一种低噪声高共模抑制比运算放大器的分析与设计

低噪声高共模抑制比的运算放大器是将套筒式共源共栅结构、差分输出和共模负反馈相结合,设计出的一种新型运算放大器.基于SMIC0.18 μm工艺模型对电路进行设计,仿真结果表明该电路的开环增益为82.3 dB,相位裕度为66°,共模抑制比为122 dB,增益平坦带宽为15 MHz,噪声为7.781 nV/sqrt （Hz）,达到设计要求.     

一种高增益、低功耗、Rail-to-Rail输出的BiCMOS运算放大器

文章介绍了一种基于0.6!mBiCMOS工艺,高增益、低功耗、RailtoRail输出的运算放大器。对运放进行了仿真分析,在外接10K电阻条件下该运放可达到115dB的直流开环电压增益,0.32mw的功耗;在100pF电容负载下,单位增益带宽为2.1MHz,相位裕度为60°;同时由于使用了共模反馈结构,使得运放获得了高的电源抑制比和共模抑制比。     

一种适用于D类音频功放的全差分运算放大器

介绍了一种应用于超低EMI无滤波D类音频功放的全差分运算放大器结构,可构成积分器,起滤除高次谐波的作用。该运算放大器采用两级结构来获得高增益,第一级为折叠共源共栅,偏置电路采用反馈结构,给整个运算放大器提供偏置电流,从而提高电路的电源抑制比;采用伪AB类输出级提高运放的瞬态响应,稳定运放输出。仿真结果表明,该电路具有良好的性能:增益为113dB,相位裕度为67°;单位增益带宽为1.9MHz,共模抑制比为160dB,电源抑制比为82.7dB;共模反馈环路增益为120dB,相位裕度为62°。     

一种高增益全差分运算放大器的分析与设计

采用增益提高技术,设计了一种高增益全差分运算放大器,其主运放和两个辅助运放均为全差分折叠式共源共栅结构,并带有连续时间共模反馈电路。详细地分析了由增益增强结构为此运放带来的零极点对。该运算放大器采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计,开环直流增益可达138 dB,单位增益带宽为252 MHz。     

一种伪随机开关动作的自稳零运算放大器

设计实现了一种低失调、高增益的轨到轨运算放大器(运放),整体电路主要包含带隙基准、环形振荡器、伪随机信号发生器、主运放以及调零辅助运放。采用时间交织结构的自稳零技术降低了运放的输入失调电压,通过主运放与辅助运放增益相叠加的方式获得高增益。为了改善自稳零运放开关动作所引起的互调失真现象,设计了一种伪随机信号发生器,用于控制自稳零运放的开关动作,以一种非固定周期的伪随机时序信号代替传统的周期性时序信号,避免了由MOS开关管周期性动作引入的二次谐波甚至多次谐波,改善了运放的调零效果,消除了输出信号中的互调失真。基于0.5 μm CMOS工艺完成了整体电路的设计与流片,电路仿真与芯片实测数据均达到较好效果。在电源电压5 V,环境温度25 ℃条件下,实测输入失调电压为0.6 μV,输入偏置电流小于10 pA,开环增益为140.8 dB,共模抑制比为138.4 dB,电源抑制比为142.9 dB,该电路可用于高精度信号采集和调理。     

高性能折叠式共源共栅运算放大器的设计

折叠式共源共栅结构能够提供足够高的增益,并且能够增大带宽、提高共模抑制比和电源电压抑制比.基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种折叠式共源共栅结构的差分输入运算放大器,给出了整个电路结构.Spectre仿真结果表明,该电路在3.3V电源电压下直流开环增益为121.5dB、单位增益带宽为12 MHz、相位裕度为61.4°、共模抑制比为130.1dB、电源电压抑制比为105 dB,达到了预期的设计目标.     

一种高共模抑制比轨到轨全差分运算放大器

针对传统全差分运算放大器电路存在输入输出摆幅小和共模抑制比低的问题,提出了一种高共模抑制比轨到轨全差分运算放大器电路。电路的输入级采用基于电流补偿技术的互补差分输入对,实现较大的输入信号摆幅;中间级采用折叠式共源共栅结构,获得较大的增益和输出摆幅;输出级采用共模反馈环路控制的A类输出结构,同时对共模反馈环路进行密勒补偿,提高电路的共模抑制比和环路稳定性。提出的全差分运算放大器电路基于中芯国际(SMIC) 0.13μm CMOS工艺设计,结果表明,该电路在3.3 V供电电压下,负载电容为5 pF时,可实现轨到轨的输入输出信号摆幅;当输入共模电平为1.65 V时,直流增益为108.9 dB,相位裕度为77.5°,单位增益带宽为12.71 MHz;共模反馈环路增益为97.7 dB,相位裕度为71.3°;共模抑制比为237.7 dB,电源抑制比为209.6 dB,等效输入参考噪声为37.9 nV/Hz^1/2@100 kHz。     

一种高CMRR和PSRR的共源共栅放大器

针对传统运算放大器共模抑制比和电源抑制比低的问题,设计了一种差分输入结构的折叠式共源共栅放大器。本设计采用两级结构,第一级为差分结构的折叠式共源共栅放大器,并采用MOS管作为电阻,进一步提高增益、共模抑制比和电源电压抑制比;第二级采用以NMOS为负载的共源放大器结构,提高增益和输出摆幅。基于LITE—ON40V1．0μm工艺,采用Spectre对电路进行仿真。仿真结果表明,电路交流增益为125．8dB,相位裕度为62.8°,共模抑制比140．9dB,电源电压抑制比125．5dB。     

微弱神经信号探测CMOS放大器

采用CSMC 0. 5 μm CMOS工艺设计了微弱神经信号探测放大器芯片.电路适用于卡肤电极.电路采用并联运算放大器差动输入的三运放结构,具有输入阻抗高、共模抑制比高的特点.为防止运算放大器产生振荡,采用了带调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿.电路工作电压±2.5 V,单个运放的功耗为734 μW,增益86.2 dB.电路功耗1.9 mW,增益80 dB,3 dB带宽大于10 kHz,可满足神经信号探测的应用要求.     

一种高CMRR低功耗生物电信号采集前端放大器

设计了一种应用于生物电信号采集的前端放大器。采用间接电流反馈技术,提高了放大器的线性度和共模抑制比。采用负反馈环路,消除了采集过程中电极产生的极化电压。采用0.18 μm 混合信号CMOS工艺对电路进行设计,使用Cadence Spectre进行了仿真。结果表明,该电路在3 V供电下消耗的静态电流为4.5 μA,在0.3 Hz~1.3 kHz的增益带宽内增益为37 dB,能够消除50 mV的极化电压,共模抑制比为98 dB (50 Hz工频处),噪声效率因子为11.5。     

C波段高效风冷大功率速调管

叙述了一支C波段高效风冷大功率速调管的设计,并给出了实际测试结果,在50 MHz带宽范围内,峰值输出功率大于250 kW,效率达到50%以上,增益50 dB左右。     

高压大功率IGBT驱动模块的技术特点

IGBT驱动模块对IGBT的功耗和可靠性会产生重要影响，对大功率IGBT驱动模块的技术特点作了详细的分析，列出了设计的关键点，并介绍了大功率IGBT驱动模块的技术发展趋势。     

一种基于高压工艺的高精度电流采样电路

提出了一种用于大功率LED驱动芯片中的电流采样电路。采用电阻采样技术,运用高压、高增益、大带宽的运放,使采样电路具有高精度和快的响应速度。基于0.8μm 40 V BCD工艺,对提出的电流采样电路进行仿真验证。结果表明,在大功率应用下,该采样电路的采样精度高达99.68%,有很好的实用价值。     

高压变频器的产品和市场状况

高压变频器（在国外称中压变频器）自上个世纪90年代中期开始在国内推广，经过10年的发展，今天已经普遍为市场所接受，估计今年的市场容量在10亿到20亿元人民币之间。本文将从产品技术和市场两方面分析一下高压变频器的特点。     

CAK35T型集成式高压大容量钽电解电容器的研制

利用多芯并联的阳极制造技术,通过采用高比容钽粉、两段式烧结工艺、工作电解液中添加铜盐、铁盐等去极化剂、改进组装工艺等措施,研制出适用于高精电子整机的高压、小体积、大容量的100 V 600 μF钽电解电容器,对所研制产品进行各项电气性能测试,结果表明,所研制的产品性能完全满足高精电子整机的使用要求.     

高性能高温超导红外探测器

选用高温超导体ＹＢＣＯ薄膜，利用集成微加工工艺，制成高温超导红外探测器。测得器件的等效噪声功率ＮＥＰ达到１０－１２Ｗ／Ｈｚ１／２，探测率Ｄ为１０９ｃｍＨｚ１／２／Ｗ，其中最好的器件性能为Ｄ＝１．８×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ，表明这类探测器已进入实用阶段，成为红外探测技术发展的新方向之一。     

高频钎焊工艺的改进

在高频焊接中经常容易出现陶瓷炸裂的问题，本文对这个问题进行了初步的分析，并提出了一种解决办法，实验结果表明该办法是有效的。     

基于ATmega 128的高速高精度光功率计的设计

介绍了一套最新研制的高速高精度光功率计的设计方案。该光功率计采用高性能单片机ATmega l28对系统进行控制,以目前业界速度最快16位低功耗、高性能的AD9467为模/数转换器对不同量程的信号进行采集,提高了数据的精度性。通过USB2.0的高速通信能力,充分发挥了ATmega 128的高速采集处理能力。     

高峰值功率多注速调管的发展现状

高峰值功率多注速调管是一种在单注速调管及传统多注速调管的基础上发展起来的新型微波电真空器件。本文介绍了高峰值功率多注速调管的基本特点及目前世界上高峰值功率多注速调管的发展状况,其中包括已经研制成功的10MW级多注速调管、正在研制的50 MW级多注速调管及一些处于概念设计阶段的更高功率水平的多注速调管。最后阐述了研制高峰值功率多注速调管遇到的问题及可能的解决方法,并对其发展前景进行了展望。     

长波长、高灵敏度的InP／InGaAs谐振腔光电探测器

本文报道了一种能够实现高速、高灵敏度的InP基谐振腔增强型（RCE）光电探测器。它采用衬底入光方式，解决了在InP衬底上外延生长的InP/InGaAs介质膜分布布拉格反射镜（DBR）反射率低的问题，该探测器的吸收层厚度为0.2μm，在波长1.583μm处获得了80%的峰值量子效率，同时为了降低探测器的固有电容，利用质子注入技术使得器件的部分电极绝缘，实验结果表明质子注入不影响RCE光电探测器的量子效率。