压力的表达式。比较表明,间隔装药爆炸时作用在孔壁上的初始压力是连续装药爆炸时的1/8。实际爆破试验证明,缓冲孔采用间隔装药时,台阶坡面的裂隙率为0 30%~3 33%,而采用连续装药时,裂隙率为2 40%~3 85%。这说明,间隔装药结构可减小炮孔周围岩石的破坏范围,从而有利于边坡的完整和稳定。  相似文献   

14.
应用2kW-CO_2激光器,在 GH140合金表面进行 NiCoCrAlY 包覆涂层重熔处理。结果表明,控制恰当激光工艺参数,可使激光重熔区成分稀释度低,组织细化,涂层致密性、附着力显著提高。从而有效改善了抗蚀性和抗冷热疲劳性,并保持原涂层良好的塑性。  相似文献   

15.
沟槽型真空注射成型工艺的研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
真空注射成型工艺是一种新型的复合材料液体模塑成型工艺,对沟槽型真空注射成型工艺开展了实验研究,通过充模实验确定了引流槽的宽度、深度和槽间距及主槽的槽间距等工艺参数并进行了优化;对影响充模过程的各种因素进行了详细的讨论,并以夹芯面板的制作实例阐述了沟槽型真空注射成型的工艺过程。  相似文献   

16.
基于快速成形的低温冰型制造技术研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了冰型制造中的喷射技术和工艺问题。通过实验认为基于电磁阀高频振荡的离散喷射方式最适合于低温冰型成形。提出了临界成形时间的概念,并研究了影响成形质量的诸多因素。通过工艺参数优化,制造出质量较高的冰型。  相似文献   

17.
影响里氏硬度检测因素的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对某转轴的里氏硬度测定分析,认为被测物表面的油污和粗糙度及工件曲率半径的大小等将影响里氏硬度检测的结果。  相似文献   

18.
吴耀鹏 《工程力学》2013,30(2):266-271
改进壳结构力学模型,理论推导考虑边界效应时结构应变能的解析表达式。基于能量原理研究薄壳结构的双稳态特性,并导出其在稳定状态下的曲率和卷曲半径。对于有初始应力薄壳结构,其在卷曲状态下的应变能有极小值,存在第2个稳定状态,为双稳态结构。数值计算结果表明:同不考虑边界效应相比,考虑边界效应时薄壳结构第2个稳定状态的卷曲半径将变大,且对应的应变能较不考虑边界效应时小。另外,薄壳结构边界效应随着结构初始圆心角的增大而减小,且边界效应引起的位移相对于卷曲半径而言为高阶小量。该文结果与已有理论结果和有限元结果吻合较好,验证了模型的有效性。  相似文献   

19.
以Askervein山为研究对象,基于开源平台Nek5000,自编程序完成复杂地形下谱元法的网格建模,添加计算湍流粘性项子程序,对复杂地形风场进行大涡模拟,并与场地实测数据及其它数值结果进行对比。结果表明,谱元法的大涡模拟结果与Askervein山的场地实测结果符合较好,表明该方法在复杂地形风场的预测上有较高的精度,可用于复杂地形的风能资源评估。  相似文献   

20.
湍流对气流分级效率影响的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以湍流脉动分量服从正态分布的假设为基础,导出湍流对分级效率影响的数学方程。方程数值解表明,湍流度越大对分级效率的影响越大,湍流对所有粒径的颗粒都有影响,但不会导致“鱼钩效应”的产生。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号