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基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图.分别对部分耗尽的nMOS/SOI和pMOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图.结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109 cm-2·eV-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011 cm-2·eV-1. 相似文献
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提出了一种埋部分P+层的背栅SOI(Buried Partial P+ layer SOI,BPP+SOI)高压器件新结构.部分P+层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,而且还降低了源端PN结表面电场,使器件击穿电压随背栅压的增加而大幅增加,比导通电阻也显著降低.仿真结果表明,在漂移区长度为150μm,背栅压为650V时,BPP+SOI的耐压较常规结构提高了84.9%;在漂移区为120μm,耐压相同的情况下,BPP+SOI的比导通电阻较常规结构降低了31%. 相似文献
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MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质 总被引:1,自引:0,他引:1
通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱为中性 ,使界面态陷阱将引起的阈值电压漂移 ;而对 PMOSFET,当费米能级临近价带 (P沟晶体管反型 )时 ,施主型界面态陷阱带正电荷 ,受主型界面态陷阱为中性 ,界面态陷阱将引起负的阈值电压漂移。理论模拟的转移特性与测试结果吻合。文中从器件工艺参数出发 ,初步建立了总剂量电离辐照模型 ,该模型对于评估器件总剂量加固水平提供了一种理论方法 相似文献
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LOCOS隔离的SOI器件的性能强烈依赖于其背栅特性,而背栅应力会影响到背栅的特性。常温下在SOI器件的背栅上施加大电压并持续30秒以上可以显著改变背栅的阈值电压。这种改变是稳定的和时不变的。对NMOS加正的背栅压和对PMOS加负的背栅压都可以提高其背栅阈值电压。实验结果表明沿着硅岛的边缘有一条从源到漏的寄生漏电通道,而且将栅,源,漏接地并在背栅上加大的偏压可以强烈影响漏电通道。因此我们可以得到结论,背栅应力会影响与漏电流直接相关的背栅阈值电压。 相似文献
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采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法.该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频C-V曲线变化求解陷阱密度.从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数.在此基础上,可以对器件的累积失效率进行精确的评估. 相似文献
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Numerical Analysis of Characterized Back Interface Traps of SOI Devices by R-G Current 总被引:1,自引:1,他引:0
SOI technology is based on the complicated fabrication process of ultra- thin siliconfilm on Si O2 insulation layer.The key of improving the performance of SOI- based devicesand circuits is to reduce the density of electron- hole reco... 相似文献
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Characterized back interface traps of SOI devices by the Recombination-Generation (R-G) curren: has been analyzed numerically with an advanced semiconductor simulation tool,namely DESSiS-ISE. The basis of the principle for the R-G current's characterizing the back interface traps of SOI lateral p+p-n+ diode has been demonstrated. The dependence of R-G cur rent on interface trap characteristics has been examined, such as the state density, surface recombination velocity and the trap energy level. The R-G current proves to be an effective tool for monitoring the back interface of SOI devices. 相似文献
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Characterized back interface traps of SOI devices by the Recombination\|Generation (R\|G) current has been analyzed numerically with an advanced semiconductor simulation tool,namely DESSIS\|ISE.The basis of the principle for the R\|G current's characterizing the back interface traps of SOI lateral p\++p\+-n\++ diode has been demonstrated.The dependence of R\|G current on interface trap characteristics has been examined,such as the state density,surface recombination velocity and the trap energy level.The R\|G current proves to be an effective tool for monitoring the back interface of SOI devices. 相似文献
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首次提出一种新的具有双面界面电荷岛结构的SOI高压器件(DCI SOI).该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓度n+区及p+区.器件外加高压时,纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽n+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面,同时在下界面积累感应电子.引入的界面电荷对介质层电场(EI)产生附加增强场(ΔEI),使介质层承受更高耐压,同时对顶层硅电场(ES)产生附加削弱场(ΔES),避免在硅层提前击穿,从而有效提高器件的击穿电压(BV).详细研究DCI SOI工作机理及相关结构参数对击穿电压的影响,在5 μm介质层、1 μm顶层硅上仿真获得750 V高耐压,较常规结构提高254.4%,其中,附加场ΔEI和ΔES分别达到642.5 V/μm和24 V/μm. 相似文献