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RF2945是RFMicroDevices公司生产的一种单片射频收发芯片,利用该芯片可在433/868/915MHzISM频段进行FSK/ASK/OOK调制和解调。由于RF2945射频收发芯片内含射频发射、射频接收、PLL合成和FSK调制/解调等电路,因而可用于接收和发送数字信号。文中介绍了RF2945的结构原理和主要特性 ,同时给出了RF2945收发器的典型应用电路和使用注意事项 相似文献
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基于格罗方德0.18 μm CMOS 工艺,提出了一种新型的低功耗OOK/DBPSK超宽带脉冲发射机。采用了简单的结构,极大减少了能量消耗。结果表明,该发射机在2 Mbit/s的数据率下,载波带宽为3~5 GHz,平均功耗仅为270 μW。该发射机可支持的最高数据率为30 Mbit/s。在2~30 Mbit/s数据率下,该发射机可在100 Ω负载上达到1~3.3 V的差分输出峰峰值。该发射机适用于无线局域网,并可提供精确定位支撑。 相似文献
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针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B),提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调制.采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高度集成的无线发射机前端由射频信号调制器、E类功率放大器以及相应的逻辑控制单元组成,其中的功率放大器的小信号增益约为23dB,其1dB压缩点输出功率为17.6dBm,最大输出功率为19.0dBm,而最大功率增加效率为35.4%.整个发射机的输出信号满足相应协议的特定要求,可以实现不同调制深度(18%和100%)的射频信号输出. 相似文献
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一种FSK信号调制解调电路的设计 总被引:1,自引:4,他引:1
介绍了一种FSK信号调制解调电路的设计思想,发送端采用锁相环芯片CD4046实现了基带信号的FSK调制,接收端采用普通鉴频法进行解调,将FSK信号转换为ASK信号,并采用检波和低通滤波电路恢复出其基带信号。该电路具有结构简单、成本低廉、工作可靠等优点,可适用于低速电力线载波通信中。 相似文献
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文中介绍了基于DDS技术的FSK遥测发射机的构成原理,主要技术问题和解决办法,以调试方法和研制结果。该遥测发射机电路结构简单,调试方便,频率稳定度高达10-5量级,杂波抑制比大于45dBc。 相似文献
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在电子对抗领域,信号调制方式识别是进行雷达分选、干扰施放的基础,得到广泛研究。对此,文中提出了一种以信号频谱相像系数和幅度统计参数为分类特征的FSK/BPSK复合调制雷达脉冲信号识别算法。算法首先提取雷达脉冲信号的频谱相像系数和幅度统计参数,然后采用分层结构的神经网络分类器进行识别。该算法不仅能识别FSK/BPSK复合调制信号,且对其他常用雷达信号调制方式的识别不产生干扰。仿真结果表明,针对FSK/BPSK以及CW、LFM、BPSK、QPSK、FSK等常用雷达信号调制类型,在信噪比>5 dB时,分类正确率可达98%以上。 相似文献
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针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B),提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调制.采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高度集成的无线发射机前端由射频信号调制器、E类功率放大器以及相应的逻辑控制单元组成,其中的功率放大器的小信号增益约为23dB,其1dB压缩点输出功率为17.6dBm,最大输出功率为19.0dBm,而最大功率增加效率为35.4%.整个发射机的输出信号满足相应协议的特定要求,可以实现不同调制深度(18%和100%)的射频信号输出. 相似文献
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一种可输出434/868MHz信号的Σ-Δ分数分频锁相环在0.35μmCMOS工艺中集成。该发射机系统采用直接调制锁相环分频比的方式实现FSK调制,OOK的调制则通过功率预放大器的开-关实现。为了降低芯片的成本和功耗,发射机采用了电流数字可控的压控振荡器(VCO),以及片上双端-单端转换电路,并对分频器的功耗设计进行研究。经测试表明,锁相环在868MHz载波频偏为10kHz、100kHz和3MHz处的相位噪声分别为-75dBc/Hz、-104dBc/Hz和-131dBc/Hz,其中的VCO在100kHz频偏处的相位噪声为-108dBc/Hz。在发送模式时,100kHz相邻信道上的功率与载波功率之比小于-50dB。在直流电压2.5V的工作条件下,锁相环的电流为12.5mA,包括功率预放大器和锁相环在内的发送机总面积为2mm2。 相似文献
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RF2915是一种单片射频收发电路,工作在433MHz/868Mz/915MHz ISM频段,内含射频发射、射频接收、调制/解调等电路,能够接收和发送数字信号,给出RF2915的结构、原理、特性及应用电路。 相似文献
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Tuan-Anh Phan Jeongseon Lee Krizhanovskii V. Seok-Kyun Han Sang-Gug Lee 《Microwave and Wireless Components Letters, IEEE》2007,17(9):688-690
This letter presents a new transmitter for multiband impulse radio ultra-wideband (IR-UWB) systems. The ultra low-power, low-complexity UWB transmitter operates over three 528-MHz subbands in 3-5 GHz band. It consists of an on-off keying (OOK) modulator and a pulse generator which is based on the ON/OFF switching operation of an LC oscillator. Measurements show a pulse duration of 3.5 ns and a spectrum that fully complies with the FCC spectral mask with more than 20 dB of sidelobe rejection. Implemented in 0.18-mum CMOS technology, the transmitter operates in burst mode and dissipates only 18 pJ of energy consumption per pulse. The transmitter is best suited for energy detection receivers. 相似文献
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介绍了一种采用CMX017/018单片UHFFM/FSK发射芯片和接收芯片的无线电收发电路。 相似文献
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Yue Wu Chunlei Shi Xiaohui Ding Mohammed Ismail Håkan Olsson 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2002,33(3):239-248
In this paper, a class of CMOS biquadratic filter suitable to work at VHF/RF frequency range is presented. The proposed circuit has a simple structure which is analyzed and designed according to a universal G
m-C biquad filter. Simulation and experimental results show that these filters can work in GHz range and have wide tuning range. 相似文献
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使用CMOS RFIC设计2.4GHz蓝牙收发器需要在设计过程中的所有阶段对关键性能进行仔细的验证。这可以通过EDA软件的几个功能来实现,如提供晶片厂模型库,带有蓝牙测试信号的系统兼容性测试模板,还可以和测试仪器的链接,验证仿真数据和实际测量结果是否一致。 相似文献
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This paper presents a fully integrated 0.13 μm CMOS MB‐OFDM UWB transmitter chain (mode 1). The proposed transmitter consists of a low‐pass filter, a variable gain amplifier, a voltage‐to‐current converter, an I/Q up‐mixer, a differential‐to‐single‐ended converter, a driver amplifier, and a transmit/receive (T/R) switch. The proposed T/R switch shows an insertion loss of less than 1.5 dB and a Tx/Rx port isolation of more than 27 dB over a 3 GHz to 5 GHz frequency range. All RF/analog circuits have been designed to achieve high linearity and wide bandwidth. The proposed transmitter is implemented using IBM 0.13 μm CMOS technology. The fabricated transmitter shows a ?3 dB bandwidth of 550 MHz at each sub‐band center frequency with gain flatness less than 1.5 dB. It also shows a power gain of 0.5 dB, a maximum output power level of 0 dBm, and output IP3 of +9.3 dBm. It consumes a total of 54 mA from a 1.5 V supply. 相似文献