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<正>微波功率器件是指工作频段在300M~300GHz这个微波波段内的电子器件,主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能,是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第1代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第2代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。20世纪90年代,基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)的高频、大功率微波器件 相似文献
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相比于第一代和第二代半导体材料,第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙,更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一,是制作蓝绿激光、射频微波器件和电力电子器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通信、相控阵雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器,HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O,使其表现出n型半导体特性,但载流子浓度高和电导率低限制了其在高频大功率器件中的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法,通过掺杂不同掺杂剂可以获得不同类型的GaN单晶衬底,提高其电化学特性,从而满足市场应用的不同需求。本文介绍了GaN半导体晶体材料的基本结构和性质,综述了近年来采用HVPE法生长高质量GaN晶体的主要研究进展;对GaN的掺杂特性、掺杂剂类型、生长工艺以及掺杂原子对电学性... 相似文献
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GaN纳米线材料的特性和制备技术 总被引:3,自引:0,他引:3
GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中,并可用于大功率微波器件.最近几年,由于GaN蓝光二极管的成功研制,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题.简要介绍了GaN纳米线材料的制备技术;综述了GaN纳米线材料的制备结果和特性.用CVD法研制的GaN纳米线的直径已经达到5~12nm,长度达到几百个微米.纳米线具有GaN的六方纤锌矿结构,其PL谱具有宽的发射峰,谱峰中心在420nm.GaN纳米线已经在肖特基二极管的研制中得到应用. 相似文献
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《新材料产业》2013,(12):7-8
事件:继硅(si)引导的第一代半导体和砷化镓(GaAs)引导的第二代半导体后,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力,因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外,第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点,因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料,而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。 相似文献
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首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义.文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法.通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件. 相似文献
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