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涛 《仪表技术与传感器》1973,(6)
西德西门子公司为带自动曝光控制装置的照相机发展了一种新型专用于此任务的光电二极管,其型号为BPX 63,这种光电二极管的灵敏度为10nA/Lux(毫微安/勒克斯)。至目前为止,人们一直优先采用光敏电阻用于此目的。然而光敏电阻在低照度情况下很不敏感 相似文献
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《仪表技术与传感器》1971,(6)
热工仪表设计局研制了一种 PN—025型换流器(图1)。这种换流器将24伏直流电变换成220伏50赫的方波脉冲交流电。它是一种全波换流器,在电路中,晶体管 T_1、T_2、接成共发射极型。变压器 Tr_1 在饱和状态下工作,起到开关晶体管的作用。方波交流信号从输出变压器 Tr_2 的付绕组获取。输出变压器 Tr_2 在线性状态下工作。晶体管在开关状态下工作可以提供较高的变换效率。二极管 D_3、D_4 用于保护晶体管防 相似文献
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光电二极管弱光特性检测仪的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
光电二极管的弱光光电特性,目前在一些特殊光电检测系统中得到广泛应用.该仪器可控制弱光光源,并对光电二级管弱光光电特性进行检测及数据处理,筛选满足在弱光下所使用的光电二极管. 相似文献
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二硫化钼(MoS_2)优异的理化性能在光电晶体管领域的应用具有极大潜力。文中研究了化学气相沉积法(CVD)法生长的MoS_2薄膜制备的光电晶体管的性能。随着光照强度的增加,光电流也随之增加,但幅度逐渐下降,由于其价带上的电子极易吸收能量跃迁到导带从而产生光电流,但最终会达到响应饱和状态。对基于二硫化钼光电晶体管性能的研究有助于二硫化钼材料在光电传感器上的应用。 相似文献
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紫外 《仪表技术与传感器》1977,(2)
西德AEG-Telefunken公司研究发展了一种新型硅光电二极管,型号为BPW28。它可用来在低电平情况下,作为对快速信号进行光束调制的宽带检测器。这种二极管具有较高的内部光电流放大性能,它能在按截止方向极性连结的PN结的空间载荷区内起倍增作用。这种放大性能是由所施加的截止电压所规定的,对这种元件来说,其数值可调整到倍数超 相似文献
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为了解决典型宽禁带半导体光电探测器件的工作波段限制材料禁带宽度的问题,对基于表面等离激元热电子效应的光电晶体管进行了制备和光电性能研究,提出一种采用重掺杂的硅片作为背栅极、二氧化硅(SiO_2)氧化层作为绝缘层,且能利用等离激元热电子效应的光电晶体管,有望实现响应光谱的调控。利用热退火方法在绝缘层表面修饰金纳米颗粒,并结合射频溅射、物理掩模和真空热蒸镀的方法实现了热电子效应铟镓锌氧化物(IGZO)光电晶体管。器件的光学和电学性能测试结果表明:修饰金纳米颗粒的光电晶体管在658nm红光入射下产生明显的光电响应,外加90V栅极偏压时,光电流提升约为2.2倍。金纳米颗粒修饰的等离激元热电子结构有效调控了该型晶体管的响应光谱范围,不受材料禁带宽度的限制,而且晶体管的背栅调控进一步放大光电流,提高了器件的量子效率。 相似文献
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四十年代初,随着冶金工业的快速冶炼方法的出现,采用了由电子管组装的第一台光电直读发射光谱仪进行快速分析。三十多年来,由于电子和计算技术的飞速发展,使光电直读发射光谱仪经历了电子管电路—晶体管电路—集成电路的发展,目前已有多种电子计算机—多光谱光电直读发射光谱仪成套商品出 相似文献
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本文分析了工艺参数和结构设计对a—Si:H薄膜光电二极管的光谱响应、灵敏度和暗电流等主要特性的影响,推导出元件外接负载时光生电压与光照度的关系式,并引入临界照度概念,定量地讨论了元件的输出线性精度。同时,本文给出了元件应用于数字照度计时的光谱修正和放大电路。检定结果表明,元件性能明显优于单晶硅光电二极管等传统光电元件,在可见光检测领域具有广阔的应用前景。 相似文献
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用硅二极管作温度敏感元件,可以用一个廉价的运算放大器将温度控制到小于±0.05℃的范围内。例如1N4148型二极管具有典型的温度系数:-2毫伏/1℃。线路如图所示。温度由电阻电桥调节,由二极管 D_1传感并由加热元件——电阻 R_1来保持。当温度太低时,控制电压 V_1趋向负,将运算放大器的输出限制在12~14伏。晶体管 Q_1 相似文献
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近代,随着晶体管电子控制技术的迅速发展,与晶体管电子器件具有相似作用的微型化气动控制器件也日益受到人们的重视。这些气动控制器件可进行气动的逻辑线路设计,实现顺序数字的程序控制,起到了“气动计算机”的作用。由于气动逻辑控制元件的体积很小,可以作成积存式安装在一块小板上。在一个小盒子里就能容纳一套有输入,输出和逻辑运算的装置。它的输入元件包括气动按扭、信号发生器、限位开关、压力及位置传感器, 相似文献
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刘兴农 《仪表技术与传感器》1977,(3)
一、新型光电二极管西门子公司使用光电二极管不仅作为指示元件,也朝着用于刻度,按钮等的照明跨了一步。投入市场上有光强度30毫烛光,工作电流10毫安的绿色光电二极管LD57C,所辐射的表面是在亚磷酸镓的半导体晶体上。这个光电二极管的辐射强度比目前所知的要大得多,此外,它取决于没有涂漆和没有扩散器的塑料外壳(管座长度8.6毫米,直径5.1毫米)。所使用的半导体材料是经精心选择的。二、激光束的照像为了研究由于负载引起的材料变形,早已采用了照像方法。此时,取自测量象上的点在加机械负载之前和加载时被照像到一个底板 相似文献
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许宝瑜 《仪表技术与传感器》1981,(4)
日本立石电机公司研制成一种小型光电传感器,EE-S—光电微型传感器系列,在发射光一测使用发光二极管,在受光一侧使用光电晶体管。EE-SH3M(槽型)、EE-SB5V(反射型)因和专用IC制作在一起,故可直接驱动最大为80mA的功率负荷。 相似文献
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场效应晶体管若按图1所示连接,当负载电阻足够大时具有稳压器的特性.负载上的电压接近于VT1的夹断电压,而且这种接法除了不遭过载外,负载短暂短路时稳压器的最大电流等于起始漏电流.这种稳压器的缺点是输出阻抗大.图1电路的缺点可采用图2所示的电路加以补偿.为了保证稳压器的正常工作,必须满足如下条件:1.VT1的夹断电压应小于稳压管的VD2的电压及VT2发射结的压降;2.VD1应用点接触锗二级管,以保证场效应晶体管最优的工作状态;3.双极性晶体管VT2为集电结反向电流小的晶体管.输入电压接通后,场效应晶体管VT1开始导通,负载上的电压增长直至稳压管VD2导通瞬间为止;此后VT2基极回路出现导通电流,同时VT2的导通电流在二极管VD1和场效应晶体管VT1的栅—源结建立电压降,使VT1截止;从而导致稳压器的电流和负载上的电压增长下降,输出电压开始稳定. 相似文献
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《仪表技术与传感器》1972,(1)
西德 DITRATHERM—ROEDERSTEIN厂发展了一种硅温度补偿元件其型号为 STV—3。这是一种新元件,按其工作方式来说它是二极管,欧姆电阻,热敏电阻的组合体。因此这种元件能较为理想地满足晶体管低频末级稳定温度的要求。STV—3型元件尺寸小,只占有微小空间位置。其通向电压要比一般二极管要低,但其温度稳定性却比单个元件组合要好 相似文献
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硅光电探测器的发展与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体光电探测器由于体积小、灵敏度商、响应速度快、易于集成,是最理想的光电探测器,典型的包括PIN光电二极管、雪崩二极管以及硅光电倍增管.论述了它们的工作原理,以及在光纤通信、传感系统、高能物理、核医学等领域的广泛应用. 相似文献