一种低压CMOS LDO稳压电源电路

提出了一种低压CMOS LDO稳压电源电路。与常规CMOS LDO稳压电源电路相比,该电路有两个主要特点:引入了低压带隙基准电路;将带隙基准电路置于串联稳压管后端。通过上述设计,提出的稳压电源电路能在输出电压较低的情况下提供较稳定的输出,同时也能提供稳定的偏置电压及具有较高PSRR的基准输出。对电路进行了仿真,并给出了仿真结果。     

带使能端及保护电路的LDO设计

设计了一种带有使能端以及保护电路的低压差线性稳压器(LDO)。这种基于传统结构、带有使能端的LDO可在系统电路不工作时被关断,以减小电路功耗。使能信号可由数字模块输出。该LDO带有过流保护、短路保护以及过温保护电路,在过流、过温以及短路时能受到保护,避免电路被损坏。基于CSMC 0.5 μm单阱工艺完成电路设计,输入电压为5 V,输出电压为3 V,最大输出电流为100 mA,输出瞬态电压最大变化为4.26 mV。     

一种低功耗无电容型LDO的设计

提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO(low drop out)电路。该电路采用折叠型cascode运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;并在电路中加入了一种新的限流保护结构以保证输出电流过大时对LDO的输出进行保护。此外,在电路中加入了省电模式,可在保持LDO输出1.8 V情况下节省大于70%的功耗。该设计采用HHNEC 0.13μmCMOS工艺,仿真结果显示:在2.5~5.5 V电源供电、各个工艺角及温度变化条件下,LDO输出的线性调整率小于2.3 mV/V,负载调整率小于14μV/mA,温度系数小于27×10-6/℃;在正常工作模式下,整个LDO消耗85μA电流;在省电模式下仅消耗23μA电流。     

应用于CMOS图像传感器的带保护LDO电路的设计

随着CMOS图像传感器(CIS)的广泛应用,低功耗、高集成化、高稳定性成为其发展趋势,低压差线性稳压器(LDO)因体积小、功耗低、噪声低及电源抑制比高等优点而满足芯片供电需求.为了避免传统电源在芯片异常时仍持续工作致使功耗增加或芯片烧毁,设计了一种可应用于CMOS图像传感器的LDO电路,并加入了LDO的保护电路结构.该保护电路具有欠压保护与过流保护的功能,并能够通过数字电路对LDO进行使能控制.基于0.11 μm CMOS工艺平台对LDO及其保护电路进行仿真与分析,完成了该工艺下电路版图的绘制和验证.     

一种用于负LDO稳压器的高精度带隙基准源

介绍了一种高精度带隙基准电路结构。采用二阶曲率补偿技术,通过增加一正温度系数项,补偿电路中Vbe(T)展开的负温度系数对数项,改善了基准电压源的温度稳定性。应用该基准电路,设计了一个负输出低压差(LDO)线性稳压器,用高压BIPIC工艺进行流片。测试结果显示,该负LDO线性稳压器的温度系数为85 ppm/℃,线性调整率≤0.02%/V,负载调整率≤0.2%。     

无片上电容的负载瞬态响应增强型LDO

提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器(LDO),通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18 μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2 V,最大负载电流为100 mA。仿真和测试结果表明,该LDO的瞬态负载响应改善明显,具有较好的低功耗特性,在保证电路稳定性的前提下,大大减小了芯片的面积。     

一种快速响应低压差线性稳压器的设计

介绍了一种应用于DRAM芯片内部供电的新型低压差线性稳压器(LDO)。在传统LDO电路PMOS输出驱动管的栅端增加了一个开关电容电路,根据负载电流使能信号控制耦合电容的接入,使驱动管的栅端耦合到一个正向或者负向的电压脉冲,在负载电流急剧变化时能快速调整过驱动电压,以适应负载电流的变化。仿真结果显示,该电路有利于输出电压的快速稳定,恢复时间缩短了38%以上。采用45 nm DRAM 掩埋字线工艺进行流片。实测结果显示,该LDO输出电压恢复时间在10 ns以内。在DDR3-1600的数据传输速度下,DRAM芯片的数据输出眼图为280 ps,符合JEDEC标准。     

一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容 低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益 频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。     

一种新颖的LDO限流保护电路

设计了一种新颖的LDO限流保护电路。该保护电路结构简单,由5个MOS管构成,其静态电流约200 nA。对该保护电路的原理进行了详细的分析和仿真验证。该LDO采用0.6μm SOI工艺流片,测试结果表明,该LDO具有稳定的限流保护功能。     

应用于红外焦平面读出电路的片上LDO设计

低压差线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)由于具有响应速度快、芯片面积小、低输出噪声的优点,很适合作为电源模块集成到红外焦平面读出电路的系统中。设计了一款低噪声、带buffer和密勒补偿的LDO结构的线性电源,芯片采用CSMC 0.6 μm CMOS工艺设计,在Hspice上对电路模块进行了仿真验证。仿真结果表明,该LDO在50 kHz、3.3~5 V的电源电压下,线性调整率最大为10 mV/V,电源抑制比(PSRR)为50 dB,负载电流可达到100 mA。     

0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器

设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设计的BiCMOS带隙基准源对温度的敏感性较小,故能为LDO提供高精度的基准电压。对所设计的LDO进行了工艺流片。流片测试结果表明,该LDO可提供60 mA的输出电流且最小压差只有100 mV。测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善:负载调整率为0.054 mV/mA,线性调整率为0.014%,而芯片面积约为0.094 mm2,因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统。     

基于高摆率误差放大器的无片外电容LDO设计

为了解决无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应性能较差的问题,采用跨导提高技术设计了一种高摆率的误差放大器.在误差放大器的基础上,通过电容将LDO的输出端耦合至电流镜构建瞬态增强电路,提升LDO的瞬态响应能力,且瞬态增强电路可以引入两个左半平面零点,改善环路的稳定性.同时,误差放大器采用动态偏置结构,进一步减小...     

交流提升与有源反馈补偿的无片外电容CMOS低压差稳压器

A capacitor-free CMOS low-dropout （LDO） regulator for system-on-chip （SoC） applications is presented. By adopting AC-boosting and active-feedback frequency compensation （ACB-AFFC）, the proposed LDO regulator, which is independent of an off-chip capacitor, provides high closed-loop stability. Moreover, a slew rate enhancement circuit is adopted to increase the slew rate and decrease the output voltage dips when the load current is suddenly switched from low to high. The LDO regulator is designed and fabricated in a 0.6 μm CMOS process. The active silicon area is only 770 × 472 μm2. Experimental results show that the total error of the output voltage due to line variation is less than ±0.197%. The load regulation is only 0.35 mV/mA when the load current changes from 0 to 100 mA.     

用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路

设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度。基于0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证。仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5μs,可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。     

A capacitor-free CMOS LDO regulator with AC-boosting and active-feedback frequency compensation

A capacitor-free CMOS low-dropout(LDO)regulator for system-on-chip(SoC)applications is presented.By adopting AC-boosting and active-feedback frequency compensation(ACB-AFFC),the proposed LDO enhancement circuit is adopted to increase the slew rate and decrease the output voltage dips when the load current is suddenly switched from low to high.The LDO regulator is designed and fabricated in a 0.6/am CMOS process.The active silicon area is only 770×472μm2.Experimental results show that the total error of the output voltage due to line variation is less than ±0.1 97%.The load regulation is only 0.35 mV/mA when the load current changes fromoto 100mA.     

基于模糊自适应控制的数字电源设计与实现

为使电源输出纹波小、效率高,设计了以DC-DC变换电路串联LDO电路构成数字式直流稳压电源,将开关电源和线性电源结合起来,兼顾两者的优点。采用模糊自适应PID控制算法对DC-DC变换电路和LDO电路进行控制,得到了满意效果。实验表明,该系统具有输出稳定性好、精度高、效率高等特点,具有较好的实用价值。     

一种动态补偿、高稳定性的LDO设计

设计并实现了一种动态补偿、高稳定性的LDO.针对LDO控制环路稳定性随负载电流变化的特点,给出一种新颖的动态补偿电路.这种补偿电路能很好地跟踪负载电流的变化,从而使控制环路的稳定性几乎与负载电流无关.设计采用CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,利用Cadence的EDA工具完成电路设计、版图绘制和流片测试,最终芯片面...