下截止频率1.3～244Hz可调带通VGA设计

采用电压控制的伪电阻结构,设计了一款具有超低频下截止频率调节功能的带通可变增益放大器(VGA),由于该结构具有可调节超大的等效电阻和反馈电容使VGA的下截止频率可以调节.提出了一种改进的甲乙类运算跨导放大器(OTA)结构,采用新颖的浮动偏置设计,在满足高压摆率的条件下,有效提高共源共栅结构的电压输出范围.将伪电阻用于OTA的共模反馈,克服了阻性共模检测结构负载效应的问题.该VGA电路采用TSMC 0.18 μm标准工艺设计和流片,测试结果表明,1.2V电源电压下,其下截止频率调节范围为1.3～ 244 Hz,增益为49.2,44.2,39.2 dB,带宽为3.4,3.9,4.4 kHz,消耗电流为3.9 μA,共模抑制比达75.2 dB.     

一种适用于生物医学信号采集的高线性度VGA

传统VGA线性度较低,不适用于生物医学应用.文章分析了基于可编程跨导器的传统结构,得出环路增益和失真的关系,并基于此采用增益提升技术提高环路增益,设计了一种新型的基于可编程跨导器的VGA,提高了 VGA的线性度.仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,电路消耗电流为10 μA,在0～30 mV的输入信号幅度范围内,VGA...     

使用电可调电阻和精密仪表放大器支持高增益应用

本文介绍了如何使用一个零漂移精密仪表放大器,一对rejustor(电可调电阻)和增益设置电阻实现高精度增益设计的方法.文中以仪表放大器MAX4208为例,介绍了应用实例及结果.     

一种基于负电阻增益增强型的全差分运算放大器

设计了一种新颖的全差分的CMOS运算放大器.在全部晶体管都取最小沟道长度的情况下,层叠的负电阻晶体管结构来提高增益.在电源电压为2.5V, 0.25 μm CMOS工艺条件下进行电路模拟.模拟结果表明, 开环直流增益为86 dB,单位增益带宽为200 MHz,相位裕度为80°.     

一种高dB-线性宽动态范围CMOS可变增益放大器

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高dB-线性宽动态范围的CMOS可变增益放大器.拽数电路通过伪Taylor200 MHz构dB-可变增益单元采用可变跨导、可变负载结构.Hspice仿真结果显示,3-dB带宽为200 MHz,在dB-线性内,输出电压的增益动态范围达40 dB,误差在±0.5dB之内...     

一种用于5G终端增益可调的低噪声放大器设计

针对无线接收机需要对不同强度信号进行不同程度放大的要求,采用WIN公司的0.15 μm GaAs pHEMT工艺设计了一款工作频段为5G通信频段3~5 GHz的可变增益低噪声放大器。该放大器包含两级放大电路,均采用自偏置结构,降低了端口数量,通过调节第二级放大电路的控制电压在0至5 V之间变化,可实现系统增益的连续可调范围约39.3 dB(－3.5~35.8 dB)。放大器版图尺寸为0.94×1.24 mm²。控制电压为0 V时,系统噪声为0.53±0.01 dB,增益为35.5±0.35 dB,中心频点4 GHz处,OP1dB为13.2 dBm,OIP3达到32.7 dBm,表明系统具有良好的线性度。     

一种输出电压可编程的闭环CMOS VGA的设计

利用SMIC0．18μm COMS混合工艺,针对无线通信系统中的信号接收机,设计了一个能够工作在40MHz频带内的中频闭环可变增益放大器VGA,它包括可编程的输出电压和数字化的自动增益控制AGC电路。可编程的输出电压使得该VGA能够很好的适应不同应用方案下的动态范围要求,通常情况下,AGC电路依靠DSP基带芯片实现,然而,这里重点讨论从DSP芯片分离出来的数字AGC电路,独立的AGC电路使得VGA和DSP可以各自集中精力于自己的工作,降低部件相关性。该闭环VGA具有20dB增益调整范围。可编程输出AC电压峰峰值Vp-p,能够以每50mV为一档从100mV编程到300mV。     

用于数字电视调谐芯片的高线性CMOS VGA

设计了一种适于DVB-C标准的中频可变增益放大器。该放大器由三部分构成:电流调节型可变增益单元、基于差分对管传输特性的指数控制电压产生电路以及一高线性输出级。采用Chartered0.25μm RFCMOS工艺库下流片。测试结果表明,4～49dB的连续增益范围,100MHz的3dB带宽,50Ω负载下的OIP3为16.8dBm。     

一种新颖的电流型高通和带通滤波器

探讨利用集成运放制作同时实现电流型高通和带通功能的滤波电路,就运放的非理想特性对滤波器参数的影响进行了分析。理论和实验结果表明:本文介绍的滤波器性能良好。     

一种高增益步进可调的宽带直流放大器设计

设计了一种宽带直流放大器。该系统采用两级宽带压控可变增益放大器AD603和高精度、高分辨率的12位数模转换器TLV5638实现可靠的高增益及增益高精度连续步进可调。输出级采用大电流输出运放THS6022,以提高带负载能力和输出电压。在带宽选择上,使用高速运放构成有源滤波器和高灵敏的信号切换继电器实现不同带宽设置。该系统采用了抗干扰措施有效地减少噪声、电源纹波并抑制自激。经测试,系统增益最小0dB,最大增益80dB,步进1dB,并可预置增益,误差小于0.2dB,通过有效散热、增益调整,使得在50Ω负载下最大输出电压有效值能达到10V,并稳定工作。该系统在自动化要求较高的系统中具有较好的实用性。     

一种新颖的Ⅱ型D／A电阻网络

文章在分析了两种常见的Ｄ／Ａ转换器权电阻网络后，提出了一种全新的Ⅱ型权电阻网络Ｄ／Ａ转换器，在电子技术应用领域有其实用价值。     

一种新颖的Π型 D/A 电阻网络

文章在分析了两种常见的Ｄ／Ａ转换器权电阻网络后，提出了一种全新的Π型权电阻网络Ｄ／Ａ转换器，在电子技术应用领域有其实用价值。     

一种高线性宽带CMOS全差分放大器

设计了一种高线性度的宽带CMOS全差分放大器,输入级采用带有电阻共模负反馈的差分电路,输出级则由推挽跨导运算放大器及其反馈环路组成.采用输入级源退化电阻及输出级负反馈技术,使得差分输出峰峰值为1 V时三阶谐波失真达到-60 dB.同时利用反馈环路中反馈电容的欠阻尼滞后补偿作用,使放大器的带宽增大了15%.测试结果表明,在0.25 μmCMOS工艺下,该放大器-3 dB带宽达到150 MHz,噪声系数小于14 dB.     

一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS

提出了一种具有超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS器件。该器件在两个氧化槽中分别制作L型多晶硅槽栅。漏极n型重掺杂区向下延伸,与衬底表面重掺杂的n型埋层相接形成L型漏极。L型栅极不仅可以降低导通电阻,还具有纵向栅场板的特性,可有效改善表面电场分布,提高击穿电压。L型漏极为电流提供了低阻通路,降低了导通电阻。另外,氧化槽折叠漂移区使得在相同耐压下元胞尺寸及导通电阻减小。二维数值模拟软件分析表明,在漂移区长度为0.9 μm时,器件耐压达到83 V,比导通电阻仅为0.13 mΩ·cm²。     

一种新颖的T型D/A电容网络的设计

为了克服权电容网络D／A转换器中电容容值相差悬殊的缺点．设计了一种新颖的T型电容网络D／A转换器。相比前者．电容器的电容量相差很小。     

具有高可调增益范围的CMOS宽带中频调制器

利用TSMC 0 .2 5 μmCMOS混合工艺 ,针对超外差结构的无线宽带收发器 ,实现了一个能够工作在 5 0～6 0 0MHz的中频调制器 ,并对该调制器进行了仿真和测试。由于该调制器在输出端采用了一个具有高可调增益范围而且鲁棒性能好的可变增益放大器 (VGA) ,从而使得该调制器具有超过 70dB的增益可调范围。测试结果表明 ,该调制器能够工作在 5 0～ 6 0 0MHz的频率上 ,输出功率为 - 81～ - 10dBm ,最小增益的输出噪声为 - 130dBm/ Hz,最大增益的输出P1dB点为 - 4 .3dBm ,在 3V的电源电压下 ,电流功耗为 32mA。     

一种高性能运算放大器的设计

应用0.35μm工艺,在10mw功耗下设计了一个放大倍数为124db、单位增益带宽为233MHz(负载为2pF)的全差分运算放大器,可以同时满足一定的高速、高精度指标.其中,高的直流电压增益通过两级的cascode结构提高运放的输出电阻得到,同时,采用两个全差分运算放大器替代传统的四个单端运算放大器作为增益自举结构,而增益自举运放的共模反馈利用单MOS管来实现.仿真表明,这种新型结构的全差分运算放大器在面积、功耗以及建立时间上都优于传统的运算放大器.     

一种Ku波段宽带T型相控阵天线的设计

为同时兼顾天线的电性能和成本,设计了一种 Ku 波段的宽带 T 型雷达相控阵天线, 给出了天线的分析和设计过程。天线由两个一维线阵组合而成,正交布置的两个一维线阵可在小角度范围内形成正交的双扇形波束,实现有限相扫。在满足了雷达天线扫描精度需求的同时,减少了天线单元和移相器数量,降低了天线成本。经实际测试,在 34 %的工作带宽内,单个线阵增益大于30.9 dBi。相干合成工作模式下,天线增益较单线阵增益增加约3 dB,波束宽度为1°×1°, 测试结果与设计分析具有良好的一致性。     

一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器

采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8～48dB的增益连续变化,差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc,最大增益处噪声系数为8.7dB,50Ω负载下三阶输出截点为14.2dBm.     

一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器

采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8～48dB的增益连续变化,差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc,最大增益处噪声系数为8.7dB,50Ω负载下三阶输出截点为14.2dBm.